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公开(公告)号：CN110870163A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880045594.4
申请日：2018-07-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 长多刚
Abstract: 提高非接触供电系统的传输效率。提供一种供电装置，该供电装置包括：供电线圈；控制装置；检测装置；以及移动装置，该供电线圈具有产生磁场的功能，该控制装置与该供电线圈及该检测装置电连接并具有决定该供电线圈的位置的功能及发送位置控制信号的功能，该移动装置具有接收该位置控制信号的功能及根据该位置控制信号移动该供电线圈的功能，该检测装置包括第一检测线圈及第二检测线圈，该第一检测线圈具有产生磁场的功能，并且该第二检测线圈具有检测磁通密度的变化的功能。
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公开(公告)号：CN103035876B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201210367335.8
申请日：2012-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/02
CPC classification number: H01M4/134 , H01M2/1673 , H01M2/18 , H01M4/366 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M10/0525 , H01M2004/025 , H01M2004/027
Abstract: 本发明的课题是提供一种充放电容量大、能够进行急速的充放电且充放电所导致的电池特性的劣化少的蓄电装置。本发明是一种蓄电装置，其中负极包括具有多个柱状突起物的活性物质，并且垂直于柱状突起物的轴的截面形状为如十字形、H字形、L字形、I字形、T字形、U字形、Z字形那样的多角形状或包括曲线的多角形状。具有多个柱状突起物的活性物质也可以被石墨烯覆盖。
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公开(公告)号：CN102810671B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201210191843.5
申请日：2012-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/583 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/587 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D13/02 , C25D13/12 , H01M4/0452 , H01M4/0471 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/66 , H01M4/70 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是在具有凹凸的物体上以实际上均匀的厚度形成石墨烯。在将物体浸渍在氧化石墨烯溶液中之后，从溶液中取出该物体且对其进行干燥，或者浸渍物体和电极且将所述物体用作阳极并对所述物体与所述电极之间施加电压。因为氧化石墨烯带负电，所以以实际上均匀的厚度被吸引且附着到物体的表面。然后，通过在真空或还原气氛中对物体进行加热，使氧化石墨烯还原而得到石墨烯。通过上述步骤，即使在具有凹凸的物体的表面也可以形成具有实际上均匀的厚度的石墨烯。例如，也可以在晶须状的硅表面形成石墨烯的层，将其用作锂离子二次电池等蓄电装置。
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公开(公告)号：CN103797620B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201280044740.4
申请日：2012-09-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M4/133 , B82Y30/00 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/625 , H01M10/0525 , H01M10/465 , Y02E60/122 , Y02T10/7011
Abstract: 提供一种蓄电装置,具有大的充/放电容量和较低的由于充/放电所导致的电池特性的劣化，并能够进行急速充/放电。一种蓄电装置包括负电极。该负电极包括集电体及设置在集电体上的活性物质层，活性物质层包括从集电体突出的多个突起及设置在该多个突起上的石墨烯。多个突起的轴朝向同一方向。另外，在集电体和多个突起之间也具有共同部。
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公开(公告)号：CN103078368B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201210579581.X
申请日：2007-03-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H02J7/0052 , B60L8/003 , B60L11/182 , B60L2230/16 , H02J7/025 , H02J17/00 , H02J50/12 , H02J50/20 , H02J50/40 , H02J50/90 , Y02T10/7011 , Y02T10/7083 , Y02T10/7088 , Y02T90/122 , Y02T90/128 , Y02T90/14 , Y02T90/163
Abstract: 一种电力供应系统和用于机动车的电力供应系统，为可移动电子装置提供一种电力接收装置，当对电池充电时，电力接收装置简化了从作为电源装置的电力馈线对电池的充电，并且不具有由于与继电器端子相关的外部因素而引起的故障，或由直接连接电池和电力馈线而引起的继电器端子的损坏，此外还提供一种包括电力接收装置的电子装置。在可移动电子装置中提供用于供应电力的天线电路和增强天线。天线电路经由增强天线接收例如电磁波的无线电信号，并且通过信号处理电路向电池提供通过无线电信号的接收所获得的电力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105366666A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510669920.7
