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公开(公告)号：CN1591784A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN03155722.8
申请日：2003-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/324 , H01F1/40 , H01F41/02
Abstract: 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择半导体材料为衬底；在半导体衬底中直接进行大计量离子注入；退火，使得磁性团族均匀分布于衬底中。
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公开(公告)号：CN1174467C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN01124213.2
申请日：2001-08-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法，包括两个半导体材料层和两个半导体材料层中夹的一薄的磁性材料层，其特征在于，选择半导体衬底，然后在衬底上直接生长磁性材料；或在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性材料层；最后在磁性材料层上外延半导体层。
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公开(公告)号：CN118792738B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411114493.1
申请日：2024-08-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中科镓(深圳)半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了氮化镓单晶片制备过程应力调控结构，可应用于半导体技术领域。包括：蓝宝石单晶衬底；第一目标氮化铝单晶薄膜模板层，位于衬底上；多孔氮化铝应力协变区，位于第一目标氮化铝单晶薄膜模板层远离衬底的一侧；第二目标氮化铝单晶薄膜模板层，位于多孔氮化铝应力协变区远离衬底的一侧；以及氮化镓单晶薄膜模板层，位于第二目标氮化铝单晶薄膜模板层远离衬底的一侧，其中，多孔氮化铝应力协变区包括第一多孔氮化铝应力协变层、第二多孔氮化铝应力协变层、第三多孔氮化铝应力协变层、第四多孔氮化铝应力协变层和第五多孔氮化铝应力协变层且各协变层的钠米孔隙度不完全相同。本发明的实施例还提供了一种氮化镓单晶片的制备方法及其应用。
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公开(公告)号：CN114112145A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111330097.9
申请日：2021-11-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中云宝(北京)科技有限公司
Abstract: 本公开提供一种薄膜本征应力测量方法，包括：取N个衬底，依次分别在各衬底上逐层外延1至N层薄膜，得到N个外延衬底，其中，N≥2，且N为整数，处于相同层数的薄膜相同；测量各外延衬底在室温下的曲率值，得到测量曲率值；建立各外延衬底的有限元模型，在有限元模型中计算各外延衬底在室温下的曲率值，得到计算曲率值；计算使相同层数外延衬底的测量曲率值与计算曲率值的平方和最小，逐层计算得到各层薄膜的本征应力。本公开提供的薄膜本征应力测量方法，可以准确测量III‑V族氮化物半导体材料多层薄膜结构中各层薄膜材料的本征应力，测量方法简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN110172682A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910365880.5
申请日：2019-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 南京佑天金属科技有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本公开提供一种气相沉积设备的进气喷淋头，包括：气源腔，其内通入带有气相反应前驱体的载气气体；至少一个气体喷淋通道，其与气源腔连通，用于将气源腔内的气体喷出；隔离气体腔底板，其顶面与气源腔的底面之间形成隔离气体腔，该隔离气体腔内通入隔离气体；至少一个隔离气体导流通道，其形成于隔离气体腔底板上，并与隔离气体腔连通，用于将隔离气体腔内的隔离气体喷出；其中，每个气体喷淋通道均插入任意一个隔离气体导流通道中。本公开提供的气相沉积设备的进气喷淋头，气体喷淋通道插入隔离气体腔底板上的隔离气体导流通道中，避免反应物在喷淋头附近或者气体喷淋通道上发生预反应，导致预反应产物对喷淋头以及气体喷淋通道造成污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107170862A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710429863.4
申请日：2017-06-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/325
Abstract: 一种非极性面量子点发光二极管，包括衬底及依次叠置于所述衬底上的、均为非极性面的u型GaN层、n型GaN层、有源区、p型电子阻挡层及p型GaN层，其中：有源区包括周期分布的、非极性面的InGaN量子点势阱层和GaN势垒层。以及一种非极性面量子点发光二极管的制备方法。在衬底上依次叠置非极性面的外延结构，一方面可消除量子限制斯塔克效应对器件的内量子效率的影响，有效的消除极化效应；另一方面，此晶面取向的发光二极管的发光波长可以延伸到深绿光，甚至橙光区，能缓解当今化合物半导体发光器件中的“绿隙”(green gap)问题。
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公开(公告)号：CN103849853B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410058985.3
申请日：2014-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法包括：于硅(111)衬底表面沉积金属铝层；通入的摩尔比介于2000～5000之间的氨气与三甲基铝，于1000℃～1500下在金属铝层上沉积氮化铝成核层；通入摩尔比介于1000～2000之间的氨气与三甲基铝，于1000℃～1500℃在氮化铝成核层上沉积氮化铝过渡层；通入摩尔比介于1000～2000之间的氨气与三甲基铝，于550℃～850℃之间在氮化铝过渡层上沉积氮化铝缓冲层；以及，在氮化铝缓冲层上沉积氮化镓薄膜。本发明通过调节氮化铝层的V／III比和生长温度形成多层氮化铝，能够制备出低位错密度低应力的氮化镓薄膜。
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公开(公告)号：CN103633200B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310652125.8
申请日：2013-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法，包含：在硅衬底表面上先制备一阻挡层及包含铟组分的薄III族氮化物合金层和低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将硅衬底加热，将包含有铟组分的薄III族氮化物合金层中的铟组分加热分解和完全析出，变成高温薄氮化镓单晶模板层；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层；降温，在多孔薄III族氮化物弱键合层处自分离；制备一反射／欧姆金属层；键合一键合衬底；利用机械力，剥离；制备第一欧姆电极层；制备第二欧姆电极层；切割、分选和封装后，制备得到垂直结构氮化镓基发光二极管器件。
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公开(公告)号：CN103633199B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310651999.1
申请日：2013-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法，包含：在蓝宝石衬底表面上先制备一包含铟组分的薄III族氮化物合金层和一低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将蓝宝石硅衬底加热温度升高；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层；降温，形成的多孔薄III族氮化物弱键合层处自分离；在氮化镓基发光二极管器件结构层上制备一反射/欧姆金属层；再键合一键合衬底；将蓝宝石衬底沿多孔薄III族氮化物弱键合层处剥离去除；制备第一欧姆电极层；制备第二欧姆电极层；将上述材料切割、分选和封装后得到垂直结构氮化镓基发光二极管器件。
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公开(公告)号：CN102820213A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210325584.0
申请日：2012-09-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：利用MOCVD方法，通入铟源和锌源，在衬底上得到高度均一、竖直排列的InN纳米棒；步骤3：关闭铟源和锌源，通入镓源，在InN纳米棒外层生长GaN层；步骤4：关闭镓源，在氨气气氛下升高反应室温度，对外层覆盖有GaN层的InN纳米棒在高温下退火，使InN纳米棒分解随载气排除，完成单晶GaN纳米管的生长。本发明利用InN纳米棒作为形核层，可以获得排列整齐的单晶GaN纳米管。
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