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公开(公告)号：CN102148613A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010107920.5
申请日：2010-02-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种固体介质层谐振器及其制备方法，该固体介质层谐振器的驱动电极和传感电极的极板为梳齿状结构，内嵌在谐振体结构中，谐振体与极板通过固体绝缘介质层隔离。该谐振器的制备基于微机械加工工艺，与IC工艺兼容；梳齿状的极板结构增大了传感和驱动电极的面积，从而减小了其输入输出阻抗，增加了器件的匹配能力和信噪比；固体介质层的应用使电容极板间隙宽度容易控制，避免了空气介质造成的阻尼；本发明的固体介质层谐振器工作在体模态，在空气中即可高频、高Q值工作。
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公开(公告)号：CN101995295A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910090545.5
申请日：2009-08-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种非制冷红外焦平面阵列及其制备方法与应用。该红外焦平面阵列，由微悬臂梁像元阵列、支撑所述微悬臂梁像元阵列的衬底和位于所述衬底上的电路组成；其中，所述微悬臂梁像元阵列由红外吸收面、悬臂梁支腿、MOSFET器件、输出引线和支撑锚点组成。本发明提供的红外焦平面阵列没有任何的特殊工艺，具有易于与IC实现单片集成的优点，适于工业大批量制备，易得到不同精度需求的产品。并为高分辨率提供了极大的提升空间，极大的简化了电路规模和设计成本，为大规模产业化提供了可行的设计方案。
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公开(公告)号：CN100588119C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710121563.6
申请日：2007-09-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种平面电容谐振器及其制备方法。本发明所提供的平面电容谐振器，包括谐振体、传感电极、驱动电极以及支撑它们的衬底，谐振体是悬空的结构，通过锚点固支在衬底上；传感电极和驱动电极均由极板和焊盘组成，传感电极和驱动电极的极板分别设置在谐振体的两侧，与谐振体之间保持有一定的间隙，两两之间的间隙作为中间介质形成电容结构；传感电极和驱动电极的焊盘固定在绝缘介质层上，焊盘上均设置有金属电极；绝缘介质层固定在衬底上。本发明平面电容谐振器的电容极板间隙在亚100nm，具有极高的动态特性，其谐振频率可超过百MHz，而Q因子可达到105。
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公开(公告)号：CN100434728C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200510011534.5
申请日：2005-04-07
Applicant: 北京大学
IPC: F04F9/00
Abstract: 本发明提供了一种微型扩散泵及其制备方法，微型扩散泵主要包括：泵腔室、单向阀、泵入口、泵出口及泵腔室内的驱动结构，单向阀分别位于泵腔室与泵入口之间和泵腔室与泵出口之间，单向阀为正反向流量不同的楔形扩散管，泵腔室内流体在一定驱动方式下膨胀和收缩产生压力差，依据流体在楔形扩散管内的正反流压力不同的性质，在泵体内产生单向连续输运流体的作用。本发明提供的微型扩散泵可采用抽吸气体而驱动液体和直接驱动液体两种工作方式。微型扩散泵的制备基于硅微机械加工技术及微模型技术，制备工艺简单、加工成本低、可靠性好、易于与大多数微流体系统集成，在微流控分析芯片领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101127514A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710121563.6
申请日：2007-09-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种平面电容谐振器及其制备方法。本发明所提供的平面电容谐振器，包括谐振体、传感电极、驱动电极以及支撑它们的衬底，谐振体是悬空的结构，通过锚点固支在衬底上；传感电极和驱动电极均由极板和焊盘组成，传感电极和驱动电极的极板分别设置在谐振体的两侧，与谐振体之间保持有一定的间隙，两两之间的间隙作为中间介质形成电容结构；传感电极和驱动电极的焊盘固定在绝缘介质层上，焊盘上均设置有金属电极；绝缘介质层固定在衬底上。本发明平面电容谐振器的电容极板间隙在亚100nm，具有极高的动态特性，其谐振频率可超过百MHz，而Q因子可达到105。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1924417A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200510086322.3
