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公开(公告)号：CN107782709A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610719183.1
申请日：2016-08-24
申请人： 北京大学
IPC分类号： G01N21/65
摘要： 本发明公开了一种同位素脉冲标定石墨烯生长速度的方法。该方法包括：将基底依次进行升温和退火后，在还原性气体和12C碳源气体中，进行石墨烯的生长，生长完毕后降温切断气源，得到石墨烯；其中，所述石墨烯的生长步骤中，以脉冲形式通入13C碳源气体。该方法在不改变原气流的基础上引入同位素脉冲，操作简便，耗费同位素气体少，对石墨烯生长影响小，能低成本准确地还原石墨烯生长过程，标定石墨烯单晶生长速度，间接评定工业级石墨烯生长的能耗。
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公开(公告)号：CN107689323A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710684312.2
申请日：2017-08-11
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02376 , H01L21/02414 , H01L21/02428 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007
摘要： 本发明公开了一种适用于Ⅲ族氮化物外延生长的石墨烯蓝宝石衬底。该衬底的制备方法包括对蓝宝石衬底进行石墨烯化学气相沉积的步骤；其中，所述方法还包括：在所述化学气相沉积步骤之后对体系进行等离子体处理的步骤。所述等离子体处理具体可为氧等离子体处理、氮等离子体处理或氩等离子体处理。本发明可以实现Ⅲ族氮化物薄膜的快速高效制备，直接大幅度降低了Ⅲ族氮化物薄膜生产成本。得到的Ⅲ族氮化物可以进一步加工成LED器件，基于石墨烯非常好的热导率，制成的LED芯片可以避免使用过程中的过热问题。
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公开(公告)号：CN104651777B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510072662.4
申请日：2015-02-11
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种二维硫族晶体的印刷式定点生长方法。该方法包括：1)将弹性印章先浸泡于可挥发性溶剂中，再取出所述弹性印章压印在基底表面，待所述可挥发性溶剂挥发后，将所述基底从所述弹性印章上剥离，得到图案化修饰的基底；2)在非氧化性气氛中，按照气路由下游至上游的顺序，依次放置图案化修饰的基底和硫族材料进行物理气相沉积，沉积完毕后降温，即得到所述二维硫族晶体。本发明发展了一套普适的二维硫族原子晶体控制生长的方法，可以得到大面积，高质量的形状、成核位点、取向和厚度可控的二维硫族原子晶体。这种方法制备得到的二维硫族原子晶体阵列可以被转移至其它任意基底，并在光电检测等领域具有重要的潜在应用。
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公开(公告)号：CN107311467A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710389433.4
申请日：2017-05-27
申请人： 北京大学
CPC分类号： Y02E10/40 , C03C17/22 , F24S2080/014
摘要： 本发明公开了一种基于在普通钠钙玻璃基底上生长垂直结构的石墨烯用于光热转化的方法，所述技术方法包括以下步骤：制备石墨烯玻璃，所述石墨烯玻璃中石墨烯层高度为1-100nm；所述石墨烯玻璃的制备方法包括提供玻璃基底，将玻璃基底置于等离子体反应腔内，碳源被裂解产生等离子体，等离子体在所述玻璃基底上沉积得到石墨烯玻璃，沉积过程中等离子腔体的温度为500-600摄氏度。本发明与其他光热转化器件相比，无需进行特殊的结构设计，便可获得具有特殊结构的、垂直于玻璃基底的石墨烯纳米片。在模拟太阳光的照射下，石墨烯玻璃的表面温度从室温25℃可以增加至58℃左右，显示出很高的光热转换效率。
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公开(公告)号：CN107026259A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610069008.2
申请日：2016-02-01
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/62 , H01M10/0525 , B82Y30/00
摘要： 本发明公开了一种石墨烯复合电极材料及其制备方法与应用。本发明石墨烯复合电极材料由锂离子电池电极材料和所述锂离子电池电极材料表面包覆的石墨烯组成；所述石墨烯的厚度在0.3～5nm之间。它的制备方法，包括如下步骤：1)将锂离子电池电极原料煅烧，煅烧完毕后降温；2)将步骤1)处理的所述锂离子电池电极材料升温，然后通入碳源进行化学气相沉积反应，即得到所述石墨烯复合电极材料。本发明制备方法简单，可控性高，适合工业连续化生产。
