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公开(公告)号：CN102130208A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010608360.1
申请日：2010-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种用分子束外延方法制作光电探测单元或焦平面器件的方法，包括：(1)应用分子束外延生长技术，在导电衬底上生长缓冲层、光吸收层和宽禁带帽层的外延结构，然后连续生长一层铍高掺杂或δ掺杂的异质窄禁带薄层作为扩散源层；(2)用常规图形加工工艺刻蚀扩散源层形成局部掺杂源图形，在钝化介质膜的保护下应用扩散技术形成pn结，扩散温度为450-600℃；然后制作电极构成光电探测单元或焦平面器件。本发明的方法具有普适性，简单，掺杂成结工艺结合了光电探测器件制作中台面型原位掺杂成结工艺成结方便和平面型扩散成结工艺钝化效果好的优点，简化器件工艺和提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN104538484B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410729324.9
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0232 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构，所述外延结构采用与衬底晶格匹配的P‑型In0.52Al0.48As材料作为电子倍增层，失配的P‑型InxGa1‑xAs材料作为光吸收层，且采用能带递变和组分递变双过渡层；其中，0.53
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公开(公告)号：CN106601839A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611153882.0
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L21/02
CPC classification number: H01L31/035263 , H01L21/02392 , H01L21/02463 , H01L21/02507 , H01L21/02546
Abstract: 本发明涉及一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层，所述缓冲层包含N个层厚相同的周期性过渡层，每个周期内均包含A、B两层材料，且A、B材料的厚度比从N:1依次递变到1:N。本发明利用啁啾数字递变的周期性界面对位错缺陷传递的阻挡效应，实现异变缓冲层表面附近缺陷密度的显著降低，材料结晶质量显著提高，且具有可同时实现晶格和能带双过渡的功能；有望广泛应用于提升Si、GaAs、InP、GaSb等衬底上的异质失配结构激光器、探测器的器件性能。
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公开(公告)号：CN105609585A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510952593.6
申请日：2015-12-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1844 , H01L21/02392 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02499 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02631
Abstract: 本发明涉及一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法，包括：采用气态源分子束外延生长方法生长异质结一侧或双侧材料中含有两种或以上V族元素的组分递变过渡层，用两个或以上气态源进行生长，III族束源为固态，束流由快门切换实现控制；V族束源为气态，由压力或流量调节V族束流强度或V-III比，获得组分递变过渡层。用本发明的材料生长方法获得的过渡层可以有效地缓解异质结器件中异质界面处的能带尖峰或晶格和组分突变对器件性能带来的负面效应，从而有利于提高器件性能或发展新型器件。
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公开(公告)号：CN104538484A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410729324.9
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0232 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L31/03046 , H01L31/035272
Abstract: 本发明涉及一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构，所述外延结构采用与衬底晶格匹配的P-型In0.52Al0.48As材料作为电子倍增层，失配的P-型InxGa1-xAs材料作为光吸收层，且采用能带递变和组分递变双过渡层；其中，0.53
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104138637A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410403289.1
申请日：2014-08-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61N5/067
Abstract: 本发明提供一种小型可遥控的光感基因刺激装置及其控制方法，该装置包括中央处理单元、无线射频模块、开关驱动电路、数字电位器、自动功率控制电路、兴奋光源、光敏二极管、稳压模块及电源。无线射频模块接收外部指令并传送给中央处理单元，开关驱动电路实现兴奋光源的导通与断开形成光脉冲；数字电位器改变光敏二极管的静态工作电流从而控制兴奋光源的初始功率；光敏二极管接收兴奋光源输出光并转换为光电流反馈给自动功率控制电路对出光功率进行反馈调节以实现稳定输出。该装置具有功耗低、体积小、稳定性高、控制方便、应用面广、调节迅速的优点，适用于光感基因实验，填补了光基因领域内穿戴式光感基因刺激装置的空白，具有广阔的市场前景。
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公开(公告)号：CN104104012A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410247131.X
申请日：2014-06-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明涉及一种InP基中红外InAsBi量子阱结构，采用InAsBi作为量子阱结构的势阱层，同时采用与InP匹配的In0.53Ga0.47As或者晶格常数比InP小的InxGa1-xAs、0
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公开(公告)号：CN103368073A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310264489.9
申请日：2013-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明涉及一种GaAs衬底上实现1.3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法，该量子阱结构采用InxGa1-xAs1-yBiy作为量子阱的阱层材料，采用AlzGa1-zAs作为量子阱的垒层材料；其制备方法包括：（1）在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层和AlGaAs势垒层；（2）生长InxGa1-xAs1-yBiy势阱层；（3）继续重复生长N-1个周期的AlGaAs势垒层和InGaAsBi势阱层；（4）最后再生长AlGaAs势垒层，完成量子阱结构的生长。本发明的量子阱结构可获得比传统AlGaAs/InGaAs量子阱更长的发光波长，实现波长达1.3微米附近的发光；制备方法操作工艺简单，易控制。
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公开(公告)号：CN103337556A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310234470.X
申请日：2013-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种晶格匹配体系上裁剪带隙波长提高光电探测器性能的方法，包括：采用分子束外延法或金属有机物气相外延法，在衬底上生长晶格匹配的缓冲层、多元系光吸收层和宽禁带帽层得到光电探测器件外延结构；其中，生长过程中对多元系光吸收层的带隙进行裁剪设定，在满足应用中对光电探测器长波端截止波长要求的前提下选取宽带隙。本发明材料生长方法简单，通过对光电探测器多元系光吸收层带隙的裁剪设定，在基本不改变原有器件设计的前提下显著改善器件性能，探测率改善3倍以上；既适合一些不同种类的III-V族化合物材料体系光电探测器件的制作，也适合其他类型的光电器件及电子器件的制作及拓展到其他材料体系，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102610998B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210071836.1
申请日：2012-03-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/04
Abstract: 本发明涉及一种脉冲激光器驱动装置，包括驱动供电模块和激光器模块，所述驱动供电模块包括供电电源单元和脉冲产生单元；所述供电电源单元用于为所述激光器模块和脉冲产生单元供电；所述脉冲产生单元用于产生所需脉冲参数的电脉冲；所述激光器模块包括脉冲电平转换单元、脉冲电流开关和脉冲激光器；所述脉冲电平转换单元用于将所述脉冲产生单元产生的电脉冲升高至所需电平以满足所述脉冲电流开关的驱动要求；所述脉冲电流开关用于驱动所述脉冲激光器；所述供电电源单元通过供电导线分别与所述脉冲电平转换单元和脉冲激光器相连；所述脉冲产生单元通过同轴电缆与脉冲电平转换单元相连。本发明能够延长短脉冲激光器驱动距离和改善驱动质量。
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