公开(公告)号：CN106283194A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610766947.2

申请日：2016-08-29

Applicant: 南开大学

Inventor： 张国权 ,  王晓杰 ,  薄方 ,  陈璟 ,  陈绍林 ,  孔勇发 ,  许京军

IPC: C30B29/30 ,  C30B33/02 ,  C30B33/04 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提出了一种铌酸锂晶体纳米畴结构的制备装置及方法，其目的在于解决现有极化技术在铌酸锂晶体中制备纳米畴结构中存在的技术难题，其适用于铁电晶体纳米畴工程领域中纳米畴结构的制备，尤其适用于Z切向的同成分铌酸锂晶体、掺镁铌酸锂晶体等。所述制备方法包括步骤：第一步，在铌酸锂晶体中构造畴壁结构；第二步，对该样品进行热处理；第三步，对样品进行二次极化。本技术通过改变热处理温度和热处理时间，可以制备出不同尺寸的纳米畴结构。畴结构的尺寸一般在百纳米量级，深度在百微米量级。利用该技术可以制备百微米长的高质量纳米畴结构。该技术具有操作简单，可以实现批量化、大面积制备纳米畴结构等特点。

公开(公告)号：CN106283194B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201610766947.2

申请日：2016-08-29

Applicant: 南开大学

Inventor： 张国权 ,  王晓杰 ,  薄方 ,  陈璟 ,  陈绍林 ,  孔勇发 ,  许京军

IPC: G02F1/355

Abstract: 本发明提出了一种铌酸锂晶体纳米畴结构的制备装置及方法，其目的在于解决现有极化技术在铌酸锂晶体中制备纳米畴结构中存在的技术难题，其适用于铁电晶体纳米畴工程领域中纳米畴结构的制备，尤其适用于Z切向的同成分铌酸锂晶体、掺镁铌酸锂晶体等。所述制备方法包括步骤：第一步，在铌酸锂晶体中构造畴壁结构；第二步，对该样品进行热处理；第三步，对样品进行二次极化。本技术通过改变热处理温度和热处理时间，可以制备出不同尺寸的纳米畴结构。畴结构的尺寸一般在百纳米量级，深度在百微米量级。利用该技术可以制备百微米长的高质量纳米畴结构。该技术具有操作简单，可以实现批量化、大面积制备纳米畴结构等特点。

公开(公告)号：CN101876756A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200910228033.0

申请日：2009-11-06

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈璟 ,  康明 ,  王慧田 ,  李勇男 ,  汪喜林 ,  娄凯 ,  李思黾

IPC: G02F1/00 ,  H01P1/20

Abstract: 一种能实现光速减慢的亚波长金属微结构阵列，包括亚波长金属微结构阵列和衬底层，构成亚波长金属微结构阵列的单元由一条连续金属线和两条金属短线构成，连续金属线与金属短线之间设有间距，入射的电磁波为s偏振正入射，亚波长金属微结构阵列的周期小于电磁波的波长。本发明的优点是：该亚波长金属微结构阵列可以实现电磁波传播速度减慢；该亚波长金属微结构阵列结构简单、制备容易且制备材料获取方便，适用范围非常广泛，利用这种器件，在一定的波长范围内，实现不同电磁应用要求，包括光信号存储及缓冲、光通讯、光学计算和增强的非线性效应等。