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公开(公告)号：CN102194828A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010128030.2
申请日：2010-03-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种新型源漏结构的抗辐照SOI器件，包括衬底硅层，埋氧化层、有源区硅层、栅氧化层及隔离氧化层，所述有源区硅层上形成源区、漏区和沟道区，其特征在于，所述源区或者漏区与埋氧化层之间有一层与源区或者漏区掺杂类型相反的掺杂层。通过改变源漏区与埋氧层界面处的掺杂类型，使辐照导致的埋氧层界面处的寄生导电沟道无法导通，从而减少总剂量辐照引起的SOI器件背栅泄漏电流以及由于耦合引起的器件性能退化，达到提高SOI器件抗总剂量辐照能力的目的。
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公开(公告)号：CN104386746B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410662537.4
申请日：2014-11-19
Applicant: 北京大学
IPC: C01G29/00
Abstract: 本发明公开了一种利用水热法制备小尺寸氯氧化铋晶片的方法。本发明的方法采用将铋离子在氯离子的参与下水解，形成氯氧化铋晶核；在密封容器中控制加热的时间和温度，从而形成氯氧化铋晶片；冷却、清洗并烘干，得到粉末状高纯度的尺寸可控制的氯氧化铋晶片。本发明采用氯化铋直接水解的原理，反应物只有一种，工艺流程简便，成本低，并且通过改变加热的温度和时间，可以控制产物的尺寸，从而控制产物性能，是一种具有商业利用价值的制备方法；所制备的氯氧化铋晶片可广泛应用于日化、环保、塑料、涂料和催化剂等产业和领域。
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公开(公告)号：CN115124256B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202210729797.3
申请日：2022-06-24
Applicant: 北京大学深圳研究生院 , 深圳湾实验室
IPC: C03C17/22 , C01G21/00 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种全无机钙钛矿薄膜制备方法及窄带光电探测器。本发明通过将一定量的卤化铅和卤化铯粉末分别溶解在不同的溶剂中，制备出钙钛矿粉末，再将钙钛矿粉末溶于DMSO和DMF中，得到钙钛矿前驱体溶液，采用ALS喷涂工艺得到钙钛矿薄膜，在提升钙钛矿溶解度的同时又优化了薄膜的质量，最终得到的钙钛矿薄膜致密性好，质量高，结晶度高，有利于电荷传输。本发明在获得钙钛矿薄膜后，进一步对其进行了高温加热处理，对于经过加热处理的薄膜，结晶颗粒将变大甚至能够跨越整个薄膜的厚度，所有的钙钛矿薄膜都表现出了良好的连续性和平整度，增加了薄膜结晶速率，提高薄膜结晶质量，能够减少晶格中存在的缺陷，优化薄膜的平整度和载流子的传输能力。
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公开(公告)号：CN117481706A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311582804.2
申请日：2023-11-24
Applicant: 北京大学第一医院
Abstract: 本发明公开一种穿刺活检消融系统及其形成方法，方法包括：形成具有内部并排设置沿其长度方向延伸的第一针槽和第二针槽的鞘体的外鞘结构；形成具有用于插置在鞘体的第一针槽内且可沿第一针槽前后移动的活检结构；形成具有用于插置在鞘体的第二针槽内且可沿第二针槽前后移动的消融止血结构；其中，所述活检针沿第一针槽前后移动过程中获取并暂存病灶处待活检病理组织，所述消融针在所述活检针暂存待活检病理组织后，沿第二针槽向前移动以对病灶及外鞘结构经过的针道中可能残存的肿瘤细胞进行消融及止血处理。本发明的穿刺活检消融系统，既能降低穿刺活检过程中的出血风险，又能防止出现针道转移，大大提高肿瘤患者的生存质量和生存时间。
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公开(公告)号：CN113358221A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110715838.9
申请日：2021-06-25
Applicant: 深圳市拓日新能源科技股份有限公司 , 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种光电感应钙钛矿探测器，包括探测器主体和设置于所述探测器主体表面且能够将感应到的光信号转化为电信号的光电转换组件；所述探测器主体内设置有探测信号控制电路；所述探测信号控制电路用于根据所述光电转换组件的不同感应状态执行不同工作状态。本发明通过控制光线的方式来自动化地、规则性地控制光电感应钙钛矿探测器进行运作，以适应各种光电感应钙钛矿探测器场景应用；与传统的光电转换组件相比，具备较佳的探测性能以及制备难度小、工序少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110711007A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201911028538.2
