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公开(公告)号：CN1591784A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN03155722.8
申请日：2003-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/324 , H01F1/40 , H01F41/02
Abstract: 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择半导体材料为衬底；在半导体衬底中直接进行大计量离子注入；退火，使得磁性团族均匀分布于衬底中。
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