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公开(公告)号：CN101463463B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200910076567.6
申请日：2009-01-09
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高真空场调制有机小分子定向纳米薄膜的制备方法及系统，该纳米薄膜适用于所有有机半导体器件中。该方法的步骤：给装有有机小分子材料的蒸发舟(3)通直流电，控制有机小份子材料的蒸发速率0.1nm/s～0.3nm/s；向真空腔中入射一束光强100～1000坎德拉白光，经放在玻璃视窗(7)前的偏振片(6)获得一束光矢量方向平行蒸发粒子流的线偏振光，用此偏振光调制单个有机小分子取向；形成定向排布的有机小分子纳米薄膜。该系统是在高真空蒸发腔(1)一侧的中部开一个与腔体密封的直径为10Cm的玻璃视窗，紧挨着玻璃视窗固定一个方向能调节的偏振片，在偏振片前放置一个光强能调节的白光光源(5)。
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公开(公告)号：CN101463464A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200910077117.9
申请日：2009-01-16
Applicant: 北京交通大学
IPC: C23C14/24
Abstract: 倾斜式生长形貌可控的纳米发光柱状薄膜的方法及装置，该装置包括：蒸发源(6)、衬底支架(2)、红外灯(9)及真空腔(7)；衬底支架(2)垂直于电机轴固定于电机轴端上；真空电机支架(3)固定于真空腔(7)的顶上，真空电机(1)与真空电机支架(3)连接，按蒸发粒子流(5)与衬底(4)法线夹角0～90度，通过锁栓(8)固定真空电机支架(3)上。纳米发光柱状薄膜的方法，启动真空电机(1)，使衬底支架旋转速度每分钟1～3转；给红外灯通电，给衬底加热到100～200度；发光材料的蒸发速率在0.1～0.2nm/s，制备的纳米发光柱状薄膜的厚度为100～300nm。用于光电子器件中作为功能层。
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公开(公告)号：CN101434841A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810240117.1
申请日：2008-12-18
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种X射线影像存储用功能材料，涉及一种光电子材料。其表达式：BaBrxCl2－x: a Eu2+，式中，0.8＜x＜1.2，0.0001＜a≤0.05摩尔。按表达式BaBrxCl2－x:a Eu2+的摩尔数称取原料，其中，0.8＜x＜1.2，0.0001＜a≤0.05摩尔；将称取的原料研磨，混合均匀得到混合料；将混合料置于刚玉坩埚中，放入高温炉中360～450℃灼烧；在还原气氛中灼烧2－4个小时，得到灼烧产物；升温到760～800℃，在还原气氛中灼烧再灼烧2小时，自然降温后，研磨灼烧产物，用热离子水洗涤后过滤、烘干、过筛后，得到X射线影像存储用功能材料。
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公开(公告)号：CN101000949A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610011136.8
申请日：2006-01-09
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 利用光子晶体多层膜提高有机电致发光器件色纯度的方法，在有机电致发光器件的输出光路上ITO层中利用自组装技术制备一个SiO2纳米微球光子晶体多层膜，通过选择不同直径大小的SiO2纳米微球可以改变该薄膜层光子禁带的位置，从而改变禁止和允许通过光的频率范围。通过禁止那些处于不需要的频率范围内的光子出射就可以改善有机电致发光器件的色纯度。和现有的添加滤光片、利用微腔结构和制备分布式布拉格反射器提高发光器件色纯度的方法相比，它工艺简单，成本较低，同时减少了因光吸收和平面光波导效应所带来的光能浪费。
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公开(公告)号：CN106835073A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611027687.3
申请日：2016-11-17
Applicant: 北京交通大学
IPC: C23C16/453 , C23C16/30
CPC classification number: C23C16/453 , C23C16/305
Abstract: 目前制备单层二硫化钼的方法包括微机械剥离法、液相超声剥离法、锂离子插层法、激光法和退火逐层变薄法、化学气相沉积法。化学气相沉积法制备的二硫化钼尺寸大、表面均匀且层数可控。采用化学气相沉积法制备二硫化钼时，二硫化钼容易在衬底上的杂质或划痕等缺陷处成核生长。如果衬底清洗不干净，二硫化钼就极易长成多层或体材料，彻底清洗衬底,会用到丙酮、食人鱼溶液等有毒危险药品，这些药品对人体有毒害作用，因而操作过程中具有潜在的危险。基于上述问题，本发明的目的在于提供一种制备单层二硫化钼的简化的化学气相沉积法，能够制备出高质量的单层二硫化钼，同时不需要使用丙酮、食人鱼溶液等有毒危险药品清洗衬底，避免了潜在的危险。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106711225A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611012457.X
