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公开(公告)号：CN102024801B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010513048.4
申请日：2010-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L21/98
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L2224/16145 , H01L2224/94 , H01L2224/81
Abstract: 本发明公开了一种超薄芯片垂直互联封装结构及其制造方法。该结构包括由上至下依次叠放在一起的顶层、中介层和底层，所述中介层具有TSV垂直互联结构，所述中介层的正面和反面分别具有至少一层重新布局互联层，且分别具有微焊球或焊垫；所述顶层的有源层具有微焊球或焊垫，并面向所述中介层的正面；所述底层的有源层具有微焊球或焊垫，并面向所述中介层的背面。顶层芯片、底层芯片的正面分别装载在中介层芯片的正面、背面，避免了在顶层、底层芯片上制作TSV互联，有效地降低了顶层、底层芯片的损伤，提高了芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN102214662A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110105424.0
申请日：2011-04-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/144 , G01J5/22 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了非制冷红外焦平面阵列探测器单片集成结构及制作方法，属于半导体制造领域。本结构包括硅晶圆，硅晶圆具有相对的第一表面和第二表面；硅晶圆第一表面上设有红外焦平面敏感元件阵列，第二表面上设有红外焦平面敏感元件阵列的信号处理电路，硅晶圆上设有硅通孔微互连，红外焦平面敏感元件阵列通过硅通孔微互连与信号处理电路电连接。与现有技术相比，本发明实现了红外敏感元件阵列与其信号处理电路的有效热隔离，降低红外敏感元件阵列传导到其信号处理电路的热量，提高了信号处理电路的性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN102214624A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110128047.2
申请日：2011-05-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2224/13
Abstract: 本发明公开了一种具有通孔的半导体结构及其制造方法，半导体结构包括衬底、多个环形通孔和多个实心通孔，环形通孔和实心通孔嵌于衬底中；实心通孔是金属填充的通孔；环形通孔是实心介质塞和环绕实心介质塞的金属环填充的通孔。其制造方法为：1)在衬底的第一表面上刻蚀出多个深孔；2)形成金属层；3)在衬底第一表面上粘附干膜，图形化所述干膜，使干膜在一部分深孔上形成开口；4)向干膜上有开口的的深孔填充金属，去掉所述干膜；5)向剩余深孔中填充介质，形成实心介质塞；6)减薄所述衬底的第二表面。本发明的半导体结构的实心通孔可以用于叠层芯片散热，改善电源完整性；环形通孔则可以改善通孔结构的应力，以及翘曲变形等问题。
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公开(公告)号：CN102183333A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201010612818.0
申请日：2010-12-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种含有硅通孔的电容式压力传感器及其制造方法，属于微机械电子技术领域。本发明的电容式压力传感器包括含固定电极的基片，含可动电极的膜片，和与所述固定电极和可动电极电连接的测量电路；所述固定电极和所述可动电极之间存在间距，形成电容；所述可动电极位于所述膜片的梯形槽内，所述可动电极四周设有多个和所述可动电极相接的彼此间隔的经填充的通孔，所述通孔位于所述梯形槽的斜面中，将所述可动电极和部分所述斜面分隔。本发明还公开了含有硅通孔的电容式压力传感器的制造方法。本发明可用于现代工业生产、科学研究及日常生活中的多个应用领域。
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公开(公告)号：CN102130042A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010603554.2
申请日：2010-12-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种通孔互连结构的制作方法，包括在基片上制作盲孔，然后依次淀积种子层和有机物薄膜，贴干膜，并通过光刻在盲孔处形成小于盲孔口径的干膜开口，然后刻蚀去除盲孔底部的有机物薄膜，暴露出种子层，再对盲孔进行填充。进一步的，还公开了对通孔提供电子屏蔽的方法。本发明简化了通孔自下而上电镀填充的制作工艺，提高了成品率，降低了通孔互联结构制作的工艺成本；而且提供了一种应力缓冲结构，通孔侧壁覆盖的有机膜可以缓解通孔互连结构的应力状态，提高其可靠性；另外还提供了一种对通孔互联结构的电磁屏蔽结构，有利于提高通孔电信号传输性能，减小通孔间及对其它电路的干扰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102024801A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010513048.4
申请日：2010-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L21/98
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L2224/16145 , H01L2224/94 , H01L2224/81
Abstract: 本发明公开了一种超薄芯片垂直互联封装结构及其制造方法。该结构包括由上至下依次叠放在一起的顶层、中介层和底层，所述中介层具有TSV垂直互联结构，所述中介层的正面和反面分别具有至少一层重新布局互联层，且分别具有微焊球或焊垫；所述顶层的有源层具有微焊球或焊垫，并面向所述中介层的正面；所述底层的有源层具有微焊球或焊垫，并面向所述中介层的背面。顶层芯片、底层芯片的正面分别装载在中介层芯片的正面、背面，避免了在顶层、底层芯片上制作TSV互联，有效地降低了顶层、底层芯片的损伤，提高了芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN101452907B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810241119.2
申请日：2008-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/522 , H01L23/482 , H01L21/768 , H01L21/60 , B81B7/00 , B81C1/00
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于三维系统级封装的垂直互连过孔及其制备方法，属于微电子封装技术领域。该垂直互连过孔的形状为上、下两部分分别为一圆台，中间部分为一圆柱。其制备方法包括，利用带倾角的DRIE工艺、标准DRIE工艺以及DRIE工艺固有的footing效应，使硅片内垂直互连过孔的两端各带有一个过渡斜角。这样，在不增加工艺步骤的情况下，可以使硅片内垂直互连过孔的传输连线更平滑，减少在突变点处的电磁辐射，并且减少在拐角处的电磁回波损耗，从而提高叠层后三维立体互连的传输能力。
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公开(公告)号：CN101634662A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910090736.1
申请日：2009-08-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种微加速度计及其制备方法，属于微惯性器件的加工技术领域。该微加速度计设置在封装基板上，封装基板由上、下表面板和若干个中间基板堆叠而成，加速度计的信号检测电路附着在上表面板上，加速度计的敏感元件内嵌于中间基板，即带有空腔的中间基板构成敏感元件的框架，敏感元件的挠性悬挂和敏感质量块设置在空腔内，挠性悬挂的一端连接敏感质量块，另一端固定在框架上，且在敏感质量块和与敏感质量块对应的框架表面上分别溅射金属电极，形成平板式敏感电容，或在挠性悬挂与框架内侧面连接处的位置淀积金属压阻厚膜图形，构成金属压阻应变计。本发明制备的微加速度计敏感度高，且可以耐高温，与系统级封装基板融合为一体，其加工难度和成本低。
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公开(公告)号：CN101452907A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810241119.2
申请日：2008-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/522 , H01L23/482 , H01L21/768 , H01L21/60 , B81B7/00 , B81C1/00
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种用于三维系统级封装的垂直互连过孔及其制备方法，属于微电子封装技术领域。该垂直互连过孔的形状为上、下两部分分别为一圆台，中间部分为一圆柱。其制备方法包括，利用带倾角的DRIE工艺、标准DRIE工艺以及DRIE工艺固有的footing效应，使硅片内垂直互连过孔的两端各带有一个过渡斜角。这样，在不增加工艺步骤的情况下，可以使硅片内垂直互连过孔的传输连线更平滑，减少在突变点处的电磁辐射，并且减少在拐角处的电磁回波损耗，从而提高叠层后三维立体互连的传输能力。
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公开(公告)号：CN101301993A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200710106842.5
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明提供了一种利用低温共烧陶瓷基板对MEMS器件进行真空封装的方法：首先利用低温共烧陶瓷的多层电路结构、三维布线把电路中应用的各种无源元器件和传输线等完全掩埋在基板介质中；然后把MEMS器件粘接或焊接在基板上，并完成电气连接；最后将带有MEMS器件的低温共烧陶瓷基板整体直接作为封装外壳的管底，以传统的混合集成电路用金属封装外壳做管帽，结合传统的密封方法，如激光密封、焊环密封和金属管密封，获得对MEMS器件的真空封装。此方法工艺条件实现简单，成本低，便于批量加工，实现了对引线的真空密封，使漏偏率大大降低，增强真空保持性能，特别适用于面向射频/微波、惯性等应用的MEMS器件的真空封装。
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