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公开(公告)号：CN119014145A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380027639.6
申请日：2023-03-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K71/20 , G09F9/00 , G09F9/30 , H10K59/122 , H10K59/35
Abstract: 提供一种高清晰化的显示装置。形成覆盖像素电极的端部的第一绝缘层，形成与第一绝缘层的一部分及第一像素电极重叠的第一层，并使第一绝缘层的其他一部分及第二像素电极露出，形成与第一绝缘层的其他一部分及第二像素电极重叠的第二层，形成覆盖第一绝缘层的第二绝缘层，在第二绝缘层上形成与第一绝缘层重叠的树脂层，以覆盖第一膜、第二膜及树脂层的方式形成公共电极。并且，第一膜包含发射第一光的第一发光材料，第二膜包含发射与第一光不同颜色的第二光的第二发光材料。
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公开(公告)号：CN118891737A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380028618.6
申请日：2023-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/417 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10B99/00
Abstract: 提供一种能够微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括金属氧化物、金属氧化物上的第一导电体及第二导电体、第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、在第一导电体与第二导电体之间且在金属氧化物上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体、在第三导电体上且与第三导电体电连接的第四导电体、第四导电体上的第四绝缘体、第四绝缘体上的第五绝缘体以及具有与第四导电体重叠的区域的第五导电体。金属氧化物具有与第一导电体重叠且在第一方向上延伸的第一区域。在第一区域中，金属氧化物的端部与第一导电体的端部对齐。第一方向平行于第五导电体延伸的方向。
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公开(公告)号：CN118872402A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380027107.2
申请日：2023-03-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L23/522 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H10B41/70
Abstract: 提供一种半导体装置，该半导体装置包括第一存储单元、第一存储单元上的第二存储单元、第一导电体及第一导电体上的第二导电体，第一存储单元及第二存储单元都包括晶体管、电容器及晶体管上的第一绝缘体，晶体管包括金属氧化物、金属氧化物上的第三导电体、第四导电体、第二绝缘体、第二绝缘体上的第五导电体、金属氧化物下的第三绝缘体及第三绝缘体下的第六导电体，电容器包括第七导电体、第七导电体上的第四绝缘体及第四绝缘体上的第八导电体。通过设置在第一绝缘体中的开口，第四导电体与第七导电体接触。第一导电体及第二导电体都包括与第三导电体接触的部分。第三导电体的一个侧端部与金属氧化物的一个侧端部大致对齐，第四导电体的一个侧端部与金属氧化物的另一个侧端部大致对齐。
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公开(公告)号：CN118749229A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202380019144.9
申请日：2023-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L23/522 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H10B41/70
Abstract: 本发明的一个方式提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，在绝缘表面上包括：第一晶体管；以及第二晶体管，其中，第一晶体管和第二晶体管共同使用金属氧化物和金属氧化物上的第一导电体，第一晶体管包括金属氧化物上的第二导电体及第一绝缘体以及第一绝缘体上的第三导电体，第二晶体管包括金属氧化物上的第四导电体及第二绝缘体以及第二绝缘体上的第五导电体，第一绝缘体位于第一导电体与第二导电体之间的区域，金属氧化物与第三导电体隔着第一绝缘体重叠，第二绝缘体位于第一导电体与第四导电体之间的区域，并且，金属氧化物与第五导电体隔着第二绝缘体重叠。
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公开(公告)号：CN118613922A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202380018983.9
申请日：2023-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10B99/00
