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公开(公告)号：CN108520765A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810304264.4
申请日：2018-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法，包括：若干条平行间隔排布的字线；若干条平行间隔排布的位线；相变存储器阵列；驱动电路，与各位线相连接；至少一测试结构，包括驱动电路、可变电阻器、可变电容器及第二相变存储器单元；其中，可变电阻器与可变电容器串联成的串联电路一端与驱动电路相连接，另一端与第二相变存储器单元相连接；第二相变存储器单元的结构与第一相变存储器单元的结构相同。本发明可以简单便捷地得到相变存储器阵列中的位线寄生参数，为相变存储器阵列中的各相变存储器单元均能够被充分操作弥补能量损耗提供依据，为得到比较一致的电阻分布，提高相变存储器芯片的工作可靠性提供基础。
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公开(公告)号：CN106010297B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610445394.0
申请日：2016-06-20
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1436
Abstract: 本发明公开了种氧化铝抛光液的制备方法,包括如下步骤:1)将硅烷偶联剂、乙醇和水混合形成水解液;2)在95~110℃加热和搅拌条件下,将水解液加入到氧化铝粉末中,保持边搅拌边加热,直至液体挥发完全获得改性氧化铝;3)将改性氧化铝研磨成粉末分散到水里,调节溶液pH为9.5~10.5即为氧化铝抛光液。使用本发明的氧化铝抛光液可达到pH=13.00时的抛光效率,同时抛光片较少有划痕出现。
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公开(公告)号：CN105023606B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510501083.7
申请日：2015-08-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器及其恢复数据的方法，包括：获取基准参考电阻值的预写相变存储单元；存储数据的正常访问相变存储单元；控制写入数据及读取数据的电学控制模块；控制温度的温度控制模块。在预写地址和正常访问地址中写入数据；改变环境温度；读取预写地址内的数据，获取基准参考电阻值；读取正常访问地址内的数据，以基准参考电阻值作为参考标准，若数据失效则恢复失效数据。本发明的相变存储器及其恢复数据的方法能快速判定相变存储器中的数据是否失效并恢复失效数据，操作简单、快速、效率高。
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公开(公告)号：CN105913119B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201610210819.X
申请日：2016-04-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明提供一种行列互联的异构多核心类脑芯片及其使用方法，所述类脑芯片中，连线模拟神经元网格中的突触，其中横向连线代表神经元的树突，纵向连线代表神经元的轴突；信号处理核心代表神经元细胞体的功能，其位于行列连线的对角线交叉位置，根据输入信号决定是否进入神经元的兴奋状态，并将兴奋的程度转化为输出电压输出到纵向连线；信号传输核心代表神经元的学习记忆功能，其位于所有编号不同的横向连线和纵向连线交叉点处，从纵向连线获取输入电压信号，经过特定算法计算后，将结果输出到横向连线上。所述使用方法包括学习模式和工作模式。本发明的行列互联的异构多核心类脑芯片能够记忆概念和概念之间的关系，并根据记忆内容，完成预测功能。
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公开(公告)号：CN104347113B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410675312.2
申请日：2014-11-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海市纳米科技与产业发展促进中心
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储器的读出电路及读出方法，包括用于存储数据的目标相变存储单元；根据目标相变存储单元的当前状态产生读电流的读电路；将读电流与读参考电流进行比较，并产生读出电压信号的比较电路。在相变存储器进行读取操作时，将目标相变存储单元的字线置位到读字线电压；当读使能有效时，目标相变存储单元所在的位线将产生相应的读电流；通过比较读电流和读参考电流的大小，得到读出的电压信号。本发明不需要通过钳位的方式限制位线电压，因此能有效地加快读取过程，特别适用于使用Diode等作为选通管时相变存储器阵列位线具有较高压降的情况，避免了位线钳位等方式带来的读出时延，有利于高速相变存储器产品的实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107147286A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710532828.5
申请日：2017-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M3/156 , G01R19/175
CPC classification number: H02M3/156 , G01R19/175 , H02M2001/0009
Abstract: 本发明提供一种开关电源电感的电流过零检测方法、电路及控制方法，包括：基于第一及第二电流采样模块分别获取充磁电压的采样电流及退磁电压的采样电流；基于第一检测电压产生模块产生与充磁电压和占空比导通时间之积成正比的第一检测电压；基于第二检测电压产生模块产生与充磁电压和占空比导通时间之积成正比的第一电压及与退磁电压和占空比截止时间之积成正比的第二电压；基于死区脉冲产生电路检测电流过零点及死区。本发明通过伏秒平衡原理间接取样电感电流过零信号，避免了对小信号的处理，形成控制电路，解决了电流倒灌问题；同时省去系统上的取样电阻；既提高系统的效率，又简化了电源系统的系统方案，提高产品的竞争力。
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公开(公告)号：CN104077084B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201410350026.9
申请日：2014-07-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F3/06 , G06F12/1009 , H04L29/08
Abstract: 本发明提供一种分布式随机访问文件系统及其访问控制方法，其中，所述分布式随机访问文件系统至少包括：进程管理模块，用于在用户请求打开、关闭和读/写被访问文件时，管理进程对所述被访问文件的打开、关闭和读/写操作；查询判断模块，用于查询所述映射表，并判断所述被访问文件数据的逻辑地址与其所在的物理地址间是否存在映射关系；寻址访问模块，用于根据所述被访问文件数据的逻辑地址寻址到所述被访问文件数据的物理地址。本发明充分发挥了新型非易失存储器随机访问的优势，提高了文件的读写访问速度，节省了有限的DRAM资源，从而提高系统I/O性能，实现进程对文件数据的快速访问。
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公开(公告)号：CN106601911A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611262613.8
申请日：2016-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/143 , H01L45/06 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供一种Ge‑Se‑Al OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法，其中，该Ge‑Se‑Al OTS材料的化学通式为GexSeyAl100‑x‑y，x、y均指元素的原子百分比，且满足40
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公开(公告)号：CN104779349B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510177956.3
申请日：2015-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储单元及其制作方法，所述相变存储单元包括：镶嵌于衬底中的至少一个下电极；连接于所述下电极上方的刀片状加热电极；连接于所述刀片状加热电极上方的刀片状相变材料结构；连接于所述相变材料结构上方的上电极。本发明的相变存储单元中采用刀片状加热电极及刀片状相变材料结构，所述刀片状加热电极及刀片状相变材料结构相互交叉接触。由于刀片状加热电极和刀片状相变材料结构的厚度尺寸非常小且容易控制，二者交叉接触可实现接触面最小化，达到进一步缩小相变存储单元的相变区域的目的，从而大大降低器件功耗。
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公开(公告)号：CN106354890A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201611041427.1
申请日：2016-11-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F17/30
CPC classification number: G06F16/13
Abstract: 本发明提供一种基于N-ary树结构的随机访问的文件系统的实现方法，以页为单位来管理文件系统所有的文件数据；在文件系统中设置iNode区和数据区，所述数据区包括节点页和数据页；所述iNode区中所存储的iNode节点包括N-ary树级数字段和N-ary树根节点字段；以文件所对应的第N级节点页页号为根节点，以第（N-1）级节点页页号为第1级子节点，以此类推，以第1级节点页页号为第（N-1）级子节点，形成一个N-ary树以对该文件的所有数据进行存储管理；其中第1级节点页为数据页；N-ary树的遍历顺序为数据页的逻辑顺序。本发明的基于N-ary树结构的随机访问的文件系统的实现方法实现文件数据在物理存储空间内的随机存储，从而最大化地提高文件系统整体的运行效率。
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