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公开(公告)号：CN114538925A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210082967.3
申请日：2022-01-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于金属功能半导体氧化物、敏感电阻材料与器件、电子陶瓷等领域，具体地涉及一种通过快速热处理工艺实现氧化物复合相与氧化钒晶粒共格烧结的技术方法。其特征在于，在氧化钒粉体中加入一定比例的与之晶体结构及晶格参数相近的氧化物复合相，并通过高能量尺度热处理工艺实现氧化钒母体晶粒与复合相氧化物间的共格烧结，从而大幅提高氧化钒电子相变材料力学强度、电子相变功能稳定性、抗疲劳与抗热冲击性。由本发明所制备的复合氧化钒电子相变材料进一步制备的突变式热敏电阻、压力敏感电阻等敏感元器件，具有更高的电子相变功能稳定性、力学性能、抗老化性、抗热冲击性，且在低温、高压、高辐射等极端环境下其使用寿命显著提高。
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公开(公告)号：CN109859916B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910036870.7
申请日：2019-01-15
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01C7/00
Abstract: 本发明提供一种基于热力学亚稳定状态的扭曲钙钛矿结构稀土镍基钙钛矿化合物的Delta温区电阻，其电学特征在于，所述材料电阻率在一段设定的温度区间内明显高于其之外两端范围，从而呈现电阻率随温度的Delta变化。通过改变稀土镍基钙钛矿化合物钙钛矿结构中A原子位的稀土元素比例、材料应力状态、应力加载取向等手段，可以实现对Delta电阻温度范围、区间宽度、以及电阻值变化等参数的精准调节。该发明属于电子信息与电子器件领域，所述电阻率率随温度的Delta变化特性，在实现从而实现对特定温度区间范围的功能锁定、电路保护、涌浪电流抑制等电路智能化控制设计中具有可观的应用价值。
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公开(公告)号：CN109503165B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201811527041.0
申请日：2018-12-13
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供一种亚稳态稀土镍基钙钛矿氧化物粉体材料的合成方法，属于无机非金属功能陶瓷粉体材料领域，具体地涉及一种通过使用具有助熔剂与异质子晶双重作用的添加剂，通过两个温度的热处理过程制备处于热力学亚稳定状态下的稀土镍基钙钛矿氧化物粉体材料的方法。所述添加剂材料优选碱金属卤化物，其使用可有效降提高材料合成的有效性与经济性。所制备亚稳态稀土镍基钙钛矿粉体材料的晶体结构为ABO3的钙钛矿结构ReNiO3：Re位为单一稀土元素或多种稀土元素的组合，其具有温致、氢致金属绝缘体相转变，热敏电阻，以及质子导体特性，在制备功能电子器件、传感器、燃料电池、热敏电阻、红外探测敏感材料等方面具有可观的应用价值。
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公开(公告)号：CN110823401A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911031899.2
申请日：2019-10-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01K7/16
Abstract: 一种基于变频温区极值阻抗的主动式Delta温区电阻及使用方法。所述主动式Delta温区电阻具有对于不同频率的交流电信号呈现不同的实部阻值，且对于固定频率的交变电信号该实部电阻值随温度的增加呈现先增加后减小的趋势并在一定温度区间内呈现出极大值，而实现极值实部电阻的温区范围能够通过改变输入交变电信号的频率加以调节控制，优选亚稳相稀土镍基钙钛矿氧化物、掺杂二氧化钒、稀土铜铁基钙钛矿化合物、钙铁氧钙钛矿氧化物。通过对主动式Delta温区电阻施加具有一定可调频率的交变电信号，利用频率大小调节出现极大值实部电阻的温度范围，从而进一步实现对电子器件、电路等工作温度的可调节式主动锁定，以及对目标温区的探测与传感等电路智能化控制设计方面的应用。
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公开(公告)号：CN108928856A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201811061595.6
申请日：2018-09-12
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G53/00
Abstract: 一种热力学亚稳态稀土镍基氧化物材料的非真空合成方法,属于无机功能材料领域，具体地是通过设计一种将湿化学旋涂法这一非真空沉积过程，并辅助与单晶衬底模板效应和高压退火过程相结合的综合效应，实现降低稀土镍基亚稳定氧化物多晶薄膜材料的生长自由能，从而实现热力学亚稳态稀土镍基氧化物材料的非真空合成。与以往所使用的脉冲激光沉积、磁控溅射、金属有机物化学气相沉积等真空方法相比，本发明所提供制备亚稳态稀土镍基钙钛矿化合物的方法不涉及任何真空沉积过程，方法简便，制备成本低廉。所制备材料具有温致、氢致金属绝缘体相转变特性，在制备功能电子器件、传感器、智能窗户等方面具有可观的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106890339A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710097301.4
