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公开(公告)号：CN108441824A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810536490.5
申请日：2018-05-31
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于铁电薄膜生长方法领域，主要涉及同成分、掺镁和掺铁铌酸锂薄膜及其生长方法。选择(111)晶向Pt，简称Pt(111)，基片为衬底，选取提拉法生长的同成分、掺镁6.5mol％和掺铁8.0wt％的铌酸锂单晶为靶材。利用脉冲激光沉积方法，制备高质量的(006)外延取向同成分、掺镁6.5mol％和掺铁8.0wt％的铌酸锂薄膜。所述薄膜可应用于制备波导、微腔、传感器、探测器、电光调制器；所述方法操作简捷、易于纳米级高质量外延铌酸锂薄膜的生长，便于微观尺度铌酸锂薄膜铁电畴调控、为制作和研究铌酸锂薄膜器件奠定基础。
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公开(公告)号：CN106283194B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201610766947.2
申请日：2016-08-29
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/355
Abstract: 本发明提出了一种铌酸锂晶体纳米畴结构的制备装置及方法，其目的在于解决现有极化技术在铌酸锂晶体中制备纳米畴结构中存在的技术难题，其适用于铁电晶体纳米畴工程领域中纳米畴结构的制备，尤其适用于Z切向的同成分铌酸锂晶体、掺镁铌酸锂晶体等。所述制备方法包括步骤：第一步，在铌酸锂晶体中构造畴壁结构；第二步，对该样品进行热处理；第三步，对样品进行二次极化。本技术通过改变热处理温度和热处理时间，可以制备出不同尺寸的纳米畴结构。畴结构的尺寸一般在百纳米量级，深度在百微米量级。利用该技术可以制备百微米长的高质量纳米畴结构。该技术具有操作简单，可以实现批量化、大面积制备纳米畴结构等特点。
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公开(公告)号：CN104310403B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201410539525.2
申请日：2014-10-14
Applicant: 南开大学
IPC: C01B33/021 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种窄带发光黄色纳米硅颗粒的制备方法。将选取的并清洗干净的硅片及收集装置置于加工腔内，在一定气压范围的氮气或惰性气体气氛环境下，飞秒激光辐照硅片制备窄带发光黄色纳米硅颗粒。实验表明收集物中不含制备环境中的气体元素杂质，主要为粒径1‑4nm的单晶硅纳米颗粒，其间夹杂一些粒径为40‑240nm的硅单晶大颗粒，室温可见光范围内表现出窄带发光性质。本发明方法简单易行，绿色环保；在飞秒激光辐照硅片过程中调控气压，优化了在气相中对纳米颗粒的收集，同时能够将颗粒粒径控制于很小范围内且不引入杂质，提高了收集的硅纳米颗粒的纯度。
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公开(公告)号：CN107147326A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710583316.1
申请日：2017-07-11
Applicant: 南开大学
IPC: H02N1/04
CPC classification number: H02N1/04
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂材料的摩擦纳米发电机及其制备方法。该摩擦纳米发电机包括由第一摩擦材料组成的正极性摩擦层、由第二摩擦材料组成的负极性摩擦层、第一电极、第二电极。其中，所述第一摩擦材料为铌酸锂材料，并与第一电极相接触；所述第二摩擦材料为柔性高分子聚合物，与第二电极相接触。所述第一摩擦材料与第二摩擦材料之间接触或分离设置，当有交变外力作用在所述摩擦纳米发电机时，第一摩擦材料与第二摩擦材料会发生接触/分离或相对滑动，使第一电极和第二电极之间产生交流电信号。本发明结构简单，输出电压稳定，所用的新型正极性摩擦层铌酸锂材料将拓宽摩擦纳米发电机的应用领域。
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公开(公告)号：CN107059123A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710045195.5
申请日：2017-01-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种四偏磷酸二钾锶晶体的制备方法，将含K、Sr和P的化合物按摩尔比2∶1∶4配料并混合均匀，经预烧与烧结后，在坩埚中加热至熔化，并在高于熔点温度下恒温1～50小时，制成熔体；将熔体降温到高于其熔点1～5℃的温度，采用泡生法或提拉法在熔体中生长四偏磷酸二钾锶晶体。该晶体可用于制作非线性光学器件，该非线性光学器件包含一装置，该装置中包含至少一块四偏磷酸二钾锶晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104807761A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510236181.2
申请日：2015-05-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种可实现微区光谱测量的光谱仪设计方法，其包括以下步骤：(1)利用成像系统将待测量样品成像至区域选择小孔板的平面内；(2)小孔区域内的光线穿过小孔进入光谱分析元件进行光谱分析与测量；(3)小孔区域外部的光线被小孔板上的高反射膜反射，并经由一半透半反镜反射；(4)半透半反镜的反射光由一成像透镜成像至图像记录元件(如CCD)平面；(5)通过移动样品位置，可对需要测量的不同区域成像至小孔内进行光谱分析测量该光谱仪可独立使用或联合显微镜使用。本发明利用小孔实现测量区域的选择，可以实现对于尺寸达微米甚至纳米量级样品的透射、反射、吸收及荧光光谱的测量。
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公开(公告)号：CN104807416A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510236182.7
申请日：2015-05-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微结构阵列的光学应变传感器设计及制造方法，首先在弹性体基底材料表面进行镀膜，利用微纳米加工方法在基底材料上制备具有光谱特征峰的微结构阵列；将制备好的器件固定在被测样品表面，利用光谱仪测量样品在形变前后及形变过程中的光谱，最终利用光谱特征峰的变化计算样品的形变量。本发明的微结构阵列光学应变传感器可以测量微小区域内形变量，且具有测量灵敏度高、检测速度快的优势。
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公开(公告)号：CN102296365B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201010207689.7
申请日：2010-06-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种掺钒铌酸锂晶体，采用Czochralski提拉法生长。元素钒掺杂量范围：0.1～5.0mol％(摩尔百分比)。本发明在掺杂量比较少的情况下，晶体具有优异的光折变性能，特别是在紫外光波段(351nm)，光折变性能大大增强，如响应时间短，衍射效率高，光耦合系数大等，并且光吸收系数较小，综合性能优于其他掺杂元素(如：Mg、Zn、In)；此外，由于掺杂量低，利于生长高光学质量的晶体。在掺杂量达到2.0mol％后，晶体将具有104W/cm2以上的抗光折变能力，钒成为抗光折变掺杂。作为铌酸锂晶体新型的掺杂元素，钒无论在光折变还是在抗光折变方面均具有优异的性能，尤其是在紫外光折变方面，既性能突出，又掺杂量低，易于生长高光学质量的单晶，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103033496A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210543908.8
申请日：2012-12-17
Applicant: 南开大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种表面拉曼散射增强基底的制备方法。首先飞秒激光辐照硬质固体材料表面，制作大面积硬质微结构母版；其次利用纳米压印技术，向硬质微结构母版上浇注聚二甲基硅氧烷(PDMS)，复制硬质微结构母版上的结构，制备出PDMS模板；最后在PDMS模板上镀一层金膜，制备出PDMS表面增强拉曼散射基底。实验表明，本发明具有增强因子高，基底上不同位置的增强因子均匀性好，可制备大面积的表面拉曼散射增强基底，母版可重复压印，降低了生产成本，另外，采用金作拉曼增强金属，克服了银极易氧化的缺点。
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