-
公开(公告)号：CN104106134B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201180076358.7
申请日：2011-12-08
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H05K1/0306 , H01L23/15 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/49822 , H01L23/49833 , H01L25/072 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15192 , H01L2924/30107 , H01L2924/3512 , H05K1/0231 , H05K1/0263 , H05K1/162 , H05K3/22 , H05K2201/0195 , H05K2203/1126 , Y10T29/49124 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在具有由主要含有陶瓷的电介质层构成的基材和埋设在基板内部的内层电极的基板中，前述基材含有由第1电介体构成的至少1层的第1电介质层和由含有8质量％以上的玻璃网格形成体成分的第2电介体构成的至少1层的第2电介质层，在前述内层电极所具有的、与前述基板的主面大致平行的2个主面中的至少一个主面上，前述内层电极与前述第2电介质层相接触，前述基板的主面的法线方向上的、与前述内层电极相接触的前述第2电介质层的合计厚度t相对于前述基板的主面的法线方向上的前述第1电介质层的合计厚度T的比率t/T为0.1以上。通过这样的构成，能够不在前述基材上产生龟裂而同时烧成前述基材和前述内层电极。
-
公开(公告)号：CN103210524A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180054938.6
申请日：2011-11-01
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/131 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/621 , H01M4/623 , H01M10/0585 , Y02E60/122
Abstract: 本发明涉及一种锂二次电池的正极，其目的在于提供一种能够进一步提高锂二次电池的特性的正极的构成。本发明的正极包括：导电性的正极集电体；正极活性物质构成的多个板状粒子，混入比所述板状粒子小的由所述正极活性物质构成的微粒子的粘合材料。板状粒子形成为高宽比为4～50。板状粒子配置为覆盖正极集电体的表面的85～98%。粘合材料介于相邻的板状粒子之间而设置。
-
公开(公告)号：CN103210523A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180052241.5
申请日：2011-11-01
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/131 , H01M4/366 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/621 , H01M10/0585
Abstract: 本发明涉及一种锂二次电池的正极，其目的在于进一步提高锂二次电池的特性，提供一种正极的构成。本发明的正极包括：为板状的正极活性物质的第一层；包含所述正极活性物质的粒子和粘合剂的、与所述第一层以层叠状态接合的第二层。
-
公开(公告)号：CN102171867A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200980139616.4
申请日：2009-12-22
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C01G53/42 , C01P2002/52 , C01P2002/74 , C01P2004/20 , C01P2004/54 , C01P2004/62 , H01M4/0471 , H01M4/131 , H01M4/525 , H01M10/0525 , H01M2004/021
Abstract: 本发明提供一种容量、耐久性及速率特性较传统得以提升的锂二次电池。锂二次电池的正极活性物质用的板状粒子或膜由通式Lip(Nix，Coy，Alz)O2(上述通式中，0.9≤p≤1.3，0.6＜x≤0.9，0.1＜y≤0.3，0≤z≤0.2，x+y+z＝1)表示，所述正极活性物质用的板状粒子或膜具有层状岩盐结构，(003)晶面取向为与板面交叉。
-
公开(公告)号：CN101084587A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200580043857.0
申请日：2005-12-22
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L41/098
Abstract: 一种膜片结构体(1)，具备形成至少一个开口部(2)的陶瓷基体(3)以及为向开口部(2)的相反一侧突出的凸形状并以覆盖开口部(2)的方式与陶瓷基体(3)烧结成一体而配置的由陶瓷所构成的较薄的膜片部(4)。开口部(2)的开口形状是其长度方向的至少一个前端部(5)为曲线形状且具有开口宽度向前端部(5)逐渐变窄的由曲线或直线构成的锥形部(6)的形状，膜片部(4)的与锥形部(6)对应的部分的形状是突出高度朝向前端部(5)逐渐降低的形状。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1898763A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200580000711.8
申请日：2005-01-17
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01J1/312
CPC classification number: H01J1/312 , B82Y10/00 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2201/3125
Abstract: 电子发射元件(10A)具有由电介质构成的发射极部(12)、施加用于电子发射的驱动电压(Va)的上部电极(14)以及下部电极(16)，上部电极(14)形成在发射极部(12)的上表面上，下部电极(16)形成在发射极部(12)的下表面上，上部电极(14)具有露出发射极部(12)的多个贯通部(20)，上部电极(14)中贯通部(20)的周部(26)的与发射极部(12)相对的面与发射极部(12)分离开。
-
公开(公告)号：CN115057711B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210702305.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/645 , C04B35/111 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种平坦片材，其中，用厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜夹持所述平坦片材后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，所述平坦片材的与所述不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。
-
公开(公告)号：CN108025979B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201680050570.9
申请日：2016-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/111
Abstract: 作为本发明的一个实施方式的外延生长用取向氧化铝基板，其构成表面的晶体粒子的倾斜角为1°以上3°以下，平均烧结粒径为20μm以上。这里，倾斜角是指X射线摆动曲线半高宽(XRC·FWHM)。平均烧结粒径是指：对取向氧化铝基板的板面进行热蚀刻之后使用由扫描电子显微镜拍摄到的图像进行测定所得的值。与以往相比，利用该外延生长用取向氧化铝基板制作的半导体器件的特性有所提高。
-
公开(公告)号：CN108305923B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201810324504.7
申请日：2015-03-23
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件，由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成。该自立基板的基板表面的利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为1～10°。此外，本发明的发光元件包括所述自立基板和形成于基板上的发光功能层，该发光功能层具有一层以上的在大致法线方向具有单晶结构的由多个半导体单晶粒子构成的层。根据本发明，可以提供能够降低基板表面的缺陷密度的多晶氮化镓自立基板。此外，使用本发明的多晶氮化镓自立基板也可以提供能够获得高发光效率的发光元件。
-
公开(公告)号：CN107074573A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580047885.3
申请日：2015-11-20
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C01F7/02 , C04B35/626
CPC classification number: C01F7/30 , C01F7/441 , C01F7/442 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/22 , C01P2004/50 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/80 , C04B35/111 , C04B35/626 , C04B35/62645 , C04B2235/5292 , C04B2235/5296 , C04B2235/72 , C30B1/02 , C30B29/20 , C30B29/64
Abstract: 将γ－氧化铝粉末96质量份、AlF3粉末4质量份、作为晶种的α－氧化铝粉末0.17质量份用罐磨机进行混合。对使用的各原料的纯度进行评价，结果，Al、O、F、H、C、S以外的各元素的质量比例为10ppm以下。将得到的混合粉末300g放入纯度99.9质量％的高纯度氧化铝制的匣钵中，盖上纯度99.9质量％的高纯度氧化铝制的盖子，在电炉内，空气流中于900℃进行3小时的热处理，得到板状氧化铝粉末。AlF3质量除以匣钵的体积而得到的值(AlF3质量/容器体积)为0.016g/cm3。得到的板状氧化铝粒子为纵横尺寸比11.5的α－氧化铝粒子。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
84
records
(took 0.034 seconds)
