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公开(公告)号：CN103368073A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310264489.9
申请日：2013-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明涉及一种GaAs衬底上实现1.3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法，该量子阱结构采用InxGa1-xAs1-yBiy作为量子阱的阱层材料，采用AlzGa1-zAs作为量子阱的垒层材料；其制备方法包括：（1）在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层和AlGaAs势垒层；（2）生长InxGa1-xAs1-yBiy势阱层；（3）继续重复生长N-1个周期的AlGaAs势垒层和InGaAsