-
公开(公告)号：CN112048759A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010502177.7
申请日：2020-06-04
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
Abstract: 本发明提供一种氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置。能够形成氧空位少的氧化膜。该成膜方法作为氧化膜的成膜方法，具有：将溶解有所述氧化膜的材料的溶液的喷雾与氧浓度为21vol％以下的载气一起供给到基板的表面，从而使所述氧化膜在所述基板的所述表面外延生长的工序；以及在使所述氧化膜外延生长之后，使所述氧化膜暴露于含有氧原子的流体的工序。
-
公开(公告)号：CN111326417A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911250102.8
申请日：2019-12-09
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工艺纤维大学
IPC: H01L21/368
Abstract: 本发明涉及氧化镓膜的成膜方法。提出一种成膜方法，其中能够形成表面光滑的氧化镓膜。一种氧化镓膜的成膜方法，其具有在加热基体的同时，向所述基体的表面供给包含镓原子和氯原子的原料溶液的雾，由此在所述基体的所述表面上形成所述氧化镓膜的工序。所述原料溶液中的氯的摩尔浓度为所述原料溶液中的镓的摩尔浓度的3.0倍以上且4.5倍以下。
-
公开(公告)号：CN111254489A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911083382.8
申请日：2019-11-07
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
Abstract: 本发明在抑制加热炉内的喷雾的流速变化的同时改变加热炉内的喷雾的浓度。本发明提供一种成膜装置，其向基体的表面供给溶液的喷雾而使膜在所述基体的所述表面外延生长。该成膜装置具有：加热炉，其收容并加热所述基体；喷雾产生槽，其内部产生所述溶液的所述喷雾；喷雾供给路径，其连接所述喷雾产生槽和所述加热炉；载气供给路径，其向所述喷雾产生槽供给载气；稀释气供给路径，其向所述喷雾供给路径供给稀释气；以及气体流量控制装置，其控制所述载气的流量和所述稀释气的流量。所述气体流量控制装置在使所述载气的流量增加时，使所述稀释气的流量降低。
-
公开(公告)号：CN111945134A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010409496.3
申请日：2020-05-14
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: C23C16/448 , C23C16/40
Abstract: 本发明提供一种能够供给具有稳定的浓度的雾的技术。本发明提供的雾发生装置，具备：贮存槽，其贮存溶液；超声波换能器，其向在贮存槽内贮存的溶液施加超声波振动，从而在贮存槽内产生溶液的雾；以及雾送出通道，其从贮存槽的内部向贮存槽的外部送出雾。在将贮存的溶液的深度设为d，将贮存的溶液的液面的面积设为S时，满足d≤S0.5的关系。
-
公开(公告)号：CN111485288A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010079373.8
申请日：2020-02-03
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
Abstract: 本发明提供一种在储存槽内使喷雾高效地产生的成膜装置。该成膜装置向基体的表面供给溶液的喷雾而使膜在所述基体的所述表面外延生长，该成膜装置具备：加热炉，收容并加热所述基体；储存槽，储存所述溶液；加热器，将所述储存槽内储存的所述溶液加热；超声波振动器，通过向储存在所述储存槽内的所述溶液施加超声波，从而在所述储存槽内产生所述溶液的所述喷雾；以及喷雾供给路径，将所述喷雾从所述储存槽输送到所述加热炉。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107112360B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201580061372.8
申请日：2015-08-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 半导体装置(1)具备：在表面形成有沟槽(30)的半导体基板(10)；覆盖沟槽(30)的内表面的栅极绝缘膜(51)；及配置在沟槽(30)的内部并通过栅极绝缘膜(51)而与半导体基板(10)绝缘的栅极电极(52)。半导体基板(10)具备：与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的n型的源极区域(11)；形成在源极区域(11)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的p型的基极区域(12)；及形成在基极区域(12)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面(31、32)和底面(40)的栅极绝缘膜(51)相接的n型的漂移区域(15)。沟槽(30)的底面(40)以在短边方向上中心部(43)比周缘部(44)向上突出的方式形成。覆盖周缘部(44)的栅极绝缘膜(51)的厚度比覆盖中心部(43)的栅极绝缘膜(51)的厚度厚。
-
公开(公告)号：CN110724935A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910644005.0
申请日：2019-07-17
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工艺纤维大学
IPC: C23C16/448 , C23C16/40 , C30B25/14 , C30B25/20 , C30B29/16
Abstract: 本发明涉及成膜方法和半导体装置的制造方法。提出适宜地形成由氧化物构成并具有导体或半导体的特性的氧化物膜的技术。提出在基板上形成掺杂有锗且具有导体或半导体的特性的氧化物膜的成膜方法。该成膜方法具有如下工序：一边加热上述基体，一边向上述基体的表面供给溶解有包含上述氧化物膜的构成元素的氧化物膜材料和有机锗化合物的溶液的雾。
-
公开(公告)号：CN102422416B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200980159246.0
申请日：2009-09-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L21/761 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/761 , H01L27/0727 , H01L29/32 , H01L29/7397 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种具备半导体装置，其具备形成有二极管区和IGBT区的半导体基板。在二极管区和IGBT区之间，从半导体基板的上表面起到深于阳极区的下端以及体区的下端的深度为止的范围内，形成有p型的分离区。在二极管漂移区内，形成有二极管寿命控制区。二极管寿命控制区内的载流子寿命短于二极管寿命控制区外的、二极管漂移区内的载流子寿命。二极管寿命控制区的IGBT区侧的端部位于分离区的下方。
-
公开(公告)号：CN111326417B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201911250102.8
申请日：2019-12-09
Applicant: 株式会社电装 , 国立大学法人京都工艺纤维大学
IPC: H01L21/368
Abstract: 本发明涉及氧化镓膜的成膜方法。提出一种成膜方法，其中能够形成表面光滑的氧化镓膜。一种氧化镓膜的成膜方法，其具有在加热基体的同时，向所述基体的表面供给包含镓原子和氯原子的原料溶液的雾，由此在所述基体的所述表面上形成所述氧化镓膜的工序。所述原料溶液中的氯的摩尔浓度为所述原料溶液中的镓的摩尔浓度的3.0倍以上且4.5倍以下。
-
公开(公告)号：CN111485285B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202010078437.2
申请日：2020-02-03
Applicant: 株式会社电装 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
Abstract: 本发明用于利用喷雾使品质稳定的膜在基板的表面生长。本发明公开的成膜装置使膜在基板的表面外延生长。该成膜装置具有：载置所述基板的台；对所述基板进行加热的加热器；喷雾供给源，其供给溶剂中溶解有所述膜的材料的溶液的喷雾；加热气体供给源，其供给加热气体，该加热气体含有与所述溶剂相同材料的气体且温度高于所述喷雾；以及送出装置，其将所述喷雾和所述加热气体朝向所述基板的所述表面送出。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
57
records
(took 0.045 seconds)
