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公开(公告)号：CN116555901A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310510507.0
申请日：2023-05-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种大面积铋氧硒薄膜的制备方法及其在超稳定、宽光谱成像探测器中的应用，所述大面积铋氧硒薄膜的尺寸至少能够达到2×2cm，是由大量的平均尺寸为1‑2μm的二维单晶纳米片组成。所述大面积铋氧硒薄膜具有较好的均匀性，厚度约为100μm。基于所制备的大面积铋氧硒薄膜设计了宽光谱光电探测器，其能够实现从紫外、可见到红外波段的多波段探测，并且具有高的响应度以及快的响应速度。该器件在无任何封装的情况下在空气中储存一年后仍具有出色的循环稳定性和空气稳定性。本发明由大量二维单晶纳米片组成的大面积铋氧硒薄膜，并基于其构建了超稳定、高性能的宽光谱成像探测器，该器件可以在复杂系统中长时间稳定运行。
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公开(公告)号：CN116253357A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310069627.1
申请日：2023-02-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01G29/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/0392 , G01J1/42
Abstract: 一种自支撑硫化铋纤维膜的制备方法及其在柔性宽光谱光电探测器中的应用，所述自支撑Bi2S3纤维膜是在未使用任何模板及有机物的条件下，通过简单的一步水热法制备的。所述自支撑Bi2S3纤维膜是由长度可达毫米级别且纵横比大于1000的超长一维纳米线相互交织自组装而成的，其尺寸至少能够达到约7厘米×2.5厘米。更重要的是，所述自支撑Bi2S3纤维膜具有极好的柔性和可塑造性，能够随意弯曲并可裁剪成任意形状。基于所制备的自支撑Bi2S3纤维膜构造了柔性宽光谱光电探测器，其在平坦和弯曲状态下均能够实现从紫外、可见到红外波段的宽光谱探测，并且具有高的响应度，快的响应速度以及优异的稳定性。
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公开(公告)号：CN114940482A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210474735.2
申请日：2022-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了铋铜氧硒纳米材料的制备方法，所述方法采用简单的水热法，并辅以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)进行调控，得到了窄带隙的铋铜氧硒纳米材料。水热法操作简单、反应可控，所制备的铋铜氧硒纳米材料尺寸小、均匀性和分散性好，呈现一个规则的四方纳米片状结构。这种纳米结构带来的界面散射效应使得铋铜氧硒的热导率降低，从而提高其热电转换效率，这对材料的热电性能的提高具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN114935592A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210474732.9
申请日：2022-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/30 , G01N27/416
Abstract: 本发明公开了一种硒化铋纳米片/四硒化三铋纳米线复合材料的制备方法及应用，属于光电材料和探测器的制备技术领域。本发明使用操作简便、过程可控的一步溶剂热法制备出了Bi2Se3纳米片/Bi3Se4纳米线复合材料，其中两种组分的比重可以通过调节Se源的摩尔量来调控。制备方法简单，纳米结构接触紧密，以该复合材料为工作电极制备的自供能光电探测器响应迅速，在近红外‑可见‑紫外波段均有较强的光电流响应，相比基于纯相Bi2Se3纳米片制备的自供能光电探测器，其探测性能有很大提升，能够有效地抑制光生电子‑空穴的复合。Bi2Se3纳米片/Bi3Se4纳米线复合材料的制备对未来发展Bi‑Se双元素材料的异质结构具有较高的参考价值。
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公开(公告)号：CN113299778B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110579522.1
申请日：2021-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C16/30 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种硒化铋/碲化铋超晶格红外双波段探测器及其制备方法，所述探测器包括蓝宝石衬底、Bi2Se3层、Bi2Te3层和金电极，蓝宝石衬底上生长Bi2Se3层，Bi2Se3层上生长Bi2Te3层，Bi2Se3与Bi2Te3之间形成Bi2Se3/Bi2Te3异质结，金电极设置在Bi2Se3层和Bi2Te3层上，制备步骤如下：一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Te3层；二、在生长的Bi2Se3层上利用CVD技术生长Bi2Te3层；三、利用磁控溅射技术在Bi2Se3层和Bi2Te3层表面沉积Au电极。本发明在蓝宝石衬底上利用CVD技术制备了Bi2Se3/Bi2Te3超晶格短波红外双波段超晶格，超晶格的红外发光峰分别在2.75μm和3.5μm，实现了红外双色探测材料结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113758562A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111051892.4
