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公开(公告)号：CN105229778A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480025003.9
申请日：2014-05-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L29/1029 , H01L29/1033 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供一种13族氮化物复合基板以及使用它制作的半导体元件，上述13族氮化物复合基板能够实现即使使用导电性的GaN基板、也适合高频用途的半导体元件。13族氮化物复合基板包括：基材，由GaN形成、呈n型导电性，基底层，形成在基材上、是电阻率为1×106Ωcm以上的13族氮化物层，沟道层，形成在基底层上、是杂质浓度的总和为1×1017/cm3以下的GaN层，势垒层，形成在沟道层上、由组成为AlxInyGa1－x－yN(0≤x≤1、0≤y≤1)的13族氮化物形成。
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公开(公告)号：CN105393336B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201480034478.4
申请日：2014-07-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/208 , C30B9/12 , C30B29/38 , H01L21/20
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/12 , C30B19/12 , C30B25/18 , C30B25/186 , C30B29/38 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02658 , H01L21/20 , H01L21/208 , H01L33/007
Abstract: 一种复合基板，具备：多晶陶瓷基板，直接接合于多晶陶瓷基板的硅基板，通过气相法设置在硅基板上的包含13族元素氮化物的晶种膜，以及通过助熔剂法在该晶种膜上结晶生长而成的氮化镓结晶层。
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公开(公告)号：CN108305923B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201810324504.7
申请日：2015-03-23
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件，由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成。该自立基板的基板表面的利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为1～10°。此外，本发明的发光元件包括所述自立基板和形成于基板上的发光功能层，该发光功能层具有一层以上的在大致法线方向具有单晶结构的由多个半导体单晶粒子构成的层。根据本发明，可以提供能够降低基板表面的缺陷密度的多晶氮化镓自立基板。此外，使用本发明的多晶氮化镓自立基板也可以提供能够获得高发光效率的发光元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105229778B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201480025003.9
申请日：2014-05-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L29/1029 , H01L29/1033 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供一种13族氮化物复合基板以及使用它制作的半导体元件，上述13族氮化物复合基板能够实现即使使用导电性的GaN基板、也适合高频用途的半导体元件。13族氮化物复合基板包括：基材，由GaN形成、呈n型导电性，基底层，形成在基材上、是电阻率为1×106Ωcm以上的13族氮化物层，沟道层，形成在基底层上、是杂质浓度的总和为1×1017/cm3以下的GaN层，势垒层，形成在沟道层上、由组成为AlxInyGa1－x－yN(0≤x≤1、0≤y≤1)的13族氮化物形成。
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公开(公告)号：CN105556685B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201580001916.1
申请日：2015-03-23
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , C30B9/12 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/18 , C30B28/04 , C30B29/38 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成的多晶氮化镓自立基板。该自立基板的基板表面的利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为1～10°。此外，本发明的发光元件包括所述自立基板和形成于基板上的发光功能层，该发光功能层具有一层以上的在大致法线方向具有单晶结构的由多个半导体单晶粒子构成的层。根据本发明，可以提供能够降低基板表面的缺陷密度的多晶氮化镓自立基板。此外，使用本发明的多晶氮化镓自立基板也可以提供能够获得高发光效率的发光元件。
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公开(公告)号：CN108305923A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810324504.7
申请日：2015-03-23
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件，由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成。该自立基板的基板表面的利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为1～10°。此外，本发明的发光元件包括所述自立基板和形成于基板上的发光功能层，该发光功能层具有一层以上的在大致法线方向具有单晶结构的由多个半导体单晶粒子构成的层。根据本发明，可以提供能够降低基板表面的缺陷密度的多晶氮化镓自立基板。此外，使用本发明的多晶氮化镓自立基板也可以提供能够获得高发光效率的发光元件。
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公开(公告)号：CN105556685A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201580001916.1
申请日：2015-03-23
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , C30B9/12 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B25/18 , C30B28/04 , C30B29/38 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成的多晶氮化镓自立基板。该自立基板的基板表面的利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为1～10°。此外，本发明的发光元件包括所述自立基板和形成于基板上的发光功能层，该发光功能层具有一层以上的在大致法线方向具有单晶结构的由多个半导体单晶粒子构成的层。根据本发明，可以提供能够降低基板表面的缺陷密度的多晶氮化镓自立基板。此外，使用本发明的多晶氮化镓自立基板也可以提供能够获得高发光效率的发光元件。
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公开(公告)号：CN105393336A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480034478.4
申请日：2014-07-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/208 , C30B9/12 , C30B29/38 , H01L21/20
CPC classification number: C30B19/02 , C30B9/12 , C30B19/12 , C30B25/18 , C30B25/186 , C30B29/38 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02658 , H01L21/20 , H01L21/208 , H01L33/007
Abstract: 一种复合基板，具备：多晶陶瓷基板，直接接合于多晶陶瓷基板的硅基板，通过气相法设置在硅基板上的包含13族元素氮化物的晶种膜，以及通过助熔剂法在该晶种膜上结晶生长而成的氮化镓结晶层。
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