公开(公告)号：CN101101872B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200710127144.3

申请日：2007-07-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小路博信 ,  川俣郁子

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 显示装置的制造方法；当形成导电层时，在要形成的图形的外侧(相当于图形的轮廓、端部)附着液态的包含导电性材料的组合物，以形成框状的第一导电层(或绝缘层)。附着液态的第二包含导电性材料的组合物，以填充框状的第一导电层的内侧空间，从而形成第二导电层。第一导电层及第二导电层接合而形成，并且形成第一导电层以包围第二导电层的周围，所以可以将第一导电层及第二导电层可以用作连续的一个导电层。

公开(公告)号：CN1734736B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200510091030.9

申请日：2005-08-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  前川慎志 ,  本田达也 ,  小路博信 ,  中村理 ,  铃木幸惠 ,  川俣郁子

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1277 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供不易发生阈值偏离、具有能够高速运转的逆交错型TFT的半导体器件的制作方法。另外，还提供以减少原料来削减成本、且成品率高的半导体器件的制作方法。本发明用耐热性高的材料形成栅电极后，形成非晶半导体膜，在该非晶半导体膜上掺杂催化剂元素并加热形成结晶性半导体膜，在该结晶性半导体膜上形成具有施主型元素或稀有气体元素的层，并加热，将催化剂元素从结晶性半导体膜中除去后，用该结晶性半导体膜的一部分形成半导体区域，形成与该半导体区域通电的源电极和漏极电极，且形成与栅电极连接的栅布线，形成逆交错型的TFT，从而制成半导体器件。

公开(公告)号：CN101677111A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200910205017.X

申请日：2006-01-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  森末将文 ,  川俣郁子

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/088 ,  H01L27/04 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L51/0022 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电子器具以及制造半导体装置的方法，其目的在于提供提高材料的使用效率且简化制造步骤的半导体装置、显示装置以及其制造技术。此外，另一个目的在于提供将构成这些半导体装置、显示装置的布线等的图形以高控制性形成为所希望的形状的技术。在喷射由包含导电性材料的组合物构成的多个液滴的第一喷射步骤中，将第一液滴喷射为其中心位置位于第一线上，在喷射多个液滴的第二喷射步骤中，将第二液滴向第一液滴之间喷射并使其中心位置位于平行于第一线的第二线上，来形成具有连续波状形状的侧端部分的导电层。

公开(公告)号：CN101378082A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810212476.6

申请日：2008-08-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林聪 ,  川俣郁子 ,  大力浩二 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。

公开(公告)号：CN101167189A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200680014616.8

申请日：2006-04-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 汤川干央 ,  大泽信晴 ,  浅见良信 ,  川俣郁子 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/28 ,  H01L27/10 ,  H01L51/05

CPC classification number: G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/13 ,  H01L27/285

Abstract: 本发明的目的是提供一种可以低成本、高产量地制造高性能、高可靠性的半导体器件的技术。根据本发明的存储器件包括：含多个绝缘体的第一导电层；有机化合物层，该层位于上述含绝缘体的第一导电层之上；以及第二导电层，该层位于有机化合物层之上。

公开(公告)号：CN101064321A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710102490.6

申请日：2007-04-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 川俣郁子 ,  荒井康行

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L21/76 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/11531 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/04

Abstract: 提供一种高度可靠的半导体器件及该半导体器件的制造方法，其中可防止诸如栅电极层与半导体层之间的短路以及漏电流之类的或者由于半导体层对绝缘层的覆盖缺陷而导致的缺陷。为了在绝缘表面上形成多个半导体元件，不将半导体层分为多个岛形半导体层，相反，在一层半导体层中形成使用作半导体元件的多个元件区电绝缘的元件隔离区，即，具有高电阻的第一元件隔离区和与元件区接触并具有与元件区的源和漏区的导电类型相反的导电类型的第二元件隔离区。