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公开(公告)号：CN114885509A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210399721.9
申请日：2022-04-15
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种飞秒、纳秒激光制备图案化柔性传感器及其制备方法。制备方法包括以下步骤：1)混合聚二甲基硅氧烷(PDMS)单体和固化剂，旋涂制备透明柔性的PDMS基底；2)用氧气等离子体(Plasma)辐照PDMS基底；3)在基底上面旋涂银纳米线浆料；4)对银纳米线浆料施加压力；5)飞秒激光扫描PDMS基底上的银纳米线浆料；6)纳秒激光熔融、击飞多余银纳米线，绘制图案；7)旋涂PDMS，封装图案化银纳米线浆料。本发明提供的方法制备速度快，精度高。所制备的传感器质地柔软，具有优异的透光性能和可拉伸性能。
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公开(公告)号：CN114815057A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210479856.6
申请日：2022-05-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种聚焦型垂直光栅耦合器及其制备方法，扇形聚焦光栅结构位于SOI基片顶部的顶硅层，顶硅波导层包括扇形聚焦光栅波导结构和条形波导结构。制备时，先在顶部硅层上沉积一层多晶硅；然后涂覆光刻胶；之后对光刻胶进行曝光和显影，得到光刻胶层聚焦光栅波导结构图形；通过反应离子刻蚀，将光刻胶层聚焦光栅波导结构图形转移到顶部硅层上，得到扇形聚焦光栅波导结构和条形波导结构；并在顶硅波导层上方沉积二氧化硅包覆层；在扇形聚焦光栅波导结构上方的二氧化硅包覆层上蚀刻出聚焦凸透镜，得到带透镜聚焦型垂直光栅耦合器。本发明改变了垂直光栅耦合器的结构，增大了耦合光源，增强了光栅上衍射光的干涉，提高了对准容差和耦合效率。
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公开(公告)号：CN113359385A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110709880.X
申请日：2021-06-25
Applicant: 矽万(上海)半导体科技有限公司 , 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种基于OPC模型的无掩模光刻优化方法，包括如下步骤：步骤S1、根据光刻胶曝光数据以及光刻胶化学反应函数获得优化的光刻胶函数模型；步骤S2、根据光刻机参数、目标图案以及所述光刻胶函数模型，构建自适应成像模型；步骤S3、将所述目标图案的数值作为晶圆电路板图的像素化数值，来构建第一代价函数和约束条件，并根据所述约束条件对所述目标图案的曝光剂量分布数值进行更新；以及步骤S4、将反向曝光能量分布的数值作为曝光能量分布数值，来构建第二代价函数和约束条件，并根据所述约束条件对所述目标图案的曝光剂量分布数值进行进一步更新。本发明的优化方法计算量小、设置简单以及可根据需要对全局曝光点进行并行优化。
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公开(公告)号：CN110838390B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201911149767.X
申请日：2019-11-21
Applicant: 武汉大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明涉及一种激光制备图案化透明导电薄膜的方法，包括以下步骤：1)清洗基底；2)在基底上面旋涂光刻胶，烤干；3)使用激光直写设备设计图案并在覆盖有光刻胶的基底上曝光图案化的区域，然后用显影液去除对应图案化区域的光刻胶；4)将银纳米浆料涂至图案化区域，占据去除光刻胶后的区域，再使用研磨的方法，保证银纳米浆料与剩余光刻胶厚度均匀一致；5)把透光片压在步骤4)得到的图案化区域上，然后激光穿过透光片扫描基底的图案化区域，烧结固化银纳米浆料；6)去除剩余光刻胶，即得图案化透明导电薄膜。本方法可以任意设计图案，方便快捷地实现透明导电薄膜的图案化，灵活性强，可重复性好。
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公开(公告)号：CN113189845A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110103267.3
申请日：2021-01-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种基于人工期望的目标图案掩膜优化方法，包括以下步骤：将目标图案转化为像素化图案并对其进行高频区域与高频点的提取，进一步构造基于人工期望的期望目标图案；将期望目标图案的数值作为晶圆电路板图像素化数值以构建代价函数和约束条件；根据所述约束条件对所述期望目标图案的掩膜数值进行更新。本发明在不改变电路主要特征的前提下把目标图案的高频信号拉低，使其低到一个可以补偿的范围，然后再对新的目标图案进行补偿，使图案的高频信号得以恢复，提高图像保真度，使得晶圆图案的图案误差和边缘放置误差均得到进一步减小；同时，极大地提高了工艺可制造性，使得晶圆图案的图案误差和边缘放置误差均得到进一步减小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112699095A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011584307.