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公开(公告)号：CN103956389B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201410148707.7
申请日：2014-04-14
Applicant: 绍兴米来电子科技有限公司 , 南京大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/338
CPC classification number: H01L29/8725 , H01L29/66143
Abstract: 本发明公开了一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底；N‑外延层，位于N+半导体衬底上；N‑外延层上加工阶梯状的沟槽结构；梯形沟槽内壁生长氧化层；N‑外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属；N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属。所述的沟槽结构是由两个直角沟槽形成阶梯状沟槽；即N‑外延层的截面为周期性排列的凸出状。将传统TMBS里面的直角沟槽的上部沟槽宽度变宽，这样能有效的调节沟槽中不同部位的电场耦合作用，从而调节沟槽中间有源区不同深度处电场强度。使用该结构可以保持在击穿电压不减小、正向导通电压只是略有增加的情况下，实现漏电的大幅降低。
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公开(公告)号：CN103413807B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310299076.4
申请日：2013-07-15
Applicant: 常州子睦半导体有限公司 , 南京大学
IPC: H01L27/02 , H01L27/06 , H01L21/8222
Abstract: 本发明提供一种单向低电容瞬态电压抑制器及其制作工艺，其中该抑制器包括P+半导体衬底，位于P+衬底上的P-外延层，所述的P-外延层上从左到右依次设有第一N阱，第一P+有源注入区，第二N阱，第一P阱；所述的第一N阱和第二N阱上分别设有第一N+有源注入区和第二N+有源注入区；所述的第一P阱上设有第一N-有源注入区和第二P+有源注入区；所述的第一N-有源注入区上设有第三P+有源注入区；所述的第二N+和第三P+有源注入区、第一N+第一P+及第二P+有源注入区分别通过金属连接并引出。本发明的技术方案可在被保护器件的正常工作电压下，不会影响数据的高速传送，保证了大电流的泄放能力，而且具有更好地电流泄放能力。
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公开(公告)号：CN101481500A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910024705.6
申请日：2009-02-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 导电高分子/碳纳米管复合介孔纳米管的制备方法，(1)先在碳纳米管上生长一层MnO2层，将碳纳米管和0.01M～1M高锰酸钾水溶液混合，在50～100℃温度条件下反应1～20小时，通过过滤法分离，得到包覆有二氧化锰的碳纳米管复合纳米结构MnO2@CNTs；(2)将所述MnO2@CNTs原料分散在溶剂中，将导电高分子单体溶解在质子酸的溶剂中，反应10分钟～72小时；pH值范围在0～6.5之间，反应温度在0℃～100℃范围内，有机酸为十二烷基苯磺酸或全氟辛磺酸，无机酸为硫酸或盐酸；导电高分子为聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩类；(3)MnO2模板本身参与反应，并可在反应完成后自发的除去。
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公开(公告)号：CN103956389A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410148707.7
申请日：2014-04-14
Applicant: 杭州启沛科技有限公司 , 南京大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/338
CPC classification number: H01L29/8725 , H01L29/66143 , H01L29/0611 , H01L29/0619
Abstract: 本发明公开了一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底；N-外延层，位于N+半导体衬底上；N-外延层上加工阶梯状的沟槽结构；梯形沟槽内壁生长氧化层；N-外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属；N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属。所述的沟槽结构是由两个直角沟槽形成阶梯状沟槽；即N-外延层的截面为周期性排列的凸出状。将传统TMBS里面的直角沟槽的上部沟槽宽度变宽，这样能有效的调节沟槽中不同部位的电场耦合作用，从而调节沟槽中间有源区不同深度处电场强度。使用该结构可以保持在击穿电压不减小、正向导通电压只是略有增加的情况下，实现漏电的大幅降低。
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公开(公告)号：CN103413807A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310299076.4
申请日：2013-07-15
Applicant: 常州子睦半导体有限公司 , 南京大学
IPC: H01L27/02 , H01L27/06 , H01L21/8222
