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公开(公告)号：CN112259432A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010991834.9
申请日：2020-09-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种远程等离子体输送管以及远程等离子体处理设备，涉及等离子体处理技术领域，以解决远程等离子体容易与等离子体输送管发生反应，产生副产物，从而导致最终的硅片成品率降低的技术问题。该远程等离子体输送管用于向工艺腔输送远程等离子体，远程等离子体输送管包括金属管，以及形成在所述金属管内壁的陶瓷结构，所述陶瓷结构用于隔离所述金属管与远程等离子体。远程等离子体处理设备包括上述技术方案所提供的远程等离子体输送管。
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公开(公告)号：CN114517292B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202011299798.6
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/458
Abstract: 本发明实施例公开了一种晶圆托盘结构及设备，其中晶圆托盘结构包括：托盘底和环状结构，盘壁为环状结构，环状结构设置在托盘底的边缘，可对晶圆进行限位；其中，环状结构上环绕设置有弧形凸起；当晶圆放置在托盘底时，弧形凸起的高度大于或等于晶圆的边缘高度，可在CVD工艺过程中防止晶圆边部的离子反射，有效的降低了离子浓度，保证了晶圆边缘部分和中心部分的离子浓度均匀性。
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公开(公告)号：CN111653567B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202010485980.4
申请日：2020-06-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明涉及一种DRAM器件及其制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中厚Si3N4层会降低H离子的渗透率，影响氢退火的效果的问题。DRAM器件包括：半导体衬底，包括存储区和外围区；沟槽，嵌入所述存储区和所述外围区之间；刻蚀阻挡层，位于所述沟槽中；隔离区，位于所述沟槽中的所述刻蚀阻挡层上方；以及着陆焊盘，位于存储区中，其中，所述刻蚀阻挡层延伸到所述着陆焊盘上。实现了提高H离子的渗透率并改善氢退火的效果。
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公开(公告)号：CN114975232A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110206308.1
申请日：2021-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的金属布线，包括：在基板上并排排列的多条金属线图案，多条金属线图案包括用于传输控制信号的第一金属线和用于传输电源信号的第二金属线；在第一金属线之间的空余区域、第一金属线与第二金属线之间的空余区域均设置有齿状虚设金属图案；在第二金属线之间的空余区域设置有条状虚设金属图案。本申请考虑金属线图案传输的信号类型，进而对金属线图案周围的虚设金属图案形状进行多样化配置，由于齿状虚设金属图案能够减少与第一金属线之间的相邻面，因此可减少金属线和虚设金属图案之间的信号串扰，同时还可以加强周围使用的电源信号；针对用于传输电源信号的金属线之间的空余区域仍配置版图设计及制备工艺简单的条状虚设金属图案。
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公开(公告)号：CN114690564A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011583122.X
申请日：2020-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于半导体制造设备技术领域，具体涉及一种光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法。本申请的光刻胶涂布设备包括装载台、至少一个喷头、多个压电单元和控制器，装载台用于装载晶圆，喷头设于装载台的上方，喷头设有多个朝向装载台设置的喷口，多个喷口沿喷头的长度方向间隔设置，多个喷口通过喷头内的供给管道与外部光刻胶供给单元相连通，任一个喷口处均设有压电单元，压电单元用于控制喷口与供给管道间的通断，控制器用于控制压电单元，从而控制喷口与供给管道间的通断。根据本申请的光刻胶涂布设备，能够在无需转动晶圆的基础上对晶圆表面进行光刻胶涂布，并能够根据晶圆表面各位置所需的涂布厚度进行精确控制，保证涂布质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114672789A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011558184.5
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 本发明公开了一种气相沉淀设备及其晶圆加热载台和加热方法，包括：载台本体、顶针本体以及加热装置；加热装置设置在顶针本体中；载台本体设置有通孔，顶针本体穿过通孔；顶针本体用于承接晶圆并将晶圆放置在载台本体的上表面，其中，加热装置对顶针本体加热，顶针本体与载台本体共同向晶圆传热。本申请通过在顶针本体中加设加热装置，使得加热装置对顶针本体进行加热，顶针本体和载台本体共同对晶圆传热，顶针本体可以减少通孔中损失的热量，或者弥补通孔中损失的热量，进而减轻晶圆在载台本体上受热不均的程度，或避免晶圆在载台本体上出现受热不均的现象，进而可以加快晶圆上表面薄膜的形成速度，增加薄膜的厚度，提高晶圆表面成膜的效率。
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公开(公告)号：CN114628274A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011440008.1
申请日：2020-12-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体制造设备及去除晶圆表面颗粒的方法，该半导体制造设备包括反应腔室、载台和喷头组件，载台设置在反应腔室中，载台用于承载晶圆；喷头组件也设置在反应腔室中，且喷头组件设置在载台的上方，喷头组件包括第一喷头和第二喷头，第二喷头环设在第一喷头的外围，第一喷头用于喷洒反应气体，第二喷头用于在晶圆卸载过程中对晶圆进行吹扫。本发明公开的半导体制造设备中，第二喷头在晶圆的卸载过程中吹扫晶圆的表面，从而能够减少或去除污染物颗粒，避免污染物颗粒影响产品良率以及避免污染物颗粒对设备造成交叉污染。
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公开(公告)号：CN114517292A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011299798.6
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/458
Abstract: 本发明实施例公开了一种晶圆托盘结构及设备，其中晶圆托盘结构包括：托盘底和环状结构，盘壁为环状结构，环状结构设置在托盘底的边缘，可对晶圆进行限位；其中，环状结构上环绕设置有弧形凸起；当晶圆放置在托盘底时，弧形凸起的高度大于或等于晶圆的边缘高度，可在CVD工艺过程中防止晶圆边部的离子反射，有效的降低了离子浓度，保证了晶圆边缘部分和中心部分的离子浓度均匀性。
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公开(公告)号：CN114203576A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010992357.8
申请日：2020-09-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种半导体加工设备，包括：加工腔室、液冷装置和液体抽放装置；所述液冷装置和所述液体抽放装置均与所述加工腔室连接；所述加工腔室包括：腔体和盖体；所述液冷装置用于对冷却液进行降温，并在所述腔体与所述盖体盖合时，向所述腔体或/和所述盖体内输送冷却液；所述液体抽放装置用于在需要将所述腔体与所述盖体分离时，将所述加工腔室内的冷却液抽离出所述加工腔室，并将抽离出的冷却液进行储存；所述液体抽放装置还用于在所述腔体与所述盖体分离后且需要将所述腔体与所述盖体盖合时，将储存的冷却液输送至所述加工腔室内。本发明能够保证加工腔室的加工性能。
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公开(公告)号：CN112018076A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010737827.6
申请日：2020-07-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768 , H01L27/108 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , G02F1/1362
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构，包括半导体基底；位于所述半导体基底上的有源区；与所述有源区连接的至少一个接触孔，所述接触孔包括在所述有源区处的凹槽；所述凹槽内填充有选择性外延生长硅层；在所述接触孔内填充有与所述选择性外延生长硅层连接的多晶硅层。本发明在容易形成空洞的凹槽底部填充了选择性外延生长硅，从而实现100％消除孔洞的目的。
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