Abstract: 提供一种可进行微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置，包括：第一导电体、第二导电体、第一绝缘体、第一绝缘体上的第一晶体管、第一晶体管上的第二绝缘体。第一晶体管包括第一金属氧化物、分别与第一金属氧化物电连接的第三导电体及第四导电体、第一金属氧化物上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第五导电体。第五导电体的顶面包括与第二绝缘体接触的区域。第一导电体包括位于第一绝缘体的开口的内侧的部分、与第三导电体的侧面接触的区域、位于第二绝缘体的开口的内侧的部分。第二导电体包括与第四导电体的顶面接触的区域、位于第二绝缘体的开口的内侧的部分。第一导电体的顶面高度与第二导电体的顶面高度一致或大致一致。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118120338A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202280064186.X
申请日：2022-09-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/10 , G09F9/00 , G09F9/30 , H05B33/06 , H05B33/12 , H05B33/14 , H05B33/22 , H05B33/26 , H05B33/28 , H10K50/00 , H10K50/15 , H10K50/16 , H10K59/00
Abstract: 本发明的一个方式提供一种能够以高亮度进行显示的显示装置。在第一像素电极上以岛状形成包含发射蓝色光的第一发光材料的第一层后，在第二像素电极上以岛状形成包含发射比蓝色更长波长的光的第二发光材料的第二层。然后，形成与被第一像素电极和第二像素电极夹持的区域重叠的绝缘层，以覆盖第一层、第二层及绝缘层的方式形成公共电极。
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公开(公告)号：CN117769900A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202280054251.0
申请日：2022-08-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K71/00 , H10K59/131 , H10K59/124
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。该显示装置包括如下制造步骤：在第一像素电极上形成第一膜；在第一膜及第一导电层上形成第一掩模膜；加工第一膜及第一掩模膜而在第一像素电极上形成第一层及第一掩模层且在第一导电层上形成第二掩模层；在第一掩模层及第二掩模层上形成第一绝缘膜；使用感光性树脂组成物在第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；去除第二绝缘膜中的与第二掩模层重叠的部分和与第一掩模层重叠的部分；进行加热处理，然后去除第一掩模层的一部分而使第一层的顶面露出；以及以覆盖第一层、第一导电层及第二绝缘层的方式形成公共电极。
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公开(公告)号：CN117730625A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202280052825.0
申请日：2022-07-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。显示装置包括依次具有像素电极、发光层、功能层、公共层及公共电极的多个发光器件，且包括位于彼此相邻的发光层的侧面之间的绝缘层。发光层及功能层在各发光器件中设置为岛状，多个发光器件公用公共层。公共层及公共电极以覆盖该绝缘层的方式设置。在剖视时，该绝缘层的端部具有锥角大于0度且小于90度的锥形形状。多个发光器件各自包含发射蓝色光的第一发光材料和发射比蓝色长的波长的光的第二发光材料。以与多个发光器件的每一个重叠的方式设置有着色层。
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公开(公告)号：CN117561795A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202280045098.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。该显示装置包括具有第一像素电极、第一层以及公共电极的第一发光器件、具有第二像素电极、第二层以及该公共电极的第二发光器件、第一着色层、使与第一着色层不同的颜色的光透过的第二着色层、第一绝缘层以及第二绝缘层，第一层和第二层都包含发射蓝色光的第一发光材料及发射比蓝色长的波长的光的第二发光材料且彼此分离，第一绝缘层覆盖第一层的顶面的一部分及侧面、第二层的顶面的一部分及侧面，第二绝缘层隔着第一绝缘层与第一层的顶面的一部分及侧面、第二层的顶面的一部分及侧面重叠，公共电极覆盖第二绝缘层，并且当从截面看时，第二绝缘层的端部呈锥形角度小于90°的锥形形状。
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公开(公告)号：CN117178632A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280029100.X
申请日：2022-04-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/26
Abstract: 提供一种显示质量高的显示装置。该显示装置包括第一像素以及与第一像素相邻地配置的第二像素，第一像素包括第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层以及第一EL层上的公共电极，第二像素包括第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层以及第二EL层上的公共电极，第一像素电极及第二像素电极各自的侧面具有锥形形状，锥形形状的锥角小于90°，显示装置具有第一像素电极和第二像素电极之间的距离为1μm以下的区域。
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