申请日：2019-10-28
Applicant: 北京大学第一医院
IPC: A61B17/12
Abstract: 本发明公开经血管腔内栓塞剂注射装置，包括混合组件、保温组件和注射组件，混合组件将保护性栓塞剂混匀；保温组件对混匀的栓塞剂加热保温，使其保持为半凝胶态；注射组件将半凝胶态的栓塞剂推注至需要堵塞的血管腔内，暂时性堵塞血管，起到保护性栓塞的作用。本装置对栓塞剂预热，使泊洛沙姆由液态变成半凝胶态，维持保护性栓塞剂在半凝胶态条件下推注，提高了注射稳定性、可操作性；栓塞位置精确性；注射用量限制在安全范围，避免低温注射，泊洛沙姆随血流而升温形成胶塞时被血流带走，导致栓塞位置漂移，甚至误栓风险；避免栓塞剂用量不稳、推注速度不可控，影响介入治疗药物的药效，降低介入治疗效果。
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公开(公告)号：CN105006485A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510337336.1
申请日：2015-06-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L29/66 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种基于拓扑半金属的FET和HEMT及其制备方法。本发明的场效应晶体管包括：衬底；形成在衬底上的沟道层；分别形成在沟道层上两侧的源极和漏极；形成在沟道层上源极和漏极之间的栅极；沟道层采用n型掺杂或p型掺杂的砷化镉Cd3As2材料。本发明的沟道层采用拓扑半金属Cd3As2，是一种新型的拓扑材料，其体态具有两个狄拉克锥，狄拉克点受晶体对称性保护而不会产生能隙；Cd3As2具有超高的电子迁移率，对于高质量的Cd3As2样品，室温下的电子迁移率可达1.5×104cm2/V·s，5K时可达107cm2/V·s，远远超过现有晶体管；由于Cd3As2特殊的能带结构，有望在低温下实现无耗散的弹道输运。
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公开(公告)号：CN102328952B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110183575.8
申请日：2011-06-30
Applicant: 北京大学 , 呼和浩特市若兹新能源有限责任公司 , 内蒙古科技大学
IPC: C01G23/00 , H01M4/1391
Abstract: 本发明公开了一种球形钛酸锂材料的制备方法，将球形二氧化钛与锂化合物水溶液混合，90～110℃水热反应15～25小时，所得中间体经干燥、研磨后在700～900℃高温烧结1～5小时，得到球形钛酸锂材料。该方法制备的球形钛酸锂材料粒度均匀，振实密度达到1.0～1.2g/cm3，具有优良的电化学性能，是理想的高功率锂离子动力电池用负极材料，而且制备方法简单实用，成本低，适合工业化规模生产。
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公开(公告)号：CN102328952A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110183575.8
申请日：2011-06-30
Applicant: 北京大学 , 呼和浩特市若兹新能源有限责任公司
IPC: C01G23/00 , H01M4/1391
Abstract: 本发明公开了一种球形钛酸锂材料的制备方法，将球形二氧化钛与锂化合物水溶液混合，90～110℃水热反应15～25小时，所得中间体经干燥、研磨后在700～900℃高温烧结1～5小时，得到球形钛酸锂材料。该方法制备的球形钛酸锂材料粒度均匀，振实密度达到1.0～1.2g/cm3，具有优良的电化学性能，是理想的高功率锂离子动力电池用负极材料，而且制备方法简单实用，成本低，适合工业化规模生产。
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公开(公告)号：CN101719497B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200910238271.X
申请日：2009-11-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L23/552 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路，属于电子技术领域。本发明抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，沟槽中填充有沟槽填充材料，其特征在于，在和所述NMOS器件相邻的沟槽中，所述沟槽填充材料中嵌入一牺牲材料层，所述牺牲材料是掺杂了第三主族元素的硅。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业。
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