-
公开(公告)号：CN103843135A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201180073852.8
申请日：2011-09-29
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明以提供一种抑制了半导体元件与电极的疲劳断裂的半导体装置为课题。半导体装置包括：第一金属板；多个半导体元件，其被安装在所述第一金属板上；隔板，其被连接于所述多个半导体元件的、与安装于所述第一金属板上的安装面相反的一侧的面上；第二金属板，其被连接于所述隔板的、与连接于所述半导体元件上的连接面相反的一侧的面上；密封树脂，其在所述第一金属板与所述第二金属板之间对所述多个半导体元件进行密封，与在所述多个半导体元件之间以外的部位处因所述密封树脂中产生的收缩而引起的应力相比，在所述多个半导体元件之间因所述密封树脂中产生的收缩而引起的应力更被缓和。
-
公开(公告)号：CN109285787A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810786958.6
申请日：2018-07-18
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，关于该半导体装置，金属板在树脂封装体的两面露出，提供气泡不易残留于封装体内的制造方法。本说明书公开的制造方法具备准备工序、设置工序、成型工序、去除工序。在准备工序中，准备半导体元件和金属板的组件。在设置工序中，将组件设置于用于使树脂封装体成型的模具的腔体。使一个金属板与腔体的底表面接触而在另一个金属板的上方设置空间地设置组件。在成型工序中，以覆盖金属板的方式将熔融树脂注入到腔体，在腔体的上部残留空间的一部分地停止熔融树脂的注入，并使树脂硬化。在去除工序中，去除覆盖金属板的树脂部分。
-
公开(公告)号：CN105575830B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510712706.5
申请日：2015-10-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/16 , B23K35/262 , C22C13/00 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05155 , H01L2224/05647 , H01L2224/16245 , H01L2224/16502 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/33181 , H01L2224/81805 , H01L2224/83447 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01015 , H01L2924/01083 , H01L2924/01051 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法，其包括：将包含至少锡的焊料材料布置在半导体元件和设置有镍层和铜层的接合构件之间，使得焊料材料接触铜层，镍层设置在接合构件的表面上，并且铜层设置在镍层的表面的至少一部分上；以及使用铜层和焊料材料中的锡来熔化以及凝固焊料材料以在镍层的表面上形成Cu6Sn5。本发明还提供一种半导体装置。
-
公开(公告)号：CN105917463B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201480064023.7
申请日：2014-11-11
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L23/433 , H01L23/495
Abstract: 一种半导体装置(1)，包括：基板(10)、半导体元件(20)、端子(42)以及焊料流出防止部(12x)。所述半导体元件通过第一焊料层(51)固定在基板的一侧上。所述端子通过第二焊料层(53)固定在基板的所述一侧上。所述焊料流出防止部形成于在基板的所述一侧中的半导体元件和端子之间，并且构造为防止第一焊料层和第二焊料层流出。所述焊料流出防止部与所述半导体元件之间的距离长于第一焊料层的厚度。
-
公开(公告)号：CN105917463A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201480064023.7
申请日：2014-11-11
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L23/373 , H01L23/433 , H01L23/495
Abstract: 一种半导体装置(1)，包括：基板(10)、半导体元件(20)、端子(42)以及焊料流出防止部(12x)。所述半导体元件通过第一焊料层(51)固定在基板的一侧上。所述端子通过第二焊料层(53)固定在基板的所述一侧上。所述焊料流出防止部形成于在基板的所述一侧中的半导体元件和端子之间，并且构造为防止第一焊料层和第二焊料层流出。所述焊料流出防止部与所述半导体元件之间的距离长于第一焊料层的厚度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105575937A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510738180.8
申请日：2015-11-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 门口卓矢
IPC: H01L23/492 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 半导体装置(2)包括第一和第二半导体元件(3、5)和第一和第二导电构件(10、29)。第一半导体元件上的第一电极(3a)通过第一接合层(8a)接合至所述第一导电构件的第一堆叠部(12)。第二半导体元件上的第二电极(5b)通过第二接合层(8f)接合至所述第二导电构件的第二堆叠部(25)。所述第一导电构件的第一接头部(13)通过中间接合层(8g)接合至所述第二导电构件的第二接头部(26)。所述第一接头部的面向所述第二接头部的第一表面、所述第一接头部的与所述第一表面连续的侧表面、所述第二接头部的面向所述第一接头部的第二表面以及所述第二接头部的与所述第二表面连续的侧表面被镍层(19a、19b)覆盖。
