公开(公告)号：CN101257003A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810081281.2

申请日：2008-02-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小林靖志 ,  中田义弘 ,  尾崎史朗

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01B3/18 ,  C07F7/18

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L2924/0002 ,  C08L2666/54 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜材料，其适用于形成介电常数低且耐损性(例如抗蚀性和液体试剂抗性)优异的绝缘膜，还提供一种减少了互连间的寄生电容的多层互连结构，还提供一种有效制造多层互连结构的方法，以及一种有效制造高速和可靠性高的半导体器件的方法。所述绝缘膜材料至少包含由上述结构式(1)表示的立体结构的硅化合物，其中，R1、R2、R3和R4可以相同或不同，且其中至少一个表示含有烃和不饱和烃中任何一种的官能团。

公开(公告)号：CN100380608C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200380102612.1

申请日：2003-10-27

Applicant: 触媒化成工业株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 中岛昭 ,  江上美纪 ,  小松通郎 ,  中田义弘 ,  矢野映 ,  铃木克己

IPC: H01L21/312 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L21/316

CPC classification number: C09D183/02 ,  C08G77/08 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明提供一种具有低至2.5或2.5以下的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜及其形成方法。使原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物，配制含有所得硅化合物的液态组合物。然后，将该液态组合物涂布在基板上，进行加热处理及烧制处理，得到被膜。以上述方法得到的被膜表面平滑，且其内部具有特定的微孔。

公开(公告)号：CN101021680A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610105675.8

申请日：2006-07-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C08L83/16 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31663 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种用于形成曝光光线阻挡膜的材料，其包含由以下结构式(1)表示的硅化合物和由以下结构式(2)表示的硅化合物中的至少一种，其中R1和R2中至少之一由能够吸收曝光光线的取代基代替(在结构式(1)中R1和R2可以相同或不同，并且每个都代表任选代替的氢原子、烷基、烯烃基、环烷基和芳基中的任一种，n是等于或大于2的整数。在结构式(2)中R1、R2和R3可以相同或不同，R1、R2和R3中的至少一个代表氢原子并且其它的代表任选代替的烷基、烯烃基、环烷基和芳基中的任一种，n是等于或大于2的整数)。

公开(公告)号：CN1708839A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102612.1

申请日：2003-10-27

Applicant: 触媒化成工业株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 中岛昭 ,  江上美纪 ,  小松通郎 ,  中田义弘 ,  矢野映 ,  铃木克己

IPC: H01L21/312 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L21/316

CPC classification number: C09D183/02 ,  C08G77/08 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明提供一种具有低至2.5或2.5以下的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜及其形成方法。使原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物，配制含有所得硅化合物的液态组合物。然后，将该液态组合物涂布在基板上，进行加热处理及烧制处理，得到被膜。以上述方法得到的被膜表面平滑，且其内部具有特定的微孔。

公开(公告)号：CN1189927C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN02118438.0

申请日：2002-04-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘 ,  铃木克己 ,  杉浦岩 ,  矢野映

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 多孔绝缘膜28、40、50由一种绝缘膜形成材料形成，该材料包括具有含C-C键骨架的硅化合物，被热处理分解或蒸发的孔形成材料以及溶解硅化合物和孔形成材料的溶剂，由此多孔绝缘膜可以具有良好的机械强度和较低的介电常数。