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公开(公告)号：CN117779188A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311802994.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: C30B25/18 , C30B25/16 , C30B29/68 , C30B29/40 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种在GaSb衬底上外延生长InAs/GaSb II类超晶格的方法，包括如下方法步骤：S1、取厚度为500μm的两英寸的GaSb衬底置于分子束外延设备的生长腔；S2、对GaSb衬底升温至300℃进行高温除气，除气时间不少于两小时；S3、对GaSb衬底升温至520℃脱氧，直至GaSb衬底表面形貌点线清晰，保持三分钟；S4、对GaSb衬底降温至440℃，在GaSb衬底上生长厚度为500nm的GaSb缓冲层；S5、对GaSb衬底和GaSb缓冲层降温至420℃，在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb II类超晶格；在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb II类超晶格的过程中，As/In束流比为7～11。本发明优化As/In的束流比，在生长InAs/GaSb II类超晶格时提前打开As阀门，解决了由于缺As导致的InAs/GaSb II类超晶格表面易形成针状“亮点”缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN117191180B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311029156.8
申请日：2023-08-15
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01H9/00
Abstract: 本发明提供了一种微型化三轴光纤光栅振动传感器包括第一振动组件、第二振动组件和第三振动组件；第一振动组件包括第一固定支座、第一质量块；第二振动组件包括第二固定支座、第二质量块；第三振动组件包括第三固定支座、第三质量块；第一质量块与第三固定支座之间形成第一间隙，第二质量块与第一固定支座之间形成第二间隙，第三质量块与第二固定支座之间形成第三间隙；第一质量块与第三固定支座上安装第一光纤，第一光纤的光栅置于第一间隙内；第二质量块与第一固定支座上安装第二光纤，第二光纤的光栅置于第二间隙内；第三质量块与第二固定支座上安装第三光纤，第三光纤的光栅置于第三间隙内。本发明具有结构尺寸小，测量三个轴向振动的优点。
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公开(公告)号：CN117191179B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311029100.2
申请日：2023-08-15
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01H9/00
Abstract: 本发明提供了一种采用双四芯FBG的三轴振动传感器，包括金属外壳，在金属外壳内具有沿水平方向设置的水平四芯光纤，以及沿竖直方向设置的竖直四芯光纤；水平四芯光纤上设置第一质量块和第一金属插芯，第一金属插芯与所述第一质量块之间的间隙与水平四芯光纤的光栅栅区的长度相同；竖直四芯光纤上设置第二质量块和第二金属插芯，第二金属插芯与第二质量块之间的间隙与竖直四芯光纤的光栅栅区的长度相同；水平四芯光纤，用于测量x方向和y方向的振动；竖直四芯光纤，用于测量x方向和z方向的振动。本发明传感器具有尺寸小，可以实现多个方向上的振动监测的优点，可适用于航天环境的微振动检测，可广泛应用于光纤传感器领域。
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公开(公告)号：CN116779708A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310699072.9
申请日：2023-06-13
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种低暗电流硅基二维材料MRR光电探测器，所述光电探测器包括：微环谐振腔结构，所述微环谐振腔结构包括直波导和微环，其中，在所述微环上集成二硫化钨/六方氮化硼/二硒化钯异质结构，其中，六方氮化硼集成在所述微环上，二硫化钨集成在所述微环内侧，二硒化钯集成在所述微环外侧。本发明基于微环谐振腔结构的微环集成nBn型异质结，形成具有单极性势垒结构的nBn型低暗电流的光电探测器，可以实现抑制暗电流的同时在高温下工作，得到相比当前广泛使用的其他类型集成光电探测器更好的输出电流。
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公开(公告)号：CN112699917A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011456497.X
申请日：2020-12-11
