公开(公告)号：CN116726566A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310886497.0

申请日：2023-07-18

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 张学涛 ,  马玉怀 ,  王黎光 ,  徐慶晧 ,  曹启刚 ,  芮阳 ,  张昆 ,  王忠保 ,  赵泽慧

IPC: B01D29/23 ,  B01D29/35 ,  B01D29/11 ,  B01D29/52 ,  B01D29/58 ,  B01D35/02

Abstract: 本发明涉及一种滤芯，包括支撑筒体、第一过滤网、第二过滤网和两个端盖，支撑筒体上设置多个开孔，第一过滤网经过多次往复折弯后形成多个第一内折皱和第一外折皱，第一过滤网环绕设置在支撑筒体外侧，第二过滤网经过多次往复折弯后形成多个第二内折皱和第二外折皱，第二过滤网环绕设置在第一过滤网外侧，每一个第一外折皱外部对应设置一个第二外折皱，依次从内到外环绕的支撑筒体、第一过滤网和第二过滤网的两端经过挤压严实形成密封部后分别安装一个端盖，通过第一外折皱提升毛絮等杂质的储存空间的同时，靠近支撑筒体的第一内折皱的部分超滤孔没有被毛絮等杂质堵塞使得滤芯能够持续进行过滤，延长了滤芯的使用周期，从而减少了滤芯的更换次数。

公开(公告)号：CN116555895A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310590748.0

申请日：2023-05-24

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 ,  北方民族大学

Inventor： 魏兴彤 ,  芮阳 ,  杨少林 ,  徐慶晧 ,  曹启刚 ,  王黎光 ,  张昆 ,  王忠保 ,  陈亚 ,  赵泽慧

IPC: C30B15/20 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  G06F17/15

Abstract: 本发明提供了一种用于轻掺磷多根拉制单晶硅棒掺杂量的计算方法，属于直拉单晶硅生产技术领域，该方法考虑到多根拉制时磷母合金与需求阻值的硅熔体中的杂质含量并不对等，需求阻值的硅熔体中的杂质含量偏大的实际情况，提出了新的计算公式，在计算单根之后拉制的硅棒的掺杂量时，以向坩埚内补加的硅料量及补加后的硅熔体中杂质浓度为主进行掺杂量的计算，得到的掺杂量准确性较高，提高了的掺杂量的计算准确性，进而提高了硅棒头部电阻率的打靶准确性。

公开(公告)号：CN115110144A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210947356.0

申请日：2022-08-09

Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

Inventor： 周文辉 ,  芮阳 ,  王忠保 ,  马成 ,  徐慶晧 ,  曹启刚 ,  王黎光 ,  张昆

IPC: C30B15/04 ,  C30B15/20 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供重掺砷晶体生产中抑制重掺砷晶体电阻率反翘的方法，涉及硅单晶生产技术技术领域，在晶棒进入等径拉制时，通过在预定等径长度内调整晶体的结晶速率、温度进行晶棒拉制，本发明通过温度变化，保证晶体的结晶速率能够下降，从而降低在预定等径长度内晶棒的结晶速率，使得在预定等径长度内晶棒的结晶速率下降缓慢，使得晶棒在预定等径长度内结晶时间缩短，并且在保证不会发生晶变的情况下，一方面，使得砷的挥发作用小于其分凝作用，使得单晶电阻率沿晶棒的轴向从高到低分布，进而晶棒电阻率不会发生反翘；另一方面，使得单晶电阻率沿晶棒的轴向从高到低分布，由此能够明显提升电阻率0.003Ω.cm以下的产品比例。