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公开(公告)号：CN117425539A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202280040598.X
申请日：2022-06-28
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 坂本刚志
IPC: B23K26/53 , H01L21/304 , H01L21/301 , B23K26/064
Abstract: 一种激光加工装置，具备：支撑部，其支撑对象物；光源，其输出激光；空间光调制器，其用于将自上述光源输出的上述激光根据调制图案进行调制并输出；聚光透镜，其用于将自上述空间光调制器输出的上述激光朝向上述对象物聚光，在上述对象物形成上述激光的聚光光点；移动部，其用于使上述聚光光点相对于上述对象物相对移动；及控制部，其至少控制上述光源、上述空间光调制器及上述移动部，以上述聚光光点的光束形状至少在较上述聚光光点的中心更靠近第一面侧，成为倾斜形状的方式，控制上述调制图案。
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公开(公告)号：CN117083696A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202280024323.7
申请日：2022-03-01
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明的激光加工装置所实施的激光加工方法包含：第1工序，其中，对在表面侧具有功能元件层的对象物的表面或背面照射激光，通过激光退火进行照射面的平坦化；以及第2工序，其中，对在第1工序中平坦化的照射面照射激光，而在对象物的内部形成改质层，激光的脉冲间距比激光的脉冲间距更短。
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公开(公告)号：CN117020449A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311243325.8
申请日：2019-10-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 激光加工装置具备：支承部、照射部、移动机构、控制部及摄像部。控制部实行第1前处理，该第1前处理是沿着具有并排配置的多条并行线的加工用线将激光照射于对象物，而在对象物形成改质区域。摄像部取得第1图像，该第1图像呈现通过第1前处理而沿着具有多条并行线的加工用线形成了改质区域的情况的加工状态。
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公开(公告)号：CN112955274B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201980071694.9
申请日：2019-10-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/78 , B23K26/08 , B23K26/042
Abstract: 一种激光加工装置(激光加工装置1)，具备：能够沿第一方向(X方向)移动，且能沿所述第一方向及与所述第一方向交叉的第二方向(Y方向)将对象物支承用的支承部(支承部7)；沿所述第二方向彼此相对地配置，用于将激光照射在被支承于所述支承部的所述对象物的第一激光加工头(第一激光加工头10a)及第二激光加工头(第二激光加工头10b)；安装有所述第一激光加工头，且能分别沿与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向(Z方向)及所述第二方向移动的第一安装部(安装部65)；及安装有所述第二激光加工头，且能分别沿所述第二方向及所述第三方向移动的第二安装部(安装部66)。
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公开(公告)号：CN110945630B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201880048624.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/304 , B23K26/00 , B23K26/53
Abstract: 层叠型元件的制造方法具备：第1形成工序，对于第1晶圆的半导体基板，沿着切断预定线照射激光，由此，沿着切断预定线形成第1改质区域；第1研磨工序，研磨第1晶圆的半导体基板；接合工序，将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的半导体基板；第2形成工序，对于第2晶圆的半导体基板，沿着切断预定线照射激光，由此，沿着切断预定线形成第2改质区域；及第2研磨工序，研磨第2晶圆的半导体基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112789136B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201980065098.X
申请日：2019-10-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/00 , B23K26/02 , B23K26/53 , H01L21/301
Abstract: 本发明的摄像装置，用于拍摄因照射激光而形成于对象物(11)的改性区域和/或从上述改性区域(12)延伸的裂纹(14)，其包括：利用透射上述对象物的光拍摄上述对象物的第1摄像单元；和控制上述第1摄像单元(4)的第1控制部，从与上述激光的入射面交叉的方向看时，上述对象物包含由第1线(15a)和与上述第1线交叉的第2线(15b)界定出的多个功能元件(22a)，上述第1控制部，在沿着上述第1线和上述第2线形成上述改性区域之后，执行第1摄像处理，该第1摄像处理为控制上述第1摄像单元以拍摄从上述方向看时上述功能元件的与上述第1线对应的边的区域，该区域包含上述改性区域和/或从该改性区域延伸的上述裂纹。
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公开(公告)号：CN110520972B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201880025659.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/304 , B23K26/00 , B23K26/53
Abstract: 一种芯片的制造方法，包括：第1工序，对包含多个功能元件的基板设定第1切断预定线及第2切断预定线；第2工序，以覆盖上述功能元件且使包含上述第1切断预定线和上述第2切断预定线的交叉点的交叉区域露出的方式在上述基板形成掩模；第3工序，通过使用上述掩模将上述基板蚀刻，从上述基板将上述交叉区域除去而形成贯通孔；第4工序，沿着上述第1切断预定线在上述基板形成改质区域；第5工序，沿着上述第2切断预定线在上述基板形成改质区域；第6工序，沿着上述第1切断预定线及上述第2切断预定线将上述基板切断而形成芯片。
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公开(公告)号：CN116246968A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211563910.1
申请日：2022-12-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种检查方法，其是激光加工装置实施的检查方法，其中，具备：第一工序，对于形成有改性区域的晶圆，在背面上贴附保持构件，将该保持构件中的载置面设置于吸附台；第二工序，通过拍摄单元对设置于吸附台的晶圆输出具有透过性的光，并检测在晶圆中传播后的具有透过性的光；第三工序，基于从检测出具有透过性的光的拍摄单元输出的拍摄图像，确定晶圆的改性区域相关的状态，其中，在第一工序中，将根据改性区域距离设定了厚度的保持构件贴附到背面。
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公开(公告)号：CN110945629B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201880048622.8
申请日：2018-07-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/53 , H01L21/02 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/322
Abstract: 层叠型元件的制造方法具备：第1形成工序，对于第1晶圆的半导体基板照射激光，由此，在每个功能元件形成第1吸除区域；第1研磨工序，研磨第1晶圆的半导体基板，去除第1吸除区域的一部分；接合工序，将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的半导体基板；第2形成工序，对于第2晶圆的半导体基板照射激光，由此，在每个功能元件形成第2吸除区域；及第2研磨工序，研磨第2晶圆的半导体基板，去除第2吸除区域的一部分。
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公开(公告)号：CN116113517A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202180060941.2
申请日：2021-03-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/067
Abstract: 本发明是用于对对象物照射激光来形成改性区域的激光加工装置，其具备：用于支撑所述对象物的支撑部、用于朝向被所述支撑部支撑的所述对象物照射所述激光的照射部、用于使所述激光的聚光区域相对于所述对象物相对移动的移动部、以及用于控制所述移动部及所述照射部的控制部。所述对象物具有结晶结构，该结晶结构含有：(100)面、一个(110)面、另一个(110)面、与所述一个(110)面正交的第1结晶方位、和与所述另一个(110)面正交的第2结晶方位，并且所述对象物是以所述(100)面成为所述激光的入射面的方式支撑于所述支撑部。
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