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公开(公告)号:CN109422672B
公开(公告)日:2021-08-20
申请号:CN201810970031.8
申请日:2018-08-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C381/12 , C07D333/76 , C08F220/18 , C08F220/32 , G03F7/20 , G03F7/004
Abstract: 本发明为锍化合物、抗蚀剂组合物和图案化方法。包含特定结构的锍化合物作为PAG的抗蚀剂组合物具有优异的光刻性能因素,如最小的缺陷、高感光度、改善的LWR和CDU,并且是用于精确微图案化的相当有效的抗蚀剂材料。
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公开(公告)号:CN112979458A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN202011462505.1
申请日:2020-12-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C59/68 , C07C65/21 , C07C59/66 , C07C59/90 , C07C51/41 , C07C381/12 , C07D333/74 , C07C69/92 , C07C69/76 , C07C309/75 , C07C69/757 , C07D335/02 , C07D307/00 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及鎓盐化合物、化学增幅抗蚀剂组成物、以及图案形成方法。本发明的课题是提供在以KrF准分子激光、ArF准分子激光、电子束、极紫外线等高能量射线作为光源的光学光刻中,为高感度,且CDU、LWR等光刻性能优异的化学增幅抗蚀剂组成物;并提供其所使用的酸扩散抑制剂、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为下式(1)表示的鎓盐化合物、由该鎓盐化合物构成的酸扩散抑制剂、及含有该酸扩散抑制剂的化学增幅抗蚀剂组成物。
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公开(公告)号:CN112782934A
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN202011216447.4
申请日:2020-11-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在以ArF准分子激光等高能射线作为光源的光学光刻中,展现特别良好的掩膜尺寸依存性(掩膜误差系数:MEF)、LWR、尺寸均匀性(CDU)的抗蚀剂组成物,以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物,其特征为含有:(A)含有具有酸不稳定基团的重复单元,且不含具有芳香族取代基的重复单元的树脂、(B)通式(B‑1)表示的光酸产生剂、及(C)溶剂。式中,W1表示碳数4~12的含有杂原子的环状2价烃基。W2表示碳数4~14的不含杂原子的环状1价烃基。Rf为上述通式表示的2价有机基团。M+表示鎓阳离子。
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公开(公告)号:CN107544206B
公开(公告)日:2020-11-03
申请号:CN201710504684.2
申请日:2017-06-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , C07C381/12 , C07C309/12 , C07C25/18 , C07D279/20 , C07D333/76 , C07D327/08
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组合物和图案化方法。本发明的抗蚀剂组合物,其包括基础聚合物和含有碘代苯甲酰氧基的氟代磺酸的锍盐或碘鎓盐,无论其为正型或负型,都提供高感光度和最小的LWR或改善的CDU。
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公开(公告)号:CN105315467A
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201510454091.0
申请日:2015-07-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供了带有有机硅结构的聚合物,其包含衍生自双(4-羟基-3-烯丙基苯基)衍生物的重复单元并具有3,000-500,000的Mw。包含所述聚合物的化学增幅型负型抗蚀剂组合物克服了将涂层从Cu或Al的金属配线、电极和SiN基材剥离的剥离问题。
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