公开(公告)号：CN103956389B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201410148707.7

申请日：2014-04-14

Applicant: 绍兴米来电子科技有限公司 ,  南京大学

Inventor： 蔡银飞 ,  翟东媛 ,  赵毅 ,  施毅

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/66143

Abstract: 本发明公开了一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底；N‑外延层，位于N+半导体衬底上；N‑外延层上加工阶梯状的沟槽结构；梯形沟槽内壁生长氧化层；N‑外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属；N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属。所述的沟槽结构是由两个直角沟槽形成阶梯状沟槽；即N‑外延层的截面为周期性排列的凸出状。将传统TMBS里面的直角沟槽的上部沟槽宽度变宽，这样能有效的调节沟槽中不同部位的电场耦合作用，从而调节沟槽中间有源区不同深度处电场强度。使用该结构可以保持在击穿电压不减小、正向导通电压只是略有增加的情况下，实现漏电的大幅降低。

公开(公告)号：CN104465649B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201410673950.0

申请日：2014-11-21

Applicant: 绍兴米来电子科技有限公司

Inventor： 蔡银飞 ,  翟东媛 ,  蒋金鸿 ,  朱俊 ,  赵毅

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/265

Abstract: 低电容多通道瞬态电压抑制器，包括P+半导体衬底，P‑外延层位于P+半导体衬底上；外延层上从左到右分别有包含第一环形P+有源注入区的左端，第一N阱，第一环形P+有源注入区的右端，第二N阱，第一P阱，第三N阱，第二环形P+有源注入区的左端，第四N阱，第二环形P+有源注入区的右端。所述的第一N阱和第四N阱上分别设有第一N+有源注入区和第五N+有源注入区；所述的第二N阱上设有第二N+有源注入区和第二P+有源注入区；所述的第一P阱上设有第三N+有源注入区；所述的第三N阱上设有第四N+有源注入区和第三P+有源注入区。

公开(公告)号：CN103956389A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410148707.7

申请日：2014-04-14

Applicant: 杭州启沛科技有限公司 ,  南京大学

Inventor： 蔡银飞 ,  翟东媛 ,  赵毅 ,  施毅

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0619

Abstract: 本发明公开了一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底；N-外延层，位于N+半导体衬底上；N-外延层上加工阶梯状的沟槽结构；梯形沟槽内壁生长氧化层；N-外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属；N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属。所述的沟槽结构是由两个直角沟槽形成阶梯状沟槽；即N-外延层的截面为周期性排列的凸出状。将传统TMBS里面的直角沟槽的上部沟槽宽度变宽，这样能有效的调节沟槽中不同部位的电场耦合作用，从而调节沟槽中间有源区不同深度处电场强度。使用该结构可以保持在击穿电压不减小、正向导通电压只是略有增加的情况下，实现漏电的大幅降低。