申请日：2005-08-31
Applicant: 北京大学
IPC: F16K17/20
Abstract: 本发明提供了一种由微鳞片结构组成的微型阀，属于微流体控制输运领域。该微型阀包括微流道及连接于流道侧壁上的微型鳞片阵列结构，微鳞片彼此平行排布，并与流道侧壁成一定的倾角，顺着鳞片排布方向的流动为正向流动，反之为逆向流动。由于正向流动时鳞片对流体产生的阻力小，而逆向时鳞片对流体产生较大的阻力，因此正向与逆向产生流量差，结构实现了单向阀的功能。本发明利用MEMS微加工工艺或化学合成技术制备，可广泛应用于微流体芯片系统内的流体控制。
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公开(公告)号：CN118294047A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410433250.8
申请日：2024-04-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种基于岛结构的MEMS多维力传感器，包括应变体、受力体、敏感元件以及支撑应变体的框架，在应变体上方设置凸起的多个岛结构，位于应变体中央和边缘位置，敏感元件设置在上述岛结构的上表面，受力体位于中央位置的岛结构上。当外界力矢量施加在MEMS多维力传感器的受力体上时，受力体传递外力到MEMS多维力传感器的应变体上，使得应变体发生形变，位于应变体上的敏感元件产生相应的输出信号，本发明采用岛结构可以减小由于力传递不对称而引入的应力不对称，从而减小多维力传感器的维间耦合。
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公开(公告)号：CN117571186A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311418792.X
申请日：2023-10-30
Applicant: 北京大学
IPC: G01L5/16 , G01L5/1627 , G01L9/04 , G01L19/06 , G01L19/14 , G01L19/00 , B81B7/00 , B81B7/02 , B81C1/00
Abstract: 本发明公开一种MEMS多维力传感器的封装结构和方法，封装后的MEMS多维力传感器由MEMS多维力传感器芯片、封装帽、封装管座组成，多维力传感器芯片放置在封装管座上，封装帽盖在封装管座上，且封装帽上的力传递柱连接MEMS多维力传感器芯片。封装管座用于固定多维力传感器芯片和防止过载，封装帽用于保护传感器芯片，将承接的外界力和扭矩传至传感器芯片的力接触界面，MEMS多维力传感器芯片通过敏感元件感知外界的力和扭矩，输出测量的电学信号。相比于现有的机械式多维力传感器，本发明封装的MEMS多维力传感器还具有测量精度高、响应速度快、体积和重量小、成本和功率低等优势。
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公开(公告)号：CN113371673B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110566107.2
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种混合集成传感微系统及其单芯片集成制备方法，该混合集成传感微系统的组件包括多通道微传感器、微传感器信号调理电路、微控制单元、射频电路模块、外围设备和支持电路等伺服电路，所述全部组件采用体硅工艺或者SOI工艺集成制备，将微传感器、模拟CMOS电路和数字CMOS电路单芯片集成在一起，或将部分组件单芯片集成在一起，再与剩余组件系统级集成在一起。所述集成传感微系统的一种单芯片集成制备方法，基于部分耗尽SOI CMOS工艺，利用部分耗尽SOI CMOS工艺完成大部分微传感器平面加工步骤，在SOICMOS的制备工序结束以后，完成剩余微传感器的加工步骤。本发明的集成传感微系统具有多通道信号并行检测、信号远程传输、信噪比高、成本低、体积小、功耗低、便于携带等技术优势。
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公开(公告)号：CN113371673A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110566107.2
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种混合集成传感微系统及其单芯片集成制备方法，该混合集成传感微系统的组件包括多通道微传感器、微传感器信号调理电路、微控制单元、射频电路模块、外围设备和支持电路等伺服电路，所述全部组件采用体硅工艺或者SOI工艺集成制备，将微传感器、模拟CMOS电路和数字CMOS电路单芯片集成在一起，或将部分组件单芯片集成在一起，再与剩余组件系统级集成在一起。所述集成传感微系统的一种单芯片集成制备方法，基于部分耗尽SOI CMOS工艺，利用部分耗尽SOI CMOS工艺完成大部分微传感器平面加工步骤，在SOICMOS的制备工序结束以后，完成剩余微传感器的加工步骤。本发明的集成传感微系统具有多通道信号并行检测、信号远程传输、信噪比高、成本低、体积小、功耗低、便于携带等技术优势。
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