公开(公告)号：CN103794615B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310496051.3

申请日：2013-10-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 篠原真人 ,  板桥政次 ,  熊野秀臣

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14629 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

Abstract: 公开了固态成像设备、其制造方法，以及照相机。固态成像设备包括具有彼此相对的第一面和第二面并且其中形成了光电转换部分的基板；包括在第一面的一侧上提供的微透镜的光学系统；以及在第二面的一侧上提供的光吸收部分，其中，所述设备具有用于检测第一波长的光的第一类型的像素以及用于检测比第一波长短的第二波长的光的第二类型的像素，并且所述设备对于每个第一类型的像素进一步包括基板和光吸收部分之间的第一部分，并且对于每个第二类型的像素进一步包括基板和光吸收部分之间的第二部分，对于所述第一波长的光，所述第一部分的反射率高于所述第二部分的反射率。

公开(公告)号：CN103779369B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310496053.2

申请日：2013-10-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 熊野秀臣

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/2251 ,  H04N5/2252 ,  H04N5/2256

Abstract: 公开了摄像装置、其制造方法和照相机。背面照射的摄像装置包括：半导体基板，具有用于接收入射光的第一面和位于第一面的相对侧的第二面，并且包括光电转换部件和设置在第二面上方的栅极电极。所述装置进一步包括：第一绝缘层，设置在半导体基板的第二面上方；层间绝缘膜，设置在第一绝缘层上；接触插塞，连接到栅极电极；以及光遮断部件，用于遮断入射光中的已经透过光电转换部件的光。光遮断部件贯穿层间绝缘膜的至少一部分。第一绝缘层位于光遮断部件与半导体基板之间。

公开(公告)号：CN103779369A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310496053.2

申请日：2013-10-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 熊野秀臣

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/2251 ,  H04N5/2252 ,  H04N5/2256

Abstract: 公开了摄像装置、其制造方法和照相机。背面照射的摄像装置包括：半导体基板，具有用于接收入射光的第一面和位于第一面的相对侧的第二面，并且包括光电转换部件和设置在第二面上方的栅极电极。所述装置进一步包括：第一绝缘层，设置在半导体基板的第二面上方；层间绝缘膜，设置在第一绝缘层上；接触插塞，连接到栅极电极；以及光遮断部件，用于遮断入射光中的已经透过光电转换部件的光。光遮断部件贯穿层间绝缘膜的至少一部分。第一绝缘层位于光遮断部件与半导体基板之间。

公开(公告)号：CN102044551B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201010502907.X

申请日：2010-10-13

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 熊野秀臣

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统。一种光电转换装置包括：用于输出根据光的信号的有效像素区域，以及用于输出基准信号的光学黑像素区域，其中，在光学黑像素区域中，在绝缘膜中布置插塞，并且，在插塞上方布置遮光膜并使该遮光膜与插塞连接，以使得插塞的上表面和绝缘膜的上表面形成同一个面，并且其中，在遮光膜上方或下方，布置厚度为5～15nm的钛膜。

公开(公告)号：CN104752450A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410823142.8

申请日：2014-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 篠原真人 ,  熊野秀臣

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L27/14679 ,  H01L27/14689

Abstract: 本公开涉及成像装置、成像系统和成像装置的制造方法。衬底中的结型场效应晶体管(JFET)包括第一导电类型的沟道区域和源极区域以及第二导电类型的第一至第四栅极区域。第一和第二栅极区域被设置在沿着衬底的表面的方向上。第三和第四栅极区域被设置在该方向上。第一和第三栅极区域被设置在深度方向上。第一栅极区域被设置在所述表面与第三栅极区域之间。第二和第四栅极区域被设置在深度方向上。第二栅极区域被设置在所述表面与第四栅极区域之间。沟道区域包括被设置在第一和第三栅极区域之间的第一区域和被设置在第二和第四栅极区域之间的第二区域。源极区域被设置在第一和第二栅极区域之间。

公开(公告)号：CN102044551A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010502907.X

申请日：2010-10-13

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 熊野秀臣

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统。一种光电转换装置包括：用于输出根据光的信号的有效像素区域，以及用于输出基准信号的光学黑像素区域，其中，在光学黑像素区域中，在绝缘膜中布置插塞，并且，在插塞上方布置遮光膜并使该遮光膜与插塞连接，以使得插塞的上表面和绝缘膜的上表面形成同一个面，并且其中，在遮光膜上方或下方，布置厚度为5～15nm的钛膜。

公开(公告)号：CN104752450B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201410823142.8

申请日：2014-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 篠原真人 ,  熊野秀臣

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L27/14679 ,  H01L27/14689

Abstract: 本公开涉及成像装置、成像系统和成像装置的制造方法。衬底中的结型场效应晶体管(JFET)包括第一导电类型的沟道区域和源极区域以及第二导电类型的第一至第四栅极区域。第一和第二栅极区域被设置在沿着衬底的表面的方向上。第三和第四栅极区域被设置在该方向上。第一和第三栅极区域被设置在深度方向上。第一栅极区域被设置在所述表面与第三栅极区域之间。第二和第四栅极区域被设置在深度方向上。第二栅极区域被设置在所述表面与第四栅极区域之间。沟道区域包括被设置在第一和第三栅极区域之间的第一区域和被设置在第二和第四栅极区域之间的第二区域。源极区域被设置在第一和第二栅极区域之间。

公开(公告)号：CN103794615A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310496051.3

申请日：2013-10-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 篠原真人 ,  板桥政次 ,  熊野秀臣

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14629 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

Abstract: 公开了固态成像设备、其制造方法，以及照相机。固态成像设备包括具有彼此相对的第一面和第二面并且其中形成了光电转换部分的基板；包括在第一面的一侧上提供的微透镜的光学系统；以及在第二面的一侧上提供的光吸收部分，其中，所述设备具有用于检测第一波长的光的第一类型的像素以及用于检测比第一波长短的第二波长的光的第二类型的像素，并且所述设备对于每个第一类型的像素进一步包括基板和光吸收部分之间的第一部分，并且对于每个第二类型的像素进一步包括基板和光吸收部分之间的第二部分，对于所述第一波长的光，所述第一部分的反射率高于所述第二部分的反射率。