抗蚀剂组成物及图案形成方法

    公开(公告)号:CN112782934A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202011216447.4

    申请日:2020-11-04

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以ArF准分子激光等高能射线作为光源的光学光刻中,展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数:MEF)、LWR、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物,以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物,其特征为含有:(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元,且不含具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。式中,W1表示碳数4~12的含有杂原子的环状2价烃基。W2表示碳数4~14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M+表示鎓阳离子。

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