公开(公告)号：CN110226235B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201880008427.2

申请日：2018-01-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 竹内有一 ,  铃木优 ,  杉本雅裕 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 具备元件分离层(14)以将主单元区域(Rm)与感测单元区域(Rs)之间电分离，在元件分离层(14)的底部具备电场缓和层(15)以缓和电场集中。此外，将电场缓和层(15)以直线状构成，将相邻的电场缓和层(15)以与相邻的p型深层(5)的间隔(Wd)相同的间隔形成，抑制电场的进入。进而，在从主单元区域(Rm)侧突出的电场缓和层(15)与从感测单元区域(Rs)侧突出的电场缓和层(15)之间，也使两者的间隔(Wp)为相邻的p型深层(5)的间隔(Wd)以下，抑制电场的进入。

公开(公告)号：CN111383911B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201911366053.4

申请日：2019-12-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装

Inventor： 高桥勋 ,  鸟山达矢 ,  杉本雅裕 ,  四戸孝 ,  上东秀幸 ,  大原淳士 ,  广濑富佐雄 ,  松木英夫

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴、以含有镓的金属氧化物为主要成分的结晶性氧化物膜时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物膜，该结晶性氧化物膜至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。

公开(公告)号：CN111133588B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN201880059522.5

申请日：2018-09-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 竹内有一 ,  海老原康裕 ,  杉本雅裕 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

公开(公告)号：CN103460388B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201280016150.0

申请日：2012-09-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 宫原真一朗 ,  山本敏雅 ,  高谷秀史 ,  杉本雅裕 ,  渡边行彦 ,  副岛成雅 ,  石川刚

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/34 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种碳化硅半导体器件的制造方法，包括：在碳化硅衬底(1)上形成漂移层(2)；在所述漂移层(2)的表面部分上或表面部分中形成基极层(4)；形成沟槽(6)，以穿透所述基极层(3)并且到达所述漂移层(2)；在所述沟槽(6)中的所述栅极绝缘膜(7)上形成栅极电极(8)；形成电连接至所述源极区(4)和所述基极层(3)的源极电极(9)；以及在所述衬底(1)的背侧表面上形成漏极电极(11)。形成所述沟槽(6)包括：对衬底表面进行平坦化，并且在平坦化之后蚀刻以形成所述沟槽(6)。(3)；在所述基极层(3)的表面部分中形成源极区

公开(公告)号：CN111384158A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911364732.8

申请日：2019-12-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装

Inventor： 高桥勋 ,  鸟山达矢 ,  杉本雅裕 ,  四戸孝 ,  上东秀幸 ,  大原淳士 ,  广濑富佐雄 ,  松木英夫

IPC: H01L29/24 ,  H01L23/367 ,  H01L29/732 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴的结晶性氧化物半导体时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物半导体，该结晶性氧化物半导体至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。

公开(公告)号：CN111383911A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911366053.4

申请日：2019-12-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装

Inventor： 高桥勋 ,  鸟山达矢 ,  杉本雅裕 ,  四戸孝 ,  上东秀幸 ,  大原淳士 ,  广濑富佐雄 ,  松木英夫

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴、以含有镓的金属氧化物为主要成分的结晶性氧化物膜时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物膜，该结晶性氧化物膜至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。

公开(公告)号：CN111133588A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880059522.5

申请日：2018-09-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 竹内有一 ,  海老原康裕 ,  杉本雅裕 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 在以一个方向为长度方向的沟槽栅构造的下方，配置具有以与沟槽栅构造交叉的方向为长度方向的JFET部(3)及电场阻挡层(4)的饱和电流抑制层(3、4)。此外，JFET部(3)和电场阻挡层(4)为交替地反复形成的条形状，将JFET部(3)做成具有第1导电型杂质浓度比较高的第1层(3b)和第1导电型杂质浓度比其低的第2层(3c)的结构。