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种基于ANN的光学特性建模数据库生成方法，包括以下步骤：生成ANN的训练数据，训练数据至少包括：光学特征参数以及光栅尺寸参数；基于ANN训练模型对光栅尺寸参数进行训练，从而学习得到光学特征参数与光栅尺寸参数的训练标签之间的映射关系；对步骤S2中的光栅尺寸参数训练的质量进行评价；基于光学测量手段得到的真实的光学特征参数，对步骤S2训练得到的模型产生的光栅尺寸参数进行实验验证；通过步骤S3的反复学习优化和步骤S4的实验验证得到光学特征参数和光栅尺寸参数之间的准确映射关系，以此建立光学特性建模数据库，从而解决了现有的光学特性建模数据库生成方法难以省时高效建立相对准确数据库的缺点。
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公开(公告)号：CN112685889A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011573097.7
申请日：2020-12-24
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种用于检测系统缺陷的简化测试结构设计方法，包括：步骤S1、模拟计算出实际器件的最终工艺窗口，模拟计算出实际器件工艺窗口以外的系统缺陷；步骤S2、依据实际器件制程仿真的结果提取关键结构；步骤S3、根据提取的关键结构进行简化测试结构的设计；步骤S4、将设计的简化测试结构作为仿真模型的输入，模拟计算出简化测试结构制程最终的系统缺陷；步骤S5、对比实际器件制程仿真与简化测试结构制程仿真在相同工艺窗口下所产生的系统缺陷信息是否一致，本发明采用了仿真手段与实验验证相结合的简化测试结构设计方法，依据两个制程仿真结果进行系统缺陷对比进行简化测试结构设计，并在仿真后进行实验验证，确保仿真设计可靠性。
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公开(公告)号：CN111458985A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010249063.6
申请日：2020-04-01
Applicant: 武汉大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明属于光学技术领域，公开了一种光刻中颗粒类污染的测量方法，通过光学测量得到颗粒类污染的测量光谱，通过建模仿真得到颗粒类污染的模拟光谱数据库；通过数值拟合，在模拟光谱数据库中寻求与测量光谱相匹配的光谱作为拟合光谱，将拟合光谱对应的物理模型作为匹配物理模型；从匹配物理模型中读取颗粒的参数信息，作为颗粒类污染的测量结果，根据测量结果判断颗粒类污染的类型。本发明解决了现有技术中测量光刻过程中污染的分辨率较低、测量速度较慢的问题。本发明可以对光刻过程中的污染进行实时测量，且测量的分辨率高、测量速度快，能够判断出颗粒类污染的具体类型。
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公开(公告)号：CN105716523A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610078903.0
申请日：2016-02-04
Applicant: 武汉大学
IPC: G01B11/00
CPC classification number: G01B11/005 , G01B11/007
Abstract: 本发明公开了一种适合于大幅面运动规划的高精、高速运动测量系统，借助该系统可以实现高达亚纳米级的二维位移测量精度，特别适合于诸如光刻机、光栅刻划机、液晶面板加工机、精密机床等高端设备中运动控制所必须的反馈测量。具体为将不同频率的一维或二维光栅错位搭接、同频错位过渡铺设以实现大幅面铺设，从而实现任意大幅面运动规划所必须的路径控制范围，再配合以多个光栅位移测量探头的电气协调细分以大幅降低单点测量（细分）时间，从而实现任意大幅面、高精度（最高可达亚纳米，且有多种测量精度协调互验）、高速度（单探头所需要的细分量减少，整体速度优于目前光栅尺中探头的探测速度）运动控制所需的反馈测量。
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公开(公告)号：CN105666287A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610098377.4
申请日：2016-02-23
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种基于CMP的机器人磨抛系统，包括六轴机器人、放置工件的工件夹、对需要抛光工件进行检测并三维重构的轮廓检测单元、带抛光垫的磨轮、安装磨轮的基座、以及主控制器，所述六轴机器人自由端部设有带伺服电机的电主轴，工件夹上方设有能向工件喷CMP抛光液的抛光液喷射装置，工件夹安装在所述电主轴上，所述主控制器控制轮廓检测单元、六轴机器人、电主轴、以及所有伺服电机，所述工件夹和带抛光垫的磨轮的位置还可以互换以适应不同尺寸工件的抛光，本发明的机器人磨削系统，效率高，加工一致性好，且不会对工件造成机械损伤、烧伤等普通磨削会产生的不利效果，不出现表面或亚表面的损伤，能加工出较完美的表面。
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