申请日：2016-11-17
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24 , B32B38/10
CPC classification number: H01L29/78 , B32B38/10 , H01L29/24 , H01L29/66969
Abstract: 本发明涉及二维纳米材料制备及其应用领域，现阶段场效应晶体管制备工艺需要经过考虑衬底与生长材料之间的晶格匹配、衬底材料加热生长，掺杂等多道复杂工艺。二维硫化物材料以其超薄的材料厚度，载流子迁移率和带隙宽度可调控，与衬底之间不需要严格的晶格匹配等优点，利用其作为场效应晶体管的导电沟道材料，提供一种简单、快速、有效制备二维硫化物晶体场效应晶体管的方法，二维纳米硫化物材料及场效应晶体管的制备适用于半导体器件，集成电路等领域。
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公开(公告)号：CN104891477B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201510250058.6
申请日：2015-05-15
Applicant: 北京交通大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种简单环保的石墨烯纸制备方法，涉及石墨烯纸制备领域。解决了现有的石墨烯纸制备技术对设备要求高、制备时间长和环境污染严重的问题。该石墨烯纸的制备方法包括：利用浓硫酸和高锰酸钾氧化石墨制备氧化石墨烯粉末；将氧化石墨烯粉末和去离子水混合、超声，得到氧化石墨烯分散液，加入抗坏血酸，加热还原，降温冷冻，解冻后形成网状石墨烯，再次加热进一步还原，降温超声，形成石墨烯的悬浊液；抽滤石墨烯悬浊液得到石墨烯纸。
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公开(公告)号：CN103280463B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310195118.X
申请日：2013-05-23
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L21/336
Abstract: 一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为ZnLixNyO或ZnMgzLixNyO；ZnLixNyO的靶包括ZnO、Li2O和Zn3N2，0
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公开(公告)号：CN105098153A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510388621.6
申请日：2015-07-03
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/364 , H01M4/38 , H01M4/625 , H01M10/052
Abstract: 一种在水溶液中制备石墨烯/硫复合材料的制备方法，涉及一种简便易行，并且石墨烯片层质量高，硫颗粒分散均匀的石墨烯/硫复合材料的制备方法。复合物中硫均匀分散于大比表面积和高导电性的石墨烯表面，一定程度限制了石墨烯片层的团聚，二组分的协同效应，使复合材料具有高的电化学性能。该方法，取氧化石墨烯置于容器中，加入每50mg氧化石墨烯则100mL的去离子水超声30分钟，再加入每50mg氧化石墨烯则0.8g的硫代硫酸钠溶液，搅拌，加热至95摄氏度，反应3-5小时，反应过程中慢慢滴加每50mg氧化石墨烯则10-20mL浓度为1mol/L硫酸溶液，将得到的混合液转移至离心机中离心，最终得到的沉淀物,再转移至真空干燥箱60摄氏度条件下干燥24h，所得粉末即为石墨烯/硫的复合物材料。
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公开(公告)号：CN105084351A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510388228.7
申请日：2015-07-03
Applicant: 北京交通大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种氮掺杂石墨烯水凝胶的制备方法，涉及一种在低温条件下制取氮掺杂石墨烯水凝胶的制备方法。该方法，取氧化石墨烯配制成一定浓度的溶液，配制过程中保证充分的搅拌和超声，形成分散均匀的片层氧化石墨溶液，将所配制溶液中加入碳酸氢铵，之后进行搅拌和超声，使其充分的混合，对所配制溶液中加入硫化钠，进行搅拌，使其溶解，再将其放入烘箱中进行加热，从烘箱取出样品，用清水对样品进行多次的清洗，得到氮掺杂石墨烯水凝胶材料。
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