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公开(公告)号：CN117822112A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202310255351.6
申请日：2023-03-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种Au(111)单晶的制备方法，所述方法包括以下步骤：1)清洗多晶金箔；退火多晶金箔和蓝宝石衬底；2)将多晶金箔按压至蓝宝石单晶上，形成堆叠；3)将堆叠结构放入炉腔中，在还原气氛下长时间退火；得到Au(111)单晶。本发明以单晶蓝宝石作为支撑基底，通过控制退火温度和退火氛围实现Au(111)单晶的制备，是一种实现过渡金属硫化合物单晶晶圆的综合制备策略。
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公开(公告)号：CN113582232B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110818515.2
申请日：2021-07-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高定向过渡金属硫属化合物纳米带生长的方法，所述方法包括以下步骤：1)将金箔置于钨箔上，熔融固化后，得到金单晶；2)将过渡金属氧化物粉末放置在金/钨基底上游；3)将硫属单质放置于氧化物粉末的上游；4)通入氩气，将基底、氧化物和硫属单质分别加热至不同温度，之后恒温，数分钟后在基底上生长得到高定向的过渡金属硫属化合物纳米带阵列。本发明以金单晶作为生长基底，生长过渡金属硫属化合物纳米带，能够通过控制过渡金属硫属化合物纳米带的取向，实现过渡金属硫属化合物纳米带阵列的生长，是一种实现高定向过渡金属硫属化合物纳米带生长的方法。
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公开(公告)号：CN108640091B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201810600968.6
申请日：2018-06-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积法制备二硒化钽纳米片的方法，包括：将购买的商业金箔进行清洗和高温预退火处理；将清洗和预退火后的金箔放入高温管式炉中，利用常压化学气相沉积的方法进行二硒化钽纳米片的生长。生长结束后，温度降至室温，同时关闭氩气和氢气，即可得到金箔上的不同厚度二硒化钽纳米片样品。化学气相沉积方法的使用能够实现大面积、高质量、厚度可调二硒化钽样品的批量可控制备；可以实现其微观形貌和电子结构的探索；通过调控生长时间可以制备不同厚度/畴区尺寸的二硒化钽样品。
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公开(公告)号：CN108640091A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810600968.6
申请日：2018-06-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积法制备二硒化钽纳米片的方法，包括：将购买的商业金箔进行清洗和高温预退火处理；将清洗和预退火后的金箔放入高温管式炉中，利用常压化学气相沉积的方法进行二硒化钽纳米片的生长。生长结束后，温度降至室温，同时关闭氩气和氢气，即可得到金箔上的不同厚度二硒化钽纳米片样品。化学气相沉积方法的使用能够实现大面积、高质量、厚度可调二硒化钽样品的批量可控制备；可以实现其微观形貌和电子结构的探索；通过调控生长时间可以制备不同厚度/畴区尺寸的二硒化钽样品。
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公开(公告)号：CN108298583A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810117506.9
申请日：2018-02-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用化学气相沉积制备垂直的金属性过渡金属硫化物纳米片阵列的方法，包括：1)利用多孔金作为生长基底；2)用单质硫和过渡金属的氯化物作为前驱体依次放置在气流上游；3)通入载气去除残留空气，气流稳定后，将单质硫、过渡金属的氯化物和多孔金分别加热至不同温度，保温一定的时间，在基底上生长得到垂直的金属性过渡金属硫化物纳米片阵列。这种方法可以实现大批量金属性过渡金属硫化物纳米片的制备，同时用此合成方法制得的垂直金属性过渡金属硫化物纳米片阵列具有优良的电催化析氢性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107452631A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710317167.4
申请日：2017-05-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/443 , H01L21/447 , H01L21/34 , H01L29/24 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于纳米材料应用领域，具体地，本发明涉及一种利用金属性过渡金属硫属化合物制备电子器件电极的方法。本发明包括以下步骤：1)采用人工按压法或两步化学气相沉积法在带有SiO2氧化层的硅片基底上制备金属性过渡金属硫属化合物与半导体性过渡金属硫属化合物的异质结；2)将步骤1)所述异质结转移至带有二氧化硅氧化层的基底上，制成样品，并在样品表面制作源极和漏极；3)采用热沉积法将分别将Ni与Au沉积在源极与漏极上，构筑背栅场效应晶体管，制得电子器件电极。本发明将金属性过渡金属硫属化合物材料作为半导体性过渡金属硫属化合物电子器件电极能够有效降低接触电阻，表现出良好的导电性。