申请日：2017-02-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: A61K47/69 , A61K47/54 , A61K33/26 , A61K49/18 , B82Y5/00 , H01F1/00 , A61P7/06 , A61P37/04 , A61K31/715
CPC classification number: A61K49/1863 , A61K31/715 , A61K33/26 , B82Y5/00 , H01F1/0054 , A61K2300/00
Abstract: 本发明一种天然植物多糖修饰的超顺磁性纳米颗粒及其制备方法，Fe3O4超顺磁性纳米颗粒核的粒径在5~30 nm间可调，从而使复合纳米颗粒的粒径可以按实际应用的尺寸需求进行调整；植物多糖成分与Fe3O4超顺磁性纳米颗粒核的质量百分比在10%~61%间可调，从而使复合纳米颗粒的组分可以根据实际应用的成分要求进行灵活调整。本发明的优点在于：植物多糖修饰的超顺磁性纳米颗粒表面具有亲水性基团，能够在水相溶液中均匀稳定地分散，易于生物体吸收；复合纳米颗粒具有超顺磁性，可用于磁共振成像检测；天然植物多糖组分能够提高生物体免疫力，与纳米颗粒中的Fe3O4同时被生物体吸收，可以充分发挥补铁补血的治疗保健作用。
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公开(公告)号：CN101752051B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010119180.7
申请日：2010-03-05
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01F10/10
Abstract: 一种垂直磁各向异性多层膜[Ni(x)/Co2MZ(y)]n，其易磁化轴方向垂直于薄膜平面，属于磁性材料领域。其特征在于：Co2MZ为L21、B2或A2结构的半金属Heusler合金组分，M为Fe、Cr、Mn等元素，Z为Al、Si、Ge、B等元素，各层膜厚度x、y为0.6nm＜x＜20nm，0.4nm＜y＜5nm，[Ni(x)/Co2MZ(y)]周期结构的重复数目为2＜n＜20。本发明的优点在于：该薄膜具有高垂直磁各向异性场，可以通过控制Ni层与Co2MZ层的厚度调节矫顽力，并显著低于传统垂直磁各向异性膜的矫顽力，因此它可以用作垂直自旋阀或磁隧道结中的铁磁层，应用时能够克服小尺寸下的磁卷缩和涡旋磁畴结构，且矫顽力可调，能够满足超高灵敏度和存储密度的磁传感器或存储器的使用要求。
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公开(公告)号：CN101840993A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010168882.4
申请日：2010-05-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于磁电互控非易失存储技术领域，提供了一种新型的具有交换偏置效应的半金属/多铁材料多层膜结构，其具有大的交换偏置场，小的矫顽力，高的截止温度和优良的稳定性能。从底层往上第一层为多铁薄膜层，厚度约为20～200纳米；从底层往上第二层为半金属薄膜层，包括Co2FeAl、Co2FeSi、Co2MnSi、Co2CrAl、Co2(Cr1-xFex)Al[0＜x＜1]、Co2Fe(Al1-xSix)[0＜x＜1]、Co2(Fe1-xMnx)Si[0＜x＜1]等Co占据A位置的A2BC型full-Heusler合金材料，厚度约为2～20纳米；从底层往上第三层为金属钽保护层，厚度约为3～10纳米。
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公开(公告)号：CN101276879A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810103181.5
申请日：2008-04-01
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构，属于磁随机存储技术领域，所提供的双自由层垂直铁磁性隧道结(MTJ)结构的最底层为底电极层，从底往上依次为反铁磁层、钉扎层、为绝缘层、第1自由层、第2自由层、顶电极层。第1自由层和第2自由层构成双自由层结构。所述钉扎层和第1自由层为磁各向异性易轴垂直膜面材料，第2自由层为各向异性值大于35KA/m的面内磁各向异性材料。这种结构具有低写入电流特性，可实现超高存储密度，将被广泛应用到新型磁传感器或磁随机存储器件等器件中。
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公开(公告)号：CN1305086C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410009961.5
申请日：2004-12-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种利用表面活化剂抑制界面反应的方法，涉及磁性多层膜的制备方法。本方法是在清洗干净的玻璃基片上依次沉积钽Ta(50～120)/氧化镍NiO(60～100)/铋Bi(或Pb、In等)(2～30)/镍铁NiFe(30～100)/钽Ta(50～90)。本发明由于采用表面活化剂Bi(或Pb、In等)插入自旋阀巨磁电阻多层膜或隧道结中的反铁磁NiO/铁磁NiFe薄膜界面，NiO与NiFe间的界面反应被抑制，其交换耦合场Hex比不插表面活化剂Bi(或Pb、In等)的交换耦合场Hex提高最大可达80%，具有制备方便、不需要磁场热处理、成本低、交换耦合场Hex提高明显等优点。
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