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公开(公告)号：CN102206342B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110079884.0
申请日：2011-03-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及导电聚合物、其合成方法及表面覆盖有所述导电聚合物的电活性电极。所述导电聚合物的合成方法为，以多元酸作为掺杂剂和交联剂，使单体聚合得到导电聚合物水凝胶，所述单体为吡咯或其衍生物、噻吩或其衍生物、苯胺或其衍生物中的至少一种，所述多元酸的酸基团包含磷酸基、或者多元酸为每分子含2个以上选自磺酸基、硝酸基或羧酸基中至少一种的酸基团的分子量≤800的多元酸。所述多元酸所包含的酸基团的摩尔数与导电聚合物单体的摩尔比优选为1∶12～12∶1。电活性电极表面覆盖上述合成方法所得的导电聚合物。本发明所述导电聚合物制备方法简单，且无需引入其他杂质。所制备的导电聚合物水凝胶具有高离子电导率，具备超亲水性和良好的生物兼容性。
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公开(公告)号：CN102544136A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210008553.2
申请日：2012-01-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种纳米材料电子与光电子器件，器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分，所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层，上下电极与纳米材料形成良好的电学接触，绝缘介电层在上下电极之间，保证电荷通过上下电极流经纳米材料。本发明通过对纳米材料加工，形成有效的电极接触，实现其电子和光电子方面的功能。本发明方法避免复杂而昂贵的微加工工艺，可实现纳米器件低成本、大批量的加工。
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公开(公告)号：CN102465333A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010549729.6
申请日：2010-11-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种立式氢化物气相外延生长系统，包括反应腔体、石墨支托、外延生长衬底和加热系统，石墨支托设置在反应腔体的生长区内，反应腔体为立式结构，多片外延生长衬底设置在石墨支托上方或倒置在石墨支托下方，尾气出口位于反应腔体下部，其中反应腔体为轴向套管结构，由腔体管和气体导管套接组成，气体导管位于腔体管的入口部份，气体导管的入口部分内部为多路分隔气路结构，多路分隔气路轴向均匀分布，用于将反应气体送至生长区的外延生长衬底处，气体导管的外导管壁延伸超过石墨支托的位置。本发明可以有效的防止预反应和反应尾气造成的沉积、堵塞，提高HVPE系统的持续生长时间，获得目前无法自然不存在、常规方法无法生长的GaN体单晶材料。
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公开(公告)号：CN102169987A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110008256.3
申请日：2011-01-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/139 , H01M4/1391
Abstract: 石墨烯负载多孔氧化镍，NiO原位生长于功能化石墨烯(FGS)上，成纳米结构介孔。介孔氧化镍纳米颗粒尺寸范围为50nm～200nm，内部孔道大小约为2～10nm，NiO/FGS质量比1-5∶1，控制石墨烯表面多孔NiO颗粒负载量。其制备方法是，将Ni(NO)2·6H2O溶于去离子水中，加入功能化石墨烯(FGS)，NiO∶FGS质量比1-5∶1，超声分散均匀；将NaOH溶于去离子水，NaOH溶液的浓度为1-5∶1、单位是mg∶ml，并使NaOH与石墨烯的质量比1-2∶1，加入至上述超声分散后溶液，混合搅拌，所得混合物离心后提取产物，并用去离子水及酒精分别清洗并离心提取。
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公开(公告)号：CN102120186A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201010552955.X
申请日：2010-11-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 在石墨烯上负载铂纳米颗粒的制备方法，制备的步骤如下：(1)取还原的石墨烯超声分散在乙二醇溶液中，再加入1-芘甲胺的乙二醇溶液，石墨烯、乙二醇和1-芘甲胺的乙二醇溶液的比(mg∶ml∶ml)为1∶8-20∶1-1.5；1-芘甲胺的乙二醇溶液的浓度为10-3M，搅拌20-120分钟，使1-芘甲胺自组装到石墨烯表面；(2)加入Nml的0.048M的氯铂酸乙二醇溶液，石墨烯比Nml(mg∶ml)为1∶0.8-1.5，用0.1M的氢氧化钠调节(1)中乙二醇溶液调节pH值为8-9，持续搅拌，在160℃的油浴中反应2小时获得石墨烯上高密度负载铂纳米颗粒；之后清洗冻干。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101355127B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810124467.1
申请日：2008-07-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种提高III族氮化物LED发光效率的量子阱结构，包括蓝宝石衬底层(6)，缓冲层(5)，过渡层(4)，N型导电层(3)，量子阱结构层(2)，P型导电层(1)以及电极层(7)；衬底层(6)上依次为GaN构成的缓冲层(5)，GaN构成的过渡层(4)，N型GaN构成的N型导电层(3)，InGaN/AlGaInN交替构成的量子阱结构层(2)，P型GaN构成的P型导电层(1)以及电极层(7)。量子阱结构层(2)是5-10个周期且层厚分别为5-20nm/15-40nm的InGaN/AlGaInN量子阱结构层。
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公开(公告)号：CN101475150B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200810235278.1
申请日：2008-12-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 改进HVPE传输气流均匀性的装置，在立式HVPE生长系统中，生长室反应腔上方设有一个匀气环，匀气环设有连通的气路进口和气路出口构成，其中气路出口设有4-30个，在圆环上均匀分布，匀气环气路进口接有源气体输气终端。尤其是匀气环气路进口至每个气路出口的气体传输管路路径相同。
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公开(公告)号：CN101281864B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810019104.1
申请日：2008-01-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/38
Abstract: 改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法，在HVPE生长过程中，将GaCl或者NH3源气体通过石英喷淋头均匀喷洒在生长衬底的表面上。喷淋头由均匀分布的小孔组成石英板喷淋头，石英板喷淋头与生长衬底平行。本发明通过特别的设计控制源气体GaCl或者NH3在衬底表面的均匀分布，从而改善衬底上方发生反应的源气体的分布更加均匀合适。矩形(方形)结构的喷淋头设计，可以使得气流分布的更加均匀，样品无需旋转。
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公开(公告)号：CN101560692A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910027926.9
申请日：2009-05-13
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/08 , C30B25/18 , C30B25/16 , C30B29/38 , C23C16/18 , C23C16/44 , C23C16/02 , C23C8/24 , C23C28/04
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0218 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/403
Abstract: 一种非极性面InN材料的生长方法，利用金属有机物化学汽相外延MOCVD生长系统，在铝酸锂LiAlO2(100)衬底上合成生长m面InN材料以及高In组分m面InGaN材料，所述m面是非极性面的一种，高In组分指InxGa1－xN材料中In组分x大于0.3。本发明利用MOCVD生长系统，采用LiAlO2(100)材料作为衬底、对LiAlO2(100)衬底进行处理以及利用低温缓冲层，合成生长m面InN材料以及高In组分m面InGaN材料，通过选择合适的衬底，在MOCVD系统下，选择适当的生长的技术条件，并利用缓冲层的设计，生产得到非极性面InN材料。
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公开(公告)号：CN100480302C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510038536.3
申请日：2005-03-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种新型聚苯胺自组装纳米结构的可控合成方法，本发明方法是将聚合反应在高压釜中以100-250℃的温度、采用质子酸作为掺杂剂进行氧化聚合反应，得到聚苯胺的薄片结构，薄片表面同时具有整齐排列的聚苯胺纳米棒(纤维)阵列。聚苯胺的薄片结构具有很强的发光性质。该聚苯胺纳米阵列自组装结构可望用于电磁波屏蔽材料，抗静电材料，电极材料，高容量电容器材料，三极管、传感器材料，气体分离材料和高效发光材料。
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