-
公开(公告)号：CN111492311B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201880081945.7
申请日：2018-12-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F8/14 , C08F24/00 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：分子内包含至少1个缩醛结构的化合物、或其聚合物；以及溶剂，其是在半导体制造中的光刻工艺中，用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异的保护膜的组合物，并提供应用了该保护膜的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法、和半导体装置的制造方法。
-
-
公开(公告)号：CN118742855A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380022676.8
申请日：2023-02-21
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/033 , C08F212/08 , C08F220/10 , C08F220/26 , C08F220/30 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种能够形成保护膜的材料，所述保护膜在半导体装置的制造中具有为了保护半导体制造用基板的端部所需要的充分的耐蚀刻性。[解决手段]一种光固化性组合物，其包含自交联性聚合物及溶剂，所述自交联性聚合物包含第一单体单元及第二单体单元，所述第一单体单元在侧链中包含芳基酮残基，所述第二单体单元在侧链中包含脂肪族烃残基和/或芳香族环残基，所述脂肪族烃残基包含容易发生夺氢反应的碳原子；一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上形成抗蚀剂膜的工序；通过对抗蚀剂膜照射光或电子射线，然后进行显影而形成抗蚀剂图案的工序；和通过蚀刻而对半导体基板进行加工的工序，在所述半导体装置的制造方法中，还包括下述工序：在半导体制造用晶圆的正面端部以及任选地在晶圆的倒角部和/或背面端部形成由所述光固化性组合物制成的保护膜。
-
公开(公告)号：CN118318208A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202280078453.9
申请日：2022-10-07
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F20/28 , C08G59/02 , C07D251/34
Abstract: 提供一种组合物，是可以形成对碱性过氧化氢水、酸性过氧化氢水等半导体用湿蚀刻液的耐性优异的保护膜的保护膜形成用的组合物，其对抗蚀剂溶剂也显示优异的耐性，也可以作为抗蚀剂下层膜形成用的组合物有效地使用。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含(A)下述式(A)所示的化合物、和(B)溶剂。(在式(A)中，n表示1～10的整数，在n为2的情况下，X表示亚磺酰基、磺酰基、醚基、或碳原子数2～50的2价有机基，在n为除2以外的整数的情况下，X表示碳原子数2～50的n价有机基。Y表示‑CH2CH(OH)CH2OC(＝O)CH2(CH2)t‑、‑CH2CH(OH)CH2OC(＝O)C(CN)(＝CH)‑，t表示1～6的整数。)#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN118160066A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280072282.9
申请日：2022-10-07
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02 , B32B7/023 , B32B7/025 , B32B27/00 , H01L21/304
Abstract: 一种层叠体，其具有：半导体基板、透光性的支承基板、以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层和剥离层，所述层叠体用于：在所述剥离层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支承基板分离，所述剥离层是由剥离剂组合物形成的层，所述剥离剂组合物含有分子量为2000以下的光吸收性化合物，在对所述光吸收性化合物测定出250nm～800nm的范围的吸收光谱时，所述吸收光谱在250nm～800nm的范围内在250nm～350nm之间具有吸光度最大的极大值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117940850A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280059504.3
申请日：2022-09-02
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 为了使用Ru等不是Cu的新的金属，通过减成法来制造半导体元件，提供形成可以作为用于将Ru等选自元素周期表第6族、7族、8族、和9族中的金属的膜进行干蚀刻的蚀刻掩模而适合使用的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其形成含有硅的抗蚀剂下层膜，上述含有硅的抗蚀剂下层膜用于在将包含选自元素周期表第6族、7族、8族、和9族中的至少1种金属的金属膜进行干蚀刻时作为蚀刻掩模而使用。
-
公开(公告)号：CN113383036B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202080012493.4
申请日：2020-02-13
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08K5/3435 , C08K5/372 , C08L101/02 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027 , C08G63/58
Abstract: 提供在半导体制造中的光刻工艺中使用的、保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含主链中包含二硫键的聚合物、自由基捕获剂、以及溶剂。上述自由基捕获剂优选为具有环结构或硫醚结构的化合物。上述环结构优选为碳原子数6～40的芳香环结构或2,2,6,6‑四甲基哌啶结构。
-
公开(公告)号：CN110546569B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201880027076.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供在曝光时作为防反射膜起作用，并且可以埋入狭窄空间和高长宽比的凹部，进一步相对于过氧化氢水溶液的耐性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、下述式(1a)或式(1b)所示的化合物、和溶剂，相对于上述树脂，含有0.01质量％～60质量％的上述式(1a)或式(1b)所示的化合物。(式中，X表示羰基或亚甲基，l和m各自独立地表示满足3≤l+m≤10的关系式的整数0～5，n表示整数2～5。)#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN111108441B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880061324.2
申请日：2018-09-19
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/14 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 含有具有下述式(1)所表示的结构单元的树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物提供了耐溶剂性、光学参数、干蚀刻速度、和埋入性这些特性都优异的抗蚀剂下层膜。式(1)中，R1表示可以夹着羧基的C1～6烷基、可以具有羟基取代基的C1～6烷基或可以具有C1～4烷硫基取代基的噻二唑基，R2表示氢原子或下述式(2)所示基团，式(2)中，R1的含义与上述相同，＊表示键合部分。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN110914309B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201880046103.8
申请日：2018-07-09
Applicant: 国立大学法人富山大学 , 日产化学株式会社
IPC: C07K17/08 , B01J20/24 , C08F220/34 , C08F220/36 , C08F220/40 , C12M1/00 , C12M3/00 , C12N1/02 , C07K11/00 , C12M1/34
Abstract: 本发明提供在表面的至少一部分被覆有包含下述式(1a)及式(1b)表示的结构单元的聚合物(P1)的带配体的基体及其原材料、以及其制造方法。式中，R1、R2、X、Y、L、Q1、Q2、Q3、m1、m2及n如权利要求书及说明书中记载。#imgabs0#
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
56
records
(took 0.036 seconds)