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公开(公告)号：CN107445206A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710584985.0
申请日：2017-07-18
Applicant: 北京大学
CPC classification number: C01G39/06 , C01B19/007 , C01G41/00 , C01P2002/82 , C01P2004/02 , C01P2004/22 , C01P2004/51 , C01P2004/61
Abstract: 本发明公开了一种碱金属离子辅助过渡金属硫属化合物生长的方法，所述方法包括以下步骤：1)将基底进行清洗；2)将含碱金属离子的物质置于盛放基底的石墨舟上，放置于基底的上游或上方；3)在盛放基底的石墨舟上方放置与基底尺寸相同的钼箔或钨箔，在相对于基底的气流上游放置硫属单质；4)去除反应腔残留的空气，通入氩气，待气流稳定后，将硫属单质和基底分别加热至不同温度，之后恒温，数分钟后在基底上生长得到大尺寸的过渡金属硫属化合物。本发明利用碱金属离子辅助的方法生长过渡金属硫属化合物，能够在短时间内获得较大尺寸的样品，是一种实现高效制备高质量过渡金属硫化物的方法。
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公开(公告)号：CN106521456A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611024231.1
申请日：2016-11-18
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/45557 , C23C16/45559
Abstract: 本发明涉及一种进气方式及压力可调的多功能大尺寸化学气相沉积设备，包括：工艺腔室密封系统(3)、水冷热交换器(4)、压力调控系统(5)、进出气系统(6)以及电气控制系统(7)；其中，工艺腔室(1)的水平一端安装有炉门机构及腔室密封系统(3)，其水平另一端则与压力调控系统(5)相连接，压力调控系统(5)对工艺腔室(1)内部的压力进行调节；工艺腔室(1)的垂直向外围安装有加热炉体及开合系统(2)；水冷热交换器(4)位于加热炉体及开合系统(2)的顶部，对其做温度调节；进出气系统(6)连通到工艺腔室(1)的内部；电气控制系统(7)对整个CVD设备进行控制。(1)、加热炉体及开合系统(2)、炉门机构及腔室
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公开(公告)号：CN105645778A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410725872.4
申请日：2014-12-03
Applicant: 北京大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明公开了一种超级石墨烯玻璃及其制备方法与应用。该方法包括：将作为基底的玻璃清洗干燥后，置于化学气相沉积系统中进行化学气相沉积，沉积完毕降温至室温，得到所述超级石墨烯玻璃。根据玻璃的种类，选择性地利用不同种类的化学气相沉积法在选定的玻璃基底上直接生长高质量且层数可控的石墨烯，从而实现超级石墨烯玻璃的制备。本方法实现了在各种各样的玻璃基底表面可控厚度的石墨烯薄膜的直接制备，制备出的石墨烯玻璃样品具有包罗万象的超级性质。该发明首次关注超级石墨烯玻璃的制备，对于石墨烯玻璃的基础研究及规模化应用都具有重大意义。
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公开(公告)号：CN120085497A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202311639244.X
申请日：2023-12-01
IPC: G02F1/137 , G02F1/1335 , G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/13357
Abstract: 本发明公开一种滤光片，包括：相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板和/或所述第二基板为由玻璃和设置在玻璃表面的石墨烯薄膜组成的石墨烯/玻璃透明基板；胆甾相液晶，设置于所述第一基板和所述第二基板之间，与石墨烯薄膜接触；第一电极和第二电极，设置于所述石墨烯/玻璃透明基板的石墨烯薄膜上。本发明通过改变施加于滤光片两端的电压，使得温度响应型或电场响应型胆甾相液晶的Bragg反射带发生移动，实现对出射光色彩的色相属性的动态连续调节；进一步通过改变所采用的偏振片(线偏振片、左旋圆偏振片和右旋圆偏振片)，利用胆甾相液晶对圆偏振光的二向色性，实现对出射光色彩的饱和度属性的调节；通过调节白光光源自身的辐射功率(表现为光源的亮度)，实现对出射光色彩的明度属性的管理。
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