公开(公告)号：CN1697494A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510070286.1

申请日：2005-05-13

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 篠原真人

IPC: H04N5/335 ,  H04N5/217 ,  H04N5/225

CPC classification number: H04N5/365 ,  H04N5/363

Abstract: 本发明提供固体摄像装置以及使用了该固体摄像装置的照相机。提供像素动作时间偏差小，并且可以得到高SN比的传感器输出的固体摄像装置。在具备排列多个至少具备：光电变换单元，以及用于放大来自上述光电变换单元的信号的晶体管的像素组成的光电变换像素单元；排列与光电变换像素单元的至少一部分像素对应的模拟存储单元组成的存储器单元的固体摄像装置中，具有分别与各个像素的一列共用连接的多个输出线连接，通过箝位来自像素的信号用于除去像素噪声的多个耦合电容；与多个耦合电容分别连接，用超过来自耦合电容的信号电压的增益进行放大，输出用于写入模拟存储器单元的放大信号的多个放大器。

公开(公告)号：CN110931517A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910887836.0

申请日：2019-09-19

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 篠原真人

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369

Abstract: 本发明提供光检测装置。根据实施例的光检测装置包括：第一半导体区域，其具有第一导电类型；第二半导体区域，其具有第二导电类型；第三半导体区域，其具有第一导电类型；以及电路单元，其被构造为对雪崩电流的生成次数进行计数，其中，用于引起信号电荷的雪崩倍增的反向偏压被施加到第二半导体区域和第三半导体区域，并且当形成势垒时在第一半导体区域中累积信号电荷，其中，控制单元控制势垒的高度。

公开(公告)号：CN107946326A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201710949673.5

申请日：2017-10-13

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 森本和浩 ,  篠原真人

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107

CPC classification number: H01L31/107 ,  B60W30/00 ,  B60W2420/40 ,  G01S7/4861 ,  G01S17/10 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02027 ,  H01L31/03529 ,  H01L27/14605

Abstract: 本发明公开一种光检测装置及光检测系统，在该装置中，在平面图中，第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠，第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠，第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度，并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。

公开(公告)号：CN104916654B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201510103713.5

申请日：2015-03-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 篠原真人

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14679 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14681 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明涉及固态图像捕获装置、其制造方法和照相机。固态图像捕获装置包括：包含第一导电类型的第一区域的半导体基板；第二导电类型的电荷积累区域；各自输出基于在电荷积累区域中积累的电荷的信号的晶体管；在比电荷积累区域深且比第一区域浅的位置中形成以与第一区域电导通的第一导电类型的第二区域，该第二区域的杂质浓度比第一区域的杂质浓度高；以及在第二区域与第一区域之间形成的第二导电类型的第三区域，其中，第二区域在平面图中跨包含两个或更多个晶体管的区域形成，并且向所述两个或更多个晶体管中的每一个供给电流。

公开(公告)号：CN104752450B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201410823142.8

申请日：2014-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 篠原真人 ,  熊野秀臣

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L27/14679 ,  H01L27/14689

Abstract: 本公开涉及成像装置、成像系统和成像装置的制造方法。衬底中的结型场效应晶体管(JFET)包括第一导电类型的沟道区域和源极区域以及第二导电类型的第一至第四栅极区域。第一和第二栅极区域被设置在沿着衬底的表面的方向上。第三和第四栅极区域被设置在该方向上。第一和第三栅极区域被设置在深度方向上。第一栅极区域被设置在所述表面与第三栅极区域之间。第二和第四栅极区域被设置在深度方向上。第二栅极区域被设置在所述表面与第四栅极区域之间。沟道区域包括被设置在第一和第三栅极区域之间的第一区域和被设置在第二和第四栅极区域之间的第二区域。源极区域被设置在第一和第二栅极区域之间。

公开(公告)号：CN104752449B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410820003.X

申请日：2014-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 篠原真人

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14679 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明涉及成像装置、成像系统和成像装置的制造方法。一个实施例提供了成像装置，其包括光电转换单元以及被配置为基于由光电转换单元生成的载流子来输出信号的结型场效应晶体管。结型场效应晶体管包括形成沟道的第一导电类型的半导体区域和第二导电类型的栅极区域。第一导电类型的半导体区域包括第一区域和第二区域。第一区域和第二区域朝着沟道中的载流子漂移的方向按此顺序设置。第二区域的杂质密度低于第一区域的杂质密度。

公开(公告)号：CN102637702B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201210024573.9

申请日：2012-02-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 加藤太朗 ,  下津佐峰生 ,  佐野博晃 ,  市川武史 ,  关根康弘 ,  篠原真人 ,  门间玄三

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463

Abstract: 本发明涉及光电转换装置。该光电转换装置包括具有光电转换部分的半导体衬底。绝缘体被设置在所述半导体衬底上。所述绝缘体具有与所述光电转换部分对应的孔。波导部件被设置在所述孔中。层内透镜被设置在所述波导部件的较远离所述半导体衬底的一侧。第一中间部件被设置在所述波导部件与所述层内透镜之间。所述第一中间部件具有比所述层内透镜低的折射率。

公开(公告)号：CN103794615A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310496051.3

申请日：2013-10-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 篠原真人 ,  板桥政次 ,  熊野秀臣

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14629 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

Abstract: 公开了固态成像设备、其制造方法，以及照相机。固态成像设备包括具有彼此相对的第一面和第二面并且其中形成了光电转换部分的基板；包括在第一面的一侧上提供的微透镜的光学系统；以及在第二面的一侧上提供的光吸收部分，其中，所述设备具有用于检测第一波长的光的第一类型的像素以及用于检测比第一波长短的第二波长的光的第二类型的像素，并且所述设备对于每个第一类型的像素进一步包括基板和光吸收部分之间的第一部分，并且对于每个第二类型的像素进一步包括基板和光吸收部分之间的第二部分，对于所述第一波长的光，所述第一部分的反射率高于所述第二部分的反射率。

公开(公告)号：CN102637704A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210027705.3

申请日：2012-02-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 小林昌弘 ,  栗原政树 ,  市川武史 ,  关根康弘 ,  篠原真人 ,  加藤太朗 ,  门间玄三

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14629 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627

Abstract: 公开了光电转换装置和图像感测系统，该光电转换装置至少包括：绝缘膜；多个高折射率构件，配备成分别与各自光电转换部分相对应，被所述绝缘膜包围并具有比所述绝缘膜的折射率高的折射率；以及高折射率膜，配备在所述绝缘膜上以便相互连接所述多个高折射率构件，并具有比所述绝缘膜的折射率高的折射率，以及多个透镜部分当中彼此相邻的透镜部分彼此毗接。

公开(公告)号：CN101635301B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200910150985.5

申请日：2009-07-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 岩根正晃 ,  篠原真人

IPC: H01L27/142 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/37457

Abstract: 本发明提供了一种光电转换装置，在该光电转换装置中，至少将第一金属配线层和第二金属配线层按照所指定的顺序布置在半导体基板上，该半导体基板包含以矩阵排列多个像素的像素区域，每个像素至少包含光电转换部和放大晶体管，其中，第二金属配线层包含各自被配置为向至少两个像素列的放大晶体管供给电源电压的电源线，以及其中没有电源线的像素列的放大晶体管通过第一金属配线层从电源线接收电源电压。