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及一种非线性光学卷积神经网络的图像识别方法。针对现有单层光学卷积神经网络对非线性数据特征提取能力不足和分类性能弱的缺点，设计出一种基于Swish激活函数的非线性光学卷积神经网络方法用于图像识别。首先，建立一层光学卷积神经网络模型，包括光学卷积核结构、数量、计算方法和光学特征图；然后，将生成的光学卷积特征图送入Swish激活单元，形成非线性映射；最后，建立多层非线性光学卷积神经网络模型，采用Adam算法对模型参数进行优化。本方法在MNIST手写数字图像数据集上进行实验，结果表明，相比于现有的单层光学卷积神经网络，本发明所提供的方法具有更强的非线性数据可分能力，分类精度高，且计算简便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112651428A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011410788.5
申请日：2020-12-03
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种用于远程拉曼矿物识别的深度学习模型多分类方法，包括以下步骤：获取已知矿物物质的拉曼光谱数据进行预处理；构建并训练卷积神经网络模型；评价卷积神经网络模型；对目标矿物物质种类进行分类，该方法有效的弥补了传统遥感和红外光谱等技术信号弱、光谱峰较宽等技术中的缺陷，成为未来深空表面物质探测的发展方向。
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公开(公告)号：CN118329089B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410483272.5
申请日：2024-04-22
Abstract: 本发明涉及光纤传感技术领域，提供一种基于反射率差异的光纤光栅混叠信号处理方法及系统，该方法包括：在初始化阶段采集光栅阵列的透射谱和反射谱，重建光源光谱以计算各个光纤光栅的反射率，光栅阵列由多个具有不同反射率的光纤光栅串联形成；在测量过程中，当相邻两光栅混叠而无法区分时，以在反射谱未发生混叠时解调出的相邻两个光纤光栅的中心波长作为各自待重建波形的中心波长，以各自的反射率计算待重建波形的光谱强度，根据待重建波形的中心波长和光谱强度利用高斯模型重建混叠区域的重建反射谱；获取使得混叠区域的重建反射谱与混叠区域的实际反射谱之间的误差最小时的相邻两个光纤光栅的中心波长，实现混叠信号的解调处理。
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公开(公告)号：CN117826307A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311800323.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于超材料结构的中红外偏振转换器包括，金属衬底层、在金属衬底层上制备的二氧化硅层，以及在二氧化硅层上制备的超表面层；超表面层包括周期排布的多个超表面结构单元；每一个所述超表面结构单元包括倾斜排布的中间矩形金属块，以及在中间矩形金属块两边倾斜排布的第一矩形金属块和第二矩形金属块；第一矩形金属块、第二矩形金属块和中间矩形金属块平行。本发明可以在3‑5μm波段实现高效的偏振转换，并且可以通过调整结构的参数来灵活改变其工作波长。
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公开(公告)号：CN117760583A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311799362.7
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种自适应目标温度设置的电桥电路，包括：第一固定电阻R1、第二固定电阻R2、第三固定电阻R3、第一热敏电阻Rth1和第二热敏电阻Rth2；第一固定电阻R1和第一热敏电阻Rth1串联形成第一串联支路；第二固定电阻R2、第三固定电阻R3和第二热敏电阻Rth2串联形成第二串联支路；第一串联支路和第二串联支路并联，共用一个参考电压VREF；第一热敏电阻Rth1的分压VT，用于反演目标温度；第三固定电阻R3和第二热敏电阻Rth2的分压VA，用于设置目标温度。本发明不借助软件算法，实现对目标温度的自适应设置。
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公开(公告)号：CN117191179A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311029100.2
申请日：2023-08-15
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01H9/00
Abstract: 本发明提供了一种采用双四芯FBG的三轴振动传感器，包括金属外壳，在金属外壳内具有沿水平方向设置的水平四芯光纤，以及沿竖直方向设置的竖直四芯光纤；水平四芯光纤上设置第一质量块和第一金属插芯，第一金属插芯与所述第一质量块之间的间隙与水平四芯光纤的光栅栅区的长度相同；竖直四芯光纤上设置第二质量块和第二金属插芯，第二金属插芯与第二质量块之间的间隙与竖直四芯光纤的光栅栅区的长度相同；水平四芯光纤，用于测量x方向和y方向的振动；竖直四芯光纤，用于测量x方向和z方向的振动。本发明传感器具有尺寸小，可以实现多个方向上的振动监测的优点，可适用于航天环境的微振动检测，可广泛应用于光纤传感器领域。
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