-
公开(公告)号：CN102089282A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980127067.9
申请日：2009-07-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H05B33/14
CPC classification number: C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5012
Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种赋予高蓝色纯度且带隙宽的咔唑衍生物。另外，本发明的目的之一在于提供一种使用该咔唑衍生物的高可靠性发光元件、发光装置以及电子设备。本发明提供一种通式(1)所示的咔唑衍生物、通式(P1)所示的咔唑衍生物、通式(M1)所示的咔唑衍生物。另外，本发明提供一种使用上述通式(1)、通式(P1)或通式(M1)所示的咔唑衍生物而形成的发光元件、发光装置、电子设备。
-
公开(公告)号：CN102026957A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980118355.8
申请日：2009-04-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C211/54 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/006 , C07C211/54 , C07C2601/14 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , H01L27/3209 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0085 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5048 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5278 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明提供由下面的通式(G1)表示的三芳基胺衍生物。在式中，Ar表示取代或无取代的苯基及取代或无取代的联苯基中的任一种，α表示取代或无取代的萘基，并且β表示氢及取代或无取代的萘基中的任一种。此外，n和m分别独立表示1或2，并且R1至R8分别独立表示氢、碳原子数为1至6的烷基及苯基中的任一种。
-
公开(公告)号：CN101789495A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010004670.2
申请日：2010-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L27/3246 , H01L27/3281 , H01L51/0059 , H01L51/0072 , H01L51/5036 , H01L51/5056 , H01L2251/552
Abstract: 本发明的目的在于提供一种使用寿命提高了的发光元件。该发光元件包括形成在第一电极上的第一发光层、与第一发光层接触地形成在第一发光层上的第二发光层、形成在第二发光层上的第二电极，其中，第一发光层包括第一发光物质及空穴传输性的有机化合物，并且第二发光层包括第二发光物质及电子传输性的有机化合物。选择物质，以便第一和第二发光物质的最低空分子轨道能级与电子传输性的有机化合物的最低空分子轨道能级之差各自是0.2eV以下，并且，空穴传输性的有机化合物的最高占有分子轨道能级与第一和第二发光物质的最高占有分子轨道能级之差各自是0.2eV以下，并且空穴传输性的有机化合物的最低空分子轨道能级和第一发光物质的最低空分子轨道能级之差大于0.3eV。
-
公开(公告)号：CN1925140B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610128855.8
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1244 , H01L27/1266 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/78603
Abstract: 本发明的目的是高产率地制造半导体器件，在所述半导体器件内，在柔性基底上提供具有含有机化合物的层的元件。制造半导体器件的方法包括：在基底上形成分离层；通过在分离层上形成无机化合物层、第一导电层，和含有机化合物的层，并形成与含有机化合物的层和无机化合物层接触的第二导电层，从而产生形成元件的层；和在将第一柔性基底固定在第二导电层上之后，在分离层处将分离层与形成元件的层分离。
-
公开(公告)号：CN101627487A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200880005357.1
申请日：2008-02-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50 , C07D241/42 , C09K11/06
CPC classification number: C09K11/06 , C07D241/42 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1044 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5048 , H01L2251/552 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供具有长寿命的发光元件，以及具有长寿命的发光器件和电子器件。所述发光元件包括在第一电极和第二电极之间的第一层和第二层，第二层包含发光物质。第一层包含第一有机化合物和第二有机化合物，第一层在第二层和第二电极之间形成，第一层中第一有机化合物的含量大于第二有机化合物，第一有机化合物是具有电子传输性质的有机化合物，第二有机化合物是具有电子捕集性质的有机化合物，第二有机化合物的能隙大于发光物质的能隙；施加电压使得第一电极的电势高于第二电极的电势，因此发光层发射光。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101432259A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015024.2
申请日：2007-04-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C211/57 , C07D209/88 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/006 , C07C211/61 , C07C2603/24 , C07D209/86 , C07D209/88 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L2251/552 , H01L2251/558 , H05B33/14
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种新蒽衍生物。本发明的另一个目的是提供具有高发光效率的发光元件。本发明的另一个目的是提供具有长使用寿命的发光元件。本发明的另一个目的是通过使用本发明的发光元件提供具有长使用寿命的发光器件和电子设备。本发明提供通式(1)表示的蒽衍生物。通式(1)表示的蒽衍生物提供高发光效率的能力使得可以制得具有高发光效率和长使用寿命的发光元件。
-
公开(公告)号：CN101101974A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710127178.2
申请日：2007-07-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5096 , H01L51/506 , H01L51/5076 , H01L2251/552 , H01L2251/558
Abstract: 发光元件包括：发光层和在第一电极和第二电极之间的控制载流子移动的层。所述控制载流子移动的层包含第一有机化合物和第二有机化合物，并且提供在所述发光层和第二电极之间。所述第一有机化合物具有电子迁移性能，第二有机化合物具有电子俘获性能。第一有机化合物的重量百分率高于第二有机化合物的重量百分率。当按第一电极的电势高于第二电极的电势的方式施加电压时，所述发光层发光。具有电子迁移性能的第一有机化合物可以被具有空穴迁移性能的有机化合物替代，具有电子俘获性能的第二有机化合物可以被具有空穴俘获性能的有机化合物替代。
-
公开(公告)号：CN101006754A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200580028198.3
申请日：2005-08-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/14 , H01L51/00 , C09K11/06 , H01L21/28 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L33/00
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L51/56
Abstract: 本发明的目的是提供一种可以很容易通过湿方法制造的电子器件。根据本发明的一种电子器件具有第一层和第二层。第一层包含具有共轭双键的第一化合物。在此，第一化合物优选具有100到1000的分子量。第二层包含具有环状结构的第二化合物，该环状结构通过第一化合物的两个分子之间的加成反应形成。在此，作为电子器件，可以给出发光元件或诸如晶体管的元件。
-
公开(公告)号：CN1925187A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610129024.2
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L27/3281 , H01L51/0021 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于以高成品率地制作半导体器件，该半导体器件在挠性基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。本发明是一种半导体器件的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成剥离层；在剥离层上形成无机化合物层、第一导电层、以及含有有机化合物的层，并且形成与含有有机化合物的层以及无机化合物层接触的第二导电层，以形成元件形成层；以及在第二导电层上贴合具有挠性的第一基板，然后剥离剥离层和元件形成层。
-
公开(公告)号：CN119371385A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411499335.2
申请日：2018-07-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D307/77
Abstract: 提供一种新颖的有机化合物。另外，提供一种具有空穴传输性的新颖的有机化合物。另外，提供一种10‑碘苯并[b]萘并[2,1‑d]呋喃的合成方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
239
records
(took 0.065 seconds)
