一种具有防扩层的外延结构和发光二极管

    公开(公告)号:CN204144308U

    公开(公告)日:2015-02-04

    申请号:CN201420392581.3

    申请日:2014-07-16

    Abstract: 本实用新型公开一种具有防扩层的外延结构和发光二极管,所述的外延结构和发光二极管都包括:有源层一侧依次为第一型限制层、第一型电流扩展层及第一电极,在有源层另一侧依次形成第二型限制层、第二型电流扩展层、衬底及第二电极;在第二型电流扩展层与衬底之间形成防扩层,所述防扩层至少包括第二防扩层,第二防扩层被氧化为氧化物介质膜,防扩层为无导电型掺杂的绝缘层;所述的发光二极管还包括:在防扩层中形成导电通道,且在防扩层上形成金属反射镜,金属反射镜位于防扩层与衬底之间。本实用新型可以使外量子效率较高,且内部层结构连接较为稳定。

    一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构

    公开(公告)号:CN204516792U

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201420601236.6

    申请日:2014-10-17

    Abstract: 本实用新型公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构,在衬底上分别形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层;有源层一侧设置第一型电流扩展层,另一侧设置第二型电流扩展层;有源层与第一型电流扩展层之间设置第一型限制层,而有源层与第二型电流扩展层之间设置第二型限制层;第一型电流扩展层设置为n层结构,各层结构之间设置超晶格,且第一型电流扩展层为掺杂Te第一型电流扩展层。本实用新型可以减少杂质对短波长光的吸收,有效提高发光二极管的发光效率。

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