公开(公告)号：CN101135849A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710146875.2

申请日：2007-08-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小泽美和 ,  野崎耕司 ,  并木崇久

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08G77/14 ,  C09D183/06 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  Y10T428/24802

Abstract: 本发明提供了一种材料，其包括：由通式(1)表示的具有至少一个碱溶性基团的含硅聚合物；和可以溶解所述含硅聚合物的有机溶剂，(SiO4/2)a(R1tSiO(4－t)/2)b(O1/2R2)c通式(1)其中R1代表单价有机基团，氢原子和羟基中的至少一个，R2代表单价有机基团和氢原子中的至少一个(其中R1和R2可以各自出现两次或以上，且R1和R2中至少一个含有碱溶性基团)，“t”代表1～3的整数，“a”、“b”和“c”代表其单元的相对比例(其中a≥0、b≥0、c≥0，且“a”、“b”和“c”不同时为0)，且(R1tSiO(4－t)/2)b可以出现两次或以上。

公开(公告)号：CN101126895A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710008179.5

申请日：2007-01-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野崎耕司 ,  小泽美和

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40

Abstract: 本发明提供一种抗蚀图案形成工艺，其在图案化步骤中甚至能采用ArF准分子激光作曝光光源，能够增厚抗蚀图案(例如孔图案)而与其尺寸无关，并能高度精确地减小抗蚀空间图案的尺寸，同时避免改变抗蚀图案的形状，由此使这种工艺简单、廉价和有效，同时突破曝光设备的光源的曝光(分辨率)极限。本发明的抗蚀图案形成工艺包括：形成抗蚀图案；在抗蚀图案表面涂覆抗蚀图案增厚材料；加热抗蚀图案增厚材料以增厚抗蚀图案，随后显影；和加热已增厚的抗蚀图案。

公开(公告)号：CN101042531A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200610107443.6

申请日：2006-07-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野崎耕司 ,  小泽美和

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114

Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂组合物，该抗蚀剂组合物能够通过抗蚀剂图案增厚材料使抗蚀剂图案均匀地增厚，而与抗蚀剂图案的方向、间隔变化以及抗蚀剂图案增厚材料的成分无关；并且能够以低成本、容易并有效地形成精细的抗蚀剂空间图案，突破曝光设备的光源的曝光极限。该抗蚀剂组合物包含脂环化合物(熔点：90℃－150℃)和树脂。制造半导体器件的方法包括如下步骤：使用抗蚀剂组合物在待处理的工件表面上形成抗蚀剂图案，并在该工件表面上涂覆抗蚀剂图案增厚材料，使其覆盖该抗蚀剂图案的表面，由此使该抗蚀剂图案增厚；以及通过使用增厚的抗蚀剂图案作为掩模蚀刻该工件表面而对该工件表面进行图案化。

公开(公告)号：CN1975571A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610067649.0

申请日：2006-03-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小泽美和 ,  野崎耕司

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/76816

Abstract: 本发明提供一种能使用ArF受激准分子激光的抗蚀图增厚材料；当将其涂覆在具有线图形或其它图形的抗蚀图诸如ArF抗蚀图上时，能够增厚抗蚀图而不管抗蚀图尺寸大小如何；其具有优秀的抗蚀性，并且适用于形成超出曝光极限的精细的空间图形或其它图形。本发明还提供一种适当利用本发明的抗蚀图增厚材料的抗蚀图形成工艺和制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN1261977C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200310118674.3

申请日：2003-11-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小泽美和 ,  野崎耕司

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/32139 ,  G03F7/40 ,  G11B5/17 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3163 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11543

Abstract: 为了增厚待增厚的抗蚀剂图案，从而容易地形成超过传统曝光装置光源曝光极限的精细图案，通过对底层对象上抗蚀剂图案化；在待增厚的抗蚀剂图案上应用至少包含一种表面活性剂的表面活性剂合成物；以及在其上面应用至少包含树脂和一种表面活性剂的抗蚀剂图案增厚材料，一种工艺形成了待增厚抗蚀剂图案。因此，增厚了待增厚的抗蚀剂图案而形成了具有狭窄间距的精细抗蚀剂图案。

公开(公告)号：CN1477447A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03149913.9

申请日：2003-07-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小泽美和 ,  野崎耕司 ,  並木崇久 ,  今纯一

IPC: G03F7/038 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/11526 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  G11B5/17 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3163 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11543 ,  Y10S430/11

Abstract: 本发明提供一种光刻胶图案增厚材料，此光刻胶图案增厚材料可以增厚待增厚光刻胶图案以形成精细的中空图案，超过了现有光源的曝光极限，而不管待增厚光刻胶图案的材料或其尺寸如何。所述的光刻胶图案增厚材料包含：树脂；交联剂；以及含氮化合物。在本发明的用于形成光刻胶图案的工艺中，光刻胶图案增厚材料被施加到待增厚光刻胶图案的表面，由此形成光刻胶图案。本发明的用于制造半导体器件的工艺包括：将增厚材料施加到已形成于下层之上的待增厚光刻胶图案的表面，以增厚待增厚光刻胶图案并形成光刻胶图案；以及通过利用光刻胶图案刻蚀而对下层进行制图。