Abstract: 本发明提供一种单向低电容瞬态电压抑制器及其制作工艺，其中该抑制器包括P+半导体衬底，位于P+衬底上的P-外延层，所述的P-外延层上从左到右依次设有第一N阱，第一P+有源注入区，第二N阱，第一P阱；所述的第一N阱和第二N阱上分别设有第一N+有源注入区和第二N+有源注入区；所述的第一P阱上设有第一N-有源注入区和第二P+有源注入区；所述的第一N-有源注入区上设有第三P+有源注入区；所述的第二N+和第三P+有源注入区、第一N+第一P+及第二P+有源注入区分别通过金属连接并引出。本发明的技术方案可在被保护器件的正常工作电压下，不会影响数据的高速传送，保证了大电流的泄放能力，而且具有更好地电流泄放能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102206342B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110079884.0
申请日：2011-03-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及导电聚合物、其合成方法及表面覆盖有所述导电聚合物的电活性电极。所述导电聚合物的合成方法为，以多元酸作为掺杂剂和交联剂，使单体聚合得到导电聚合物水凝胶，所述单体为吡咯或其衍生物、噻吩或其衍生物、苯胺或其衍生物中的至少一种，所述多元酸的酸基团包含磷酸基、或者多元酸为每分子含2个以上选自磺酸基、硝酸基或羧酸基中至少一种的酸基团的分子量≤800的多元酸。所述多元酸所包含的酸基团的摩尔数与导电聚合物单体的摩尔比优选为1∶12～12∶1。电活性电极表面覆盖上述合成方法所得的导电聚合物。本发明所述导电聚合物制备方法简单，且无需引入其他杂质。所制备的导电聚合物水凝胶具有高离子电导率，具备超亲水性和良好的生物兼容性。
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公开(公告)号：CN102120186A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201010552955.X
申请日：2010-11-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 在石墨烯上负载铂纳米颗粒的制备方法，制备的步骤如下：(1)取还原的石墨烯超声分散在乙二醇溶液中，再加入1-芘甲胺的乙二醇溶液，石墨烯、乙二醇和1-芘甲胺的乙二醇溶液的比(mg∶ml∶ml)为1∶8-20∶1-1.5；1-芘甲胺的乙二醇溶液的浓度为10-3M，搅拌20-120分钟，使1-芘甲胺自组装到石墨烯表面；(2)加入Nml的0.048M的氯铂酸乙二醇溶液，石墨烯比Nml(mg∶ml)为1∶0.8-1.5，用0.1M的氢氧化钠调节(1)中乙二醇溶液调节pH值为8-9，持续搅拌，在160℃的油浴中反应2小时获得石墨烯上高密度负载铂纳米颗粒；之后清洗冻干。
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公开(公告)号：CN102206342A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110079884.0
申请日：2011-03-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及导电聚合物、其合成方法及表面覆盖有所述导电聚合物的电活性电极。所述导电聚合物的合成方法为，以多元酸作为掺杂剂和交联剂，使单体聚合得到导电聚合物水凝胶，所述单体为吡咯或其衍生物、噻吩或其衍生物、苯胺或其衍生物中的至少一种，所述多元酸的酸基团包含磷酸基、或者多元酸为每分子含2个以上选自磺酸基、硝酸基或羧酸基中至少一种的酸基团的分子量≤800的多元酸。所述多元酸所包含的酸基团的摩尔数与导电聚合物单体的摩尔比优选为1∶12～12∶1。电活性电极表面覆盖上述合成方法所得的导电聚合物。本发明所述导电聚合物制备方法简单，且无需引入其他杂质。所制备的导电聚合物水凝胶具有高离子电导率，具备超亲水性和良好的生物兼容性。
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公开(公告)号：CN102120186B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010552955.X
申请日：2010-11-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 在石墨烯上负载铂纳米颗粒的制备方法，制备的步骤如下：(1)取还原的石墨烯超声分散在乙二醇溶液中，再加入1-芘甲胺的乙二醇溶液，石墨烯、乙二醇和1-芘甲胺的乙二醇溶液的比(mg∶ml∶ml)为1∶8-20∶1-1.5；1-芘甲胺的乙二醇溶液的浓度为10-3M，搅拌20-120分钟，使1-芘甲胺自组装到石墨烯表面；(2)加入Nml的0.048M的氯铂酸乙二醇溶液，石墨烯比Nml(mg∶ml)为1∶0.8-1.5，用0.1M的氢氧化钠调节(1)中乙二醇溶液调节pH值为8-9，持续搅拌，在160℃的油浴中反应2小时获得石墨烯上高密度负载铂纳米颗粒；之后清洗冻干。
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公开(公告)号：CN101481500B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910024705.6
申请日：2009-02-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 导电高分子/碳纳米管复合介孔纳米管的制备方法，(1)先在碳纳米管上生长一层MnO2层，将碳纳米管和0.01M～1M高锰酸钾水溶液混合，在50～100℃温度条件下反应1～20小时，通过过滤法分离，得到包覆有二氧化锰的碳纳米管复合纳米结构MnO2@CNTs；(2)将所述MnO2@CNTs原料分散在溶剂中，将导电高分子单体溶解在质子酸的溶剂中，反应10分钟～72小时；pH值范围在0～6.5之间，反应温度在0℃～100℃范围内，有机酸为十二烷基苯磺酸或全氟辛磺酸，无机酸为硫酸或盐酸；导电高分子为聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩类；(3)MnO2模板本身参与反应，并可在反应完成后自发的除去。
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