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公开(公告)号：CN119866028A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411990697.1
申请日：2024-12-31
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及集成电路制造的技术领域，具体涉及一种基于金刚石/氮化铝极化界面二维电子气效应的MOS‑HEMT器件及其制备方法，包括：形成于柔性基板的金刚石衬底；沉积于所述金刚石衬底表面的AlN层；沉积于所述AlN层表面的栅氧介质层；形成于所述栅氧介质层表面的栅极金属层；分别沉积于金刚石衬底表面并位于栅氧介质层和AlN层两端的源电极层和漏电极层。本发明的MOS‑HEMT器件，在AlN薄膜层与金刚石之间构建出异质结构，形成了高迁移率的二维电子气(2DEG)，所述AlN薄膜层与金刚石形成极化表面，实现了金刚石的n型导电。使得金刚石基的功率器件有了更为广阔发展前景，为下一代高性能功率器件奠定坚实的基础。
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公开(公告)号：CN118607322A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410843607.X
申请日：2024-06-27
Applicant: 武汉大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/28 , G16C10/00 , G06T17/00 , G06F113/08 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及集成电路制造和器件工艺模拟的技术领域，具体涉及一种跨尺度模拟碳化硅栅氧层低温氧化工艺的方法，包括：构建出Si/SiC的表面模型，得到优化的界面结构模型；依据优化的界面结构模型，建立Si/SiC的热氧化晶体结构模型，使Si晶体表面发生氧化反应，形成SiC栅氧层即SiO2层，优化得到氧化模型数据；根据氧化模型数据，进行三维建模，构造出几何反应腔体，根据反应结果调整反应参数，与实际生产相匹配。本发明的方法通过模拟SiC新型热氧化工艺方法，掌握氧化样品原子结构层的形成过程及结果，实现深层次的分析控制，同时避免进行传统的高温热氧化工艺实验，降低了热预算等成本，提高了效率，并适于规模化运用。
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公开(公告)号：CN119855166A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411990691.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件的技术领域，具体涉及一种基于极化界面二维电子气效应的金刚石二极管及其制备方法，包括柔性基板，形成于柔性基板表面的金刚石衬底；沉积于金刚石衬底表面的AlN层；形成于金刚石衬底表面位于AlN层一端的阳极金属层；形成于AlN层表面的阴极电极层。本发明的基于极化界面二维电子气效应的金刚石二极管，在AlN薄膜层与金刚石之间构建出异质结构，形成了高迁移率的二维电子气(2DEG)，所述AlN薄膜层与金刚石形成极化表面，实现了金刚石的n型导电。
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公开(公告)号：CN119372769A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411698819.X
申请日：2024-11-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及集成电路半导体制造的技术领域，具体涉及一种导模法生长氧化镓晶体的热场结构、装置及方法，包括第一保温桶，所述第一保温桶中心轴处设置有横截面为长方形的晶体生长通道，所述第一保温桶的侧壁开设有分别贯通侧壁且与晶体生长通道连通的第一气流通道、第二气流通道和第三气流通道，所述第一气流通道的内径、第二气流通道的内径和第三气流通道的内径依次增大，所述第二气流通道和第三气流通道沿第一保温桶的外径均匀分布，第一气流通道位于第二气流通道和第三气流通道下方。本发明的上热场结构，通过开设不同内径的气流通道，改善热场的方式更为灵活，通过控制气流通道的开启和关闭能有效调节炉内温场分布。
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