申请日：2021-09-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 一种基于硒化铜纳米管或硒化铜/硫化铋纳米管复合材料的宽光谱探测器及其制备方法，属于光电探测器件及其制备领域。本发明所述的硒化铜/硫化铋纳米管复合材料是由Cu3Se2纳米管和Bi2S3纳米片构成，所述方法为：利用室温溶液法合成Se纳米线；将所制备的Se纳米线作为模板和反应Se源，获得Se@Cu2Se纳米结构；通过退火处理得到Cu3Se2纳米管；室温下，通过溶液合成法在Cu3Se2纳米管表面生长Bi2S3纳米片，制备出同轴核壳结构Cu3Se2/Bi2S3纳米管复合材料；制作器件。本发明主要利用简单、易实现的室温溶液法合成了Cu3Se2纳米管和同轴核壳结构Cu3Se2/Bi2S3纳米管复合材料，并进一步制备了具有自供能特性的光电探测器件，成本低、易操作、无污染，适用于大规模生产，具有很高的应用价值和前景。
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公开(公告)号：CN113088907A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110323797.9
申请日：2021-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种具有深紫外探测功能的MgGaZnO薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、制备MgGaZnO陶瓷靶材；步骤二、将石英衬底和MgGaZnO陶瓷靶材放入磁控溅射设备的真空室中进行磁控溅射，得到MgGaZnO薄膜材料；步骤三、将步骤二得到的MgGaZnO薄膜材料进行高温退火处理，得到MgGaZnO薄膜。该方法制备了一种禁带宽度为5.6eV即探测波段位于220nm处的单一立方相的MgGaZnO薄膜材料，解决了MgZnO日盲紫外探测器薄膜材料高镁组分下存在的分相问题，同时通过Ga掺杂改善薄膜的电学性能获得高响应度并且较低的探测波段。
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公开(公告)号：CN112420876A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011412393.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/109
Abstract: 一种从日盲紫外到近红外的宽波段探测器的制备方法，属于光电探测技术领域。本发明的目的是为了解决现有宽光谱探测器存在不同材料之间晶格失配大、质量低、响应速度慢等问题，所述方法为：在蓝宝石衬底上沉积Ga2O3薄膜，薄膜厚度不小于300nm，通过化学气相沉积法在蓝宝石基底上制备厚度为3nm‑6nm的二维拓扑绝缘体材料，将所述二维拓扑绝缘体材料通过湿法转移的方法转移至Ga2O3上表面，Ga2O3和二维拓扑绝缘体材料之间形成范德华异质结；利用电子束沉积的方法在二维拓扑绝缘体材料表面依次沉积Ti电极和Au电极。本发明采用范德华异质结，通过转移的方法形成异质结，而不是外延方法，克服了Ga2O3和Bi2Se3之间晶格失配而导致质量下降等问题。
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公开(公告)号：CN104576805B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510030089.0
申请日：2015-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种基于InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器，其包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、第一M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层、第一p型InAs/GaSb超晶格接触层、p型InAs/GaSb超晶格中波红外吸收层、第二M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格短波红外吸收层、第二p型InAs/GaSb超晶格接触层和盖层。该探测器具有pMp?p?π?M?n异质结构，具有低串扰、低暗电流、高探测率的优点。
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公开(公告)号：CN104576074A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510010665.5
申请日：2015-01-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 一种超长TiO2纳米线阵列薄膜光阳极的制备方法，属于染料敏化太阳能电池领域。为了解决现有的染料敏化太阳能电池TiO2纳米晶光阳极光生载流子复合损失高的问题，本发明通过一次溶剂热合成反应，以乙醇、盐酸和TiCl4的混合溶液为前驱体，在FTO导电玻璃上生长出超长的一维TiO2纳米线阵列薄膜。将TiO2纳米线阵列薄膜光阳极直接应用在染料敏化太阳能电池上，在其一维结构中，电子传输速率快，光生载流子复合损失小，有利于染料敏化太阳能电池性能的提高。
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