公开(公告)号：CN101421203B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200780011742.2

申请日：2007-03-29

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本陶瓷科技股份有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  岸幸男 ,  井口真仁 ,  市川佳孝 ,  小松祐介

IPC: C04B38/00

CPC classification number: C04B38/0058 ,  C04B35/111 ,  C04B35/505 ,  C04B35/6316 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  Y10T428/249921 ,  C04B35/00 ,  C04B38/0054

Abstract: 本发明提供一种在要求高洁净度的领域内使用时能够抑制微波频带内的能耗，而且可均匀地分散气体的多孔质构件。多孔质构件由多孔质陶瓷形成，微波频带内的介质损耗正切是1×10-3以下。陶瓷构件由局部备有该多孔质构件的陶瓷烧结体构成。

公开(公告)号：CN103717902A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280038084.7

申请日：2012-06-27

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大山健二 ,  阿久津功 ,  岩城征道 ,  大见忠弘

IPC: F04C27/00 ,  F04C18/16 ,  F04C25/02

CPC classification number: F04C18/12 ,  F04C18/16 ,  F04C25/02 ,  F04C27/009 ,  F04C29/0007 ,  F04C29/023 ,  F04C2220/30 ,  F04C2230/91

Abstract: 本发明提供一种能够抑制密封气体混入工艺气体并且也能够降低密封气体的使用量的气体排气用泵系统。本发明的气体排气用泵系统具有主体泵和副泵。主体泵包括：螺杆转子；旋转轴，其以旋转自如的方式卡合于用于使螺杆转子旋转的旋转驱动部件；夹持部件，其以使旋转轴旋转自如的方式夹持旋转轴；润滑油供给通路，其具有用于向夹持部件注入润滑油的注油口；密封壳体，其与旋转轴的外周面之间空开规定的间隙，该密封壳体覆盖旋转轴的没有被夹持部件夹持的部分的周围；密封构件，其以围绕旋转轴的整周的方式架设在旋转轴与密封壳体之间；密封气体供给通路，其具有用于向间隙供给密封气体的供给口；以及密封气体排气通路，其具有用于将密封气体自间隙向主体泵之外排出的密封气体吸口。副泵是用于对密封气体排气通路进行减压的泵。

公开(公告)号：CN102421932B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201080021115.9

申请日：2010-03-19

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明的课题在于提供一种减少因伴随离子体激发电力增大的标的物部等的加热所致的坏的影响的旋转磁铁溅镀装置。本发明的旋转磁铁溅镀装置具有通过使冷却用介质在多个螺旋状板磁铁组之间形成的螺旋状的空间流动、或者在支承标的物部的背板上设置冷却用流路，来对标的物部进行除热的构造。

公开(公告)号：CN102007578B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200980113209.6

申请日：2009-04-10

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  斯特拉化工公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  长谷部类 ,  宫下雅之

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02054 ,  H01L21/0206 ,  Y10S438/906

Abstract: 在半导体基板等的清洗中，需要进行至少由5个工序构成的清洗。本发明提供一种清洗方法，其包括：利用含有臭氧的超纯水进行清洗的第一工序、利用含有表面活性剂的超纯水进行清洗的第二工序、以及利用含有超纯水和2-丙醇的清洗液除去来源于表面活性剂的有机物的第三工序。第三工序后，照射氪气等稀有气体的等离子体，将来源于表面活性剂的有机物进一步除去。

公开(公告)号：CN101981362B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN200980111522.6

申请日：2009-03-26

Applicant: 株式会社富士金 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  西野功二 ,  谷川毅 ,  山路道雄 ,  池田信一 ,  土肥亮介

IPC: F16K31/06 ,  H01F7/16

CPC classification number: F16K31/0658 ,  F16K31/0675 ,  H01F7/1816 ,  H01F2007/1822

Abstract: 本发明提供一种通过实现专用驱动电源的小型化从而节省了空间的电磁阀。本发明提供的是能够瞬间开闭的电磁阀，其特征在于，采用具有低直流内部电阻和低等效串联电阻的双电层电容器作为动力电源。双电层电容器中，单个单元的电气特性是：静电电容量为1～5F、额定电压为2.1～2.7V、直流内部电阻为0.01～0.1Ω、并且1kHz条件下的等效串联电阻为0.03～0.09Ω，并具有由比表面积为1～500m2/g的玻碳构成的可极化电极。

公开(公告)号：CN102792449A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180011856.3

申请日：2011-03-02

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  上野胜典 ,  野村刚彦 ,  佐藤义浩 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28264 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4488 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02277 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的半导体晶体管具备：由GaN系的半导体构成的活性层、以及形成于活性层上的栅极绝缘膜。栅极绝缘膜具有：形成于活性层上且包含从由Al2O3、HfO2、ZrO2、La2O3、以及Y2O3构成的群中选出的1种以上的化合物在内的第1绝缘膜、以及形成于第1绝缘膜上且由SiO2构成的第2绝缘膜。

公开(公告)号：CN101632330B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200880008070.4

申请日：2008-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种使用了同轴管的微波的传输线路。在等离子体处理装置(10)中，将从微波源(900)经由分支波导管(905)向同轴管(600)传输的微波利用分支板(610)分成多个微波，向多个同轴管的内部导体(315a)传输。沿各同轴管的内部导体(315a)传输来的微波从与各内部导体(315a)连接的各电介质板(305)释放到处理容器(100)的内部。利用所释放的微波来激发导入到处理容器(100)中的处理气体，对基板(G)实施期望的等离子体处理。通过使用多个电介质板(305)，可以应对大面积化，提高扩展性，并且通过在传输线路中使用同轴管，可以实现传输线路的设计紧凑，并兼顾供给低频的微波。

公开(公告)号：CN101490849B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200780026588.6

申请日：2007-07-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  黑田理人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种积累型晶体管，沟道区半导体层的杂质浓度高于2×1017cm-3，从而能够承受更大的栅极电压摆幅。

公开(公告)号：CN102473644A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080032084.7

申请日：2010-07-26

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78636 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/28008 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，其特征在于，包括：在基板上设置的含有Al或者Al合金的栅电极、设置成覆盖该栅电极的至少上面且含有对该栅电极的Al或者Al合金进行了阳极氧化的阳极氧化膜的栅极绝缘膜、和厚度实质上等于上述栅电极的厚度及其上面的栅极绝缘膜的厚度的总厚度且以包围上述栅电极的方式设置于上述基板上的绝缘体层。

公开(公告)号：CN102473626A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029796.3

申请日：2010-05-27

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明 ,  根本刚直 ,  村川顺之 ,  吉川和博

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6838

Abstract: 一种湿式处理装置，其将被处理基板保持在工作台上，并使上述工作台旋转从而进行湿式处理。上述被处理基板通过其中心从上述工作台的旋转中心偏离，并且使用向该被处理基板的背面排放惰性气体的伯努利吸盘将其保持在上述工作台上，从而随着上述工作台的旋转，上述被处理基板偏心旋转。在上述工作台内的旋转轴部分设置有用于上述伯努利吸盘的第一气体供给路，在上述工作台中还设置有与上述第一气体供给路连通，且用于向上述被处理基板的背面导入惰性气体的第二气体供给路，该第二气体供给路相对于上述被处理基板的中心轴呈轴对称。