申请日：2012-06-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01B31/04
CPC classification number: H01M4/625 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/192 , Y10T428/249921 , C01P2004/03 , C01P2004/04
Abstract: 本发明的一个方式提供一种在垂直于平面的方向上离子能够移动的石墨烯。本发明的一个方式是一种多层石墨烯，该多层石墨烯包括重叠为层状的多个石墨烯。该多个石墨烯包括：由碳原子构成的六元环；由碳原子或由碳原子及氧原子构成的七元环以上的多元环；与构成该六元环或七元环以上的多元环的碳原子键合的氧原子。多个石墨烯之间的层间距离大于0.34nm且在0.5nm以下，优选为0.38nm以上且0.42nm以下。
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公开(公告)号：CN103797620A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280044740.4
申请日：2012-09-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M4/133 , B82Y30/00 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/625 , H01M10/0525 , H01M10/465 , Y02E60/122 , Y02T10/7011
Abstract: 提供一种蓄电装置,具有大的充/放电容量和较低的由于充/放电所导致的电池特性的劣化，并能够进行急速充/放电。一种蓄电装置包括负电极。该负电极包括集电体及设置在集电体上的活性物质层，活性物质层包括从集电体突出的多个突起及设置在该多个突起上的石墨烯。多个突起的轴朝向同一方向。另外，在集电体和多个突起之间也具有共同部。
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公开(公告)号：CN101740583B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN200910212199.3
申请日：2009-11-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L21/84 , H01L21/34 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/78648
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。随着显示器件具有较高的清晰度，像素、栅极线和信号线的数量都增加。当栅极线和信号线的数量增加时，存在难以通过结合等安装包括驱动栅极线和信号线的驱动电路的IC芯片，从而使制造成本增大的问题。将像素部分和驱动像素部分的驱动电路设置在相同衬底上，使驱动电路的至少一部分包括使用插在设置在氧化物半导体上方和下方的栅电极之间的氧化物半导体的薄膜晶体管。因此，当将像素部分和驱动电路设置在相同衬底上时，可以降低制造成本。
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公开(公告)号：CN102969529A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210312716.6
申请日：2012-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/134 , H01G9/042
CPC classification number: H01M4/134 , H01G11/06 , H01G11/30 , H01G11/50 , H01M10/0525 , H01M2220/20 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02T10/7011 , Y02T10/7022 , Y10T428/23943
Abstract: 本发明提供一种在将硅用于负极活性物质时能够提高放电容量等蓄电装置的性能的蓄电装置及其制造方法。本发明提供一种蓄电装置，包括：集电体；以及集电体上的用作活性物质层的硅层，其中，硅层包括：与集电体接触的薄膜状部分；多个根块；以及从多个根块的每一个延伸出的多个须状突起物，并且，从多个根块中的一个根块延伸出的须状突起物的一部分与从多个根块中的其他根块延伸出的须状突起物的一部分结合。
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公开(公告)号：CN102810672A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210179710.6
申请日：2012-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/62 , H01M4/134 , H01M10/0525 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/364 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M10/0525 , Y10T29/43 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供蓄电装置及其制造方法。本发明的一个方式提供一种起因于伴随充放电的硅的体积变化的电池特性的劣化得到抑制的锂离子二次电池。负极包含粒子状或晶须状的硅，该硅粒子或硅晶须的表面被由通过使氧化石墨烯还原而形成的1层至50层的石墨烯构成的碳膜覆盖。至于碳膜，因为分子间键合力强的sp2键与硅表面大致平行，所以在硅膨胀时碳膜也不会破裂，而可以防止硅的破碎。另外，由此形成的碳膜具有适当的间隙，在硅膨胀时能够伸缩，并且该间隙可以透过锂离子。另外，碳膜还有防止硅与电解液起反应的效果。
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