公开(公告)号：CN109073978A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780026762.0

申请日：2017-04-21

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 大桥智也 ,  绪方裕斗 ,  桥本雄人 ,  臼井友辉 ,  境田康志 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明的课题是提供对碱性过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。作为解决手段是一种对碱性过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：1分子中具有2个以上选自缩水甘油基、末端环氧基、环氧环戊基、环氧环己基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基、异氰酸酯基和封闭异氰酸酯基中的至少1种基团的交联剂，侧链或末端具有下述式(1)所示的基团且重均分子量为800以上的化合物，以及有机溶剂。(式中，X1表示与上述交联剂反应的取代基，R0表示直接结合或碳原子数1或2的亚烷基，X2表示碳原子数1或2的烷基、碳原子数1或2的烷氧基、或氟基，a表示0～2的整数，b表示1～3的整数，c表示0～4的整数，b与c满足1≤(b+c)≤5的关系式。)。

公开(公告)号：CN118633058A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202380018297.1

申请日：2023-01-24

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 广原知忠 ,  绪方裕斗

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供可形成期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物制造抗蚀剂图案的方法、半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含有机溶剂和聚合物，所述聚合物在末端具有可被包含杂原子的基团中断、可被取代基取代的非环状脂肪族烃基。

公开(公告)号：CN112236720B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN201980034895.1

申请日：2019-05-21

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  绪方裕斗 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/02 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓的高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。制作一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物(A)与碳原子数3～60的含氧化合物(B)所具有的碳氧间双键的反应生成物、以及溶剂，上述含氧化合物(B)在一分子中具有1个部分结构：‑CON＜或‑COO‑，上述反应生成物中，上述含氧化合物(B)的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物(A)。

公开(公告)号：CN118202304A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280073359.4

申请日：2022-11-09

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  加藤祐希 ,  田村护

IPC: G03F7/11 ,  C08F20/54

Abstract: 一种EB或EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有聚合物和溶剂，上述聚合物包含下述式(1)所示的重复单元。(在式(1)中，R1表示碳原子数1～20的1价有机基。R2表示氢原子或碳原子数1～6的烷基。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN117120573A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280024274.7

申请日：2022-03-01

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 福田拓也 ,  森谷俊介 ,  绪方裕斗

IPC: C09J183/07

Abstract: 本发明提供一种粘接剂组合物，该粘接剂组合物提供粘接层，该粘接层能够适当地临时粘接带凸块的半导体基板和支承基板，能抑制或缓和由加热等来自外部的负荷引起的凸块变形，表现高蚀刻速率。一种粘接剂组合物，包含粘接剂成分(S)，上述粘接剂成分(S)含有通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分(A)，上述聚有机硅氧烷成分(A)含有下述式(V)所示、重均分子量为60000以上的聚合物(V)。(n表示重复单元的数量，为正整数。)

公开(公告)号：CN117083569A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202280021213.5

申请日：2022-03-15

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  田村护

IPC: G03F7/11

Abstract: 提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：含有下述式(100)所示的结构的聚合物或化合物、和溶剂。(在式(100)中，Ar表示可以被取代的碳原子数6～40的芳香环基，L0表示单键、酯键、醚键、可以被取代的碳原子数1～10的亚烷基或可以被取代的碳原子数2～10的亚烯基，T0表示单键、酯键、醚键、可以被取代的碳原子数1～10的亚烷基或可以被取代的碳原子数2～10的亚烯基，其中，L0与T0不同，n个R0独立地表示羟基、卤原子、硝基、氰基、氨基、或1价有机基，n表示0～5的整数，＊表示与聚合物或化合物残基的结合部分。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN116997860A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280017934.9

申请日：2022-03-15

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  水落龙太 ,  广原知忠 ,  田村护

IPC: G03F7/11

Abstract: 本发明提供用于形成能形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物，和使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案的制造方法、半导体装置的制造方法。抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：下述式(100)所示的化合物(A)与包含至少2个与环氧基具有反应性的基团的化合物(B)的反应生成物，以及溶剂(式(100)中，Ar1与Ar2各自独立地表示可具有取代基的碳原子数6～40的芳香环，且Ar1和Ar2的至少1个为萘环，L1表示单键、可具有取代基的碳原子数1～10的亚烷基或可具有取代基的碳原子数2～10的亚烯基，T1和T2各自独立地表示单键、酯键或醚键，E表示环氧基)。#imgabs0#

公开(公告)号：CN115427891A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180026249.8

申请日：2021-03-18

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  广原知忠 ,  西卷裕和 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明的课题是提供对高低差基板也被覆良好、埋入后的膜厚差小、能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供成为该抗蚀剂下层膜形成用组合物的重要成分的聚合物、使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。解决手段是包含下述式(1)所示的化合物、和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。(式中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立地表示可以被取代的1价芳香族烃基，a、b、c、d各自为0或1，a+b+c+d＝1。)

公开(公告)号：CN115315789A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202180023491.X

申请日：2021-03-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  福田拓也 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  荻野浩司 ,  新城彻也

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/24

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，所述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，所述溶剂包含80质量％以上的式(L)所示的有机溶剂。(式中，L表示取代至苯环上的取代基，分别独立地表示碳原子数1～4的烷基，k表示L的数量，为0～5的整数。)

公开(公告)号：CN115315788A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202180023490.5

申请日：2021-03-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  福田拓也 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  荻野浩司 ,  新城彻也

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/26 ,  C11D7/34

Abstract: 一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L)所表示的有机溶剂。(式中，L1和L2分别独立地表示碳原子数2～4的烷基，L3表示O或S。)L1‑L3‑L2 (L)。