-
公开(公告)号：CN105575830A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510712706.5
申请日：2015-10-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/16 , B23K35/262 , C22C13/00 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05155 , H01L2224/05647 , H01L2224/16245 , H01L2224/16502 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/33181 , H01L2224/81805 , H01L2224/83447 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01015 , H01L2924/01083 , H01L2924/01051 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L24/27 , H01L2224/29147 , H01L2224/83805
Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法，其包括：将包含至少锡的焊料材料布置在半导体元件和设置有镍层和铜层的接合构件之间，使得焊料材料接触铜层，镍层设置在接合构件的表面上，并且铜层设置在镍层的表面的至少一部分上；以及使用铜层和焊料材料中的锡来熔化以及凝固焊料材料以在镍层的表面上形成Cu6Sn5。本发明还提供一种半导体装置。
-
公开(公告)号：CN102593091A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210013261.8
申请日：2012-01-13
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L23/433 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/4334 , H01L23/3142 , H01L23/473 , H01L23/492 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/06181 , H01L2224/27013 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2224/83801 , H01L2224/8381 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/3656 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/37099
Abstract: 本发明涉及一种半导体模块，其包括：金属块；半导体装置，其经由焊料层而安装于所述金属块的表面的半导体装置安装区域中；以及模压部，其通过在所述金属块和所述半导体装置上对树脂进行模压而形成；其中所述金属块的所述表面包括电镀区域和粗化区域，并且所述半导体装置安装区域设置在所述电镀区域中。
-
公开(公告)号：CN107104056B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201610989359.5
申请日：2016-11-10
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其目的在于，在相互被焊接的两个部件的各Ni膜上生成预先设定的量的(Cu，Ni)6Sn5。本发明的半导体装置的制造方法包括第一热处理工序、第二热处理工序和第三热处理工序。在第一热处理工序中，使含有重量百分比0.9％以上的Cu的第一Sn‑Cu系焊锡在被形成于第一部件上的Ni膜上熔融，从而在第一部件的Ni膜上生成(Cu，Ni)6Sn5。在第二热处理工序中，使含有重量百分比0.9％以上的Cu的第二Sn‑Cu系焊锡在被形成于第二部件上的Ni膜上熔融，从而在第二部件的Ni膜上生成(Cu，Ni)6Sn5。而且，在第三热处理工序中，使第一热处理工序后的第一Sn‑Cu系焊锡与第二热处理工序后的第二Sn‑Cu系焊锡熔融而一体化，从而使第一部件与第二部件相互接合。
-
公开(公告)号：CN108630652A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810224113.8
申请日：2018-03-19
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L23/492 , H01L23/495 , H01L25/18 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体装置、用于半导体装置的制造方法以及电极板。半导体装置包含电极板、金属构件以及将金属构件与电极板连接的焊料。在电极板的表面上，设置了第一沟槽和第二沟槽组。第一沟槽具有第一直线部分到第四直线部分。该第二沟槽组布置在由第一沟槽包围的范围内，并且具有在与第一沟槽连接的外周侧上的端部。该第二沟槽组包含第一集合到第四集合。所述集合中的每一个包含与第一直线部分到第四直线部分连接的多个第二沟槽。当在电极板和金属构件的层压方向上看金属构件时，金属构件的与焊料连接的区域的外周边缘横穿第一集合到第四集合。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
69
records
(took 0.048 seconds)
