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发明公开
一种基于岛结构的MEMS多维力传感器审中-实审

公开(公告)号：CN118294047A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410433250.8

申请日：2024-04-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 于晓梅 , 林聪 , 朱心成 , 缪佳豪 , 王学良

IPC: G01L1/22 , G01L5/161

Abstract: 本发明公开一种基于岛结构的MEMS多维力传感器，包括应变体、受力体、敏感元件以及支撑应变体的框架，在应变体上方设置凸起的多个岛结构，位于应变体中央和边缘位置，敏感元件设置在上述岛结构的上表面，受力体位于中央位置的岛结构上。当外界力矢量施加在MEMS多维力传感器的受力体上时，受力体传递外力到MEMS多维力传感器的应变体上，使得应变体发生形变，位于应变体上的敏感元件产生相应的输出信号，本发明采用岛结构可以减小由于力传递不对称而引入的应力不对称，从而减小多维力传感器的维间耦合。

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