公开(公告)号：CN104576805B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510030089.0

申请日：2015-01-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 于清江 ,  李晓超 ,  蒋洞微 ,  于翠玲 ,  国凤云 ,  王金忠

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明公开了一种基于InAs/GaSbⅡ类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器，其包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、第一M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层、第一p型InAs/GaSb超晶格接触层、p型InAs/GaSb超晶格中波红外吸收层、第二M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格短波红外吸收层、第二p型InAs/GaSb超晶格接触层和盖层。该探测器具有pMp?p?π?M?n异质结构，具有低串扰、低暗电流、高探测率的优点。

公开(公告)号：CN104576074A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201510010665.5

申请日：2015-01-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 于清江 ,  李海亮 ,  于翠玲 ,  黄跃武 ,  王金忠 ,  国凤云 ,  高世勇

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02E10/542

Abstract: 一种超长TiO2纳米线阵列薄膜光阳极的制备方法，属于染料敏化太阳能电池领域。为了解决现有的染料敏化太阳能电池TiO2纳米晶光阳极光生载流子复合损失高的问题，本发明通过一次溶剂热合成反应，以乙醇、盐酸和TiCl4的混合溶液为前驱体，在FTO导电玻璃上生长出超长的一维TiO2纳米线阵列薄膜。将TiO2纳米线阵列薄膜光阳极直接应用在染料敏化太阳能电池上，在其一维结构中，电子传输速率快，光生载流子复合损失小，有利于染料敏化太阳能电池性能的提高。

公开(公告)号：CN104576805A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201510030089.0

申请日：2015-01-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 于清江 ,  李晓超 ,  蒋洞微 ,  于翠玲 ,  国凤云 ,  王金忠

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0304

CPC classification number: H01L31/1013 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明公开了一种基于InAs/GaSb II类超晶格材料的短波/中波/长波三色红外探测器，其包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、第一M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层、第一p型InAs/GaSb超晶格接触层、p型InAs/GaSb超晶格中波红外吸收层、第二M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格短波红外吸收层、第二p型InAs/GaSb超晶格接触层和盖层。该探测器具有pMp-p-π-M-n异质结构，具有低串扰、低暗电流、高探测率的优点。

公开(公告)号：CN104549209A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410826277.X

申请日：2014-12-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高世勇 ,  矫淑杰 ,  慕岩 ,  刘青春 ,  王金忠 ,  于清江

IPC: B01J23/06

Abstract: 本发明提供了一种双面氧化锌纳米阵列光催化材料及制备方法。所述光催化材料由ZnO纳米阵列和石英衬底构成，ZnO纳米阵列生长在整个石英衬底的两个表面。制备方法如下：在清洗干净的石英衬底的两个表面分别制备一层ZnO薄膜作为晶种层；利用水热法在石英衬底的两个表面上同时生长ZnO纳米阵列。本发明利用水热法在石英衬底上制备了双面ZnO纳米阵列，能够有效提高太阳光的利用率，显著提高光催化性能。其制备方法具有操作简单、可控性强、成本低等优点，适用于大面积生长，并且催化剂便于回收，可重复使用，具有很高的实用价值和应用前景。

公开(公告)号：CN104773757A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510220121.1

申请日：2015-05-04

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 于清江 ,  石宇辰 ,  王佳男 ,  黄跃武 ,  李晓超

IPC: C01G23/053 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种由TiO2纳米棒构筑而成的空心纳米结构的制备方法，属于光电半导体材料领域。所述方法以TiF4作钛源，乙二醇、冰乙酸混合溶液作为溶剂，椭球型Fe2O3纳米粒子作为模板，利用水热法制备由TiO2纳米棒构筑而成的空心纳米结构材料，其长约450~500nm，直径约180~220nm；表面纳米棒长约70~100nm，直径约10nm。本发明使用预生长模板可以操纵纳米材料的形态和内表结构，有利于更好的控制纳米空心结构的性能，所制备的TiO2空心纳米结构具有尺寸可控、操作简单、原料易得、成本低廉等特点，在环境、能源等领域具有潜在的应用前景。