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公开(公告)号：CN102117768B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200910244525.9
申请日：2009-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，通过一系列理论的论证和假设，将原来半导体PN结电容器加以改进，使改进后的电容具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺简单等特点，特别是可实现串联电感大大降低，这样可使电容工作在更高的频率内。该电容可广泛用于高频高速功率电子系统中的退耦，滤波，匹配，静电和电涌防护等功能。
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公开(公告)号：CN103094068A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110338301.1
申请日：2011-10-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明实施例公开了一种高密度嵌入式电容器及其制作方法，该方法包括：提供具有本体层和刻蚀阻挡层的基底；在本体层表面内形成多个垂直度良好且具有高深宽比的沟槽；对沟槽的底部、侧壁以及相邻沟槽间的本体层材料进行掺杂，得到该电容器的掺杂区，以在本体层与掺杂区接触区域形成三维PN结；形成该电容器的第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极的极性相反，且二者之间电学绝缘，第一电极位于掺杂区两侧或四周，第二电极位于掺杂区表面上。本发明实施例采用三维立体沟槽制作电容器的介质层，使介质层的有效面积远远大于常规电容器的介质层的有效面积，提高了电容器的电容密度，使该电容器能够同时满足低频退耦和高频退耦的要求。
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公开(公告)号：CN102103979B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200910242759.X
申请日：2009-12-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作利用硅通孔构成的三维硅基无源电路的方法，该方法包括：在减薄后的硅片上形成介质层；在硅片上大面积刻蚀出深的硅通孔；在硅片中部的电容区域进行离子扩散，形成PN结；将用于制作硅通孔的孔二次刻蚀至贯通，并在贯通的硅通孔表面制作绝缘层，在贯通的硅通孔中淀积金属铜；在金属铜的上下表面位置制作凸点，并在硅片表面形成相应的电气连接，形成电容；以及将制作好的电容与另一硅基无源器件通过键合相连，完成三维硅基无源电路的制作。利用本发明，摆脱了传统的在硅片上集成电路，大大减少了芯片的面积，节省成本，使得在工艺实现上更为方便，可替代传统的表面贴装器件或者无源电路，特别是在全硅封装领域得到重要应用。
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公开(公告)号：CN102800596A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201110135530.3
申请日：2011-05-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/2518 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种埋置有源元件树脂基板的制备方法。该制备方法包括：在承载板上加工贯穿承载板的散热孔，并进行散射孔的金属化，散射孔的位置对应于欲埋置有源元件的位置；在有源元件的被动面涂覆界面散热材料，将有源元件粘附于带有散热孔的承载板上，有源元件的被动面朝向承载板；在承载板上有源元件所在的一侧涂覆液态的能量固化型树脂，将有源元件埋入其中；固化能量固化型树脂。本发明采用液态的能量固化型树脂将有源元件埋置到树脂层中，并且在承载板上添加散热孔和散热片以及热沉甚至风扇，有效地解决了埋入有源元件的散热问题，不但简化了工艺，而且高效地完成了有源元件的埋置。
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公开(公告)号：CN102495445A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110421845.4
申请日：2011-12-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种可以有效的降低制作成本、简化工艺步骤和提高良率的新的光学垂直互连结构及其制作方法，包括：一基板、基板表面有光学转向结构，基板下对着转向结构的位置有一孔，该孔内填充波导材料。本发明提供了一种通过刻蚀的方法在基板上制孔，孔不穿过基板，到达光学转向结构的下方，然后填充波导材料完成光学垂直互连的制作方法。本发明结构简单，用于实现该结构的方法工艺简单，成本低廉，便于操作，效率高。可以有效的改善制作金属垂直互连结构时制孔和填孔困难，可靠性和良率低等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101907753B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200910085879.3
申请日：2009-06-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及多路并行光电模块的装配工艺，公开了一种多路并行光电模块装配方法，该方法包括：步骤1：将光电器件装配在载片上；步骤2：连接载片与该光电器件的驱动芯片或信号放大芯片；步骤3：通过焊线的塑性变形使载片连同光电器件相对于芯片直立起来并固定；步骤4：将芯片装配在基板上；步骤5：将光纤与光电器件耦合对准并固定。本发明的装配工艺可省去传统多路并行光电模块装配所需要的光路转折，将光路转折变为电路转折，降低了模块的高度。同时可以节省光学元件，简化模块装配难度，降低成本。
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公开(公告)号：CN102244107A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110176559.6
申请日：2011-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种易于填充的沟槽电容及其填充方法。所述电容包括电容衬底，位于电容衬底上的多个相互连通的沟槽，位于电容衬底的表面上的下电极，位于下电极的表面上的介质层，位于介质层的表面上的上电极，以及填充于沟槽处的填充材料，填充材料位于上电极的表面上。本发明电容具有沟槽的结构，不用借助特殊的沉积设备，填充效果满足对高可靠性器件的要求，可以应用于沟槽结构的所有需要完成填充的电容。
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公开(公告)号：CN102104009A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910242766.X
申请日：2009-12-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明公开了一种利用半导体PN结结电容和硅通孔技术制作高密度三维硅基堆叠电容器的方法，包括：利用成熟的深度反应离子刻蚀、淀积、键合等微电子加工工艺，通过对单层硅基电容芯片刻蚀，形成大的深宽比通孔，并淀积铜，制作金凸点，并将相同的多层硅基电容对准，键合，使之形成多层堆叠三维硅基电容。该电容可取代传统的贴片电容应用于高频高速电路中，其特点是结构简单，电容量大，容值可调，与现有微电子工艺兼容。
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公开(公告)号：CN101923193A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200910087340.1
申请日：2009-06-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种可插拔的光收发一体模块，包含：散热片(1)；安装在散热片(1)上的高速多层有机基板(2)；在高速多层有机基板(2)中心位置的镂空区域放置的硅基板(8)；安装在高速多层有机基板(2)背面的微控制器(9)；安装在硅基板(8)正面的激光器阵列芯片(4)、光电探测器阵列芯片(5)、激光驱动器阵列芯片(6)和跨阻放大器及限幅放大器阵列芯片(7)；安装在高速多层有机基板(2)正面，并覆盖在硅基板(8)、激光器阵列芯片(4)、光电探测器阵列芯片(5)、激光驱动器阵列芯片(6)和跨阻放大器及限幅放大器阵列芯片(7)上的高速电连接器(10)；以及光纤带(11)和光纤连接器(12)。该模块结构简单，适于低成本大批量生产，同时体积小，外观简洁，使用方便。
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公开(公告)号：CN101907753A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910085879.3
申请日：2009-06-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及多路并行光电模块的装配工艺，公开了一种多路并行光电模块装配方法，该方法包括：步骤1：将光电器件装配在载片上；步骤2：连接载片与该光电器件的驱动芯片或信号放大芯片；步骤3：通过焊线的塑性变形使载片连同光电器件相对于芯片直立起来并固定；步骤4：将芯片装配在基板上；步骤5：将光纤与光电器件耦合对准并固定。本发明的装配工艺可省去传统多路并行光电模块装配所需要的光路转折，将光路转折变为电路转折，降低了模块的高度。同时可以节省光学元件，简化模块装配难度，降低成本。
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