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公开(公告)号：CN106542598A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201710049845.3
申请日：2017-01-23
申请人： 北京大学
IPC分类号： C02F1/14 , C02F103/08
CPC分类号： Y02A20/128 , Y02A20/129 , Y02A20/142 , Y02A20/212 , C02F1/14 , C02F1/043 , C02F2103/08
摘要： 本发明公开了一种太阳能海水淡化装置。所述太阳能海水淡化装置包括海水蒸发室；其中，所述装置还包括冷凝收集盖、微孔聚热蒸发片和环形水槽；所述冷凝收集盖位于所述海水蒸发室上部，用于收集所述海水蒸发室中蒸发的水蒸汽；所述冷凝收集盖的上盖板倾斜放置；所述冷凝收集盖的下部设有所述环形水槽，用于收集所述冷凝收集盖冷凝的水；所述微孔聚热蒸发片位于所述海水蒸发室内海水上表面；所述海水蒸发室的下部一端设有海水进水口，另一端设有冷凝水收集口；所述冷凝水收集口位于所述环形水槽底部。本发明提供的太阳能海水淡化装置能提高太阳能海水淡化效率与产率。
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公开(公告)号：CN106521450A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611094399.X
申请日：2016-12-02
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种制备超平整石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：对铜箔进行抛光后退火至所述铜箔取向占优的晶面为(111)，再进行石墨烯的生长，停止生长得到所述平整石墨烯。本发明采用平整铜箔的(111)晶面以及合适的化学反应窗口制备了超平整石墨烯。超平整石墨烯的平整度达到0.5nm，远优于普通铜箔上生长的石墨烯。利用该方法所得超平石墨烯具有优于粗糙石墨烯的抗腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN102134067A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110096201.2
申请日：2011-04-18
申请人： 北京大学
IPC分类号： C01B31/04
摘要： 本发明公开了一种制备单层石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：1)制备合金基底；2)在氢气和惰性气氛中，通入利用化学气相沉积方法在所述步骤1)所得合金基底表面催化生长石墨烯，完成所述单层石墨烯的制备。该方法利用合金基底中两种或以上不同合金金属的特性，实现了对碳源的分解、扩散和析出过程的控制，简单、高效地约束了溶解于金属基底中碳的析出过程，使得石墨烯能够以表面催化的形式生长，获得了层数分布均一的单层石墨烯，特别适合应用于工业化生产，尤其适用于单层或少层石墨烯的可控制备。
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公开(公告)号：CN101988184A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200910090360.4
申请日：2009-08-06
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种制备石墨烯薄膜的方法。该方法包括下述步骤：1)将含碳金属蒸镀到具有热氧化层的硅基底上，形成金属薄膜；所述含碳金属中碳的质量百分含量为0.002-0.02％；2)将步骤1)得到的蒸镀了金属薄膜的硅基底置于真空退火炉中，在温度为900-1100℃、压力为10-4-10-2Pa的条件下进行退火处理，得到了依次由石墨烯-金属薄膜-热氧化层-硅基底组成的样品；其中，所述退火的时间为5-100分钟；3)然后将步骤2)中所述样品中的金属薄膜刻蚀掉，得到石墨烯薄膜。本发明利用碳在金属基底中扩散、析出的原理，简单、高效地将包藏在金属基底中的碳以石墨烯的形式析出，通过工艺条件的控制，得到面积大、层数分布均匀的石墨烯导电薄膜。该方法可用于芯片级石墨烯的规模批量制备。
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公开(公告)号：CN100580551C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200610113179.7
申请日：2006-09-18
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种用于合成碳纳米管的催化剂的定位的方法。该方法，包括以下步骤：1)在基底上涂光刻胶并烘干；2)配制催化剂溶液；3)用蘸有催化剂溶液的原子力显微镜针尖穿透光刻胶涂层，将针尖上的溶液转移到基底上；4)剥离光刻胶，得到定位有催化剂图形的基底。本发明可以在厘米以上尺度范围，获得线条宽度在1μm以内、点直径在1微米以内、定位精度在5μm以内的催化剂图案，而且具有在同一基底上精确定位两种或两种以上催化剂的能力。相对于普通的纳米蘸笔印刷技术而言，本发明可以淀积大量的物质，淀积的催化剂可以用于表面合成碳纳米管。本发明是对纳米蘸笔印刷技术在纳米材料合成等领域的拓展，具有非常强的实用性和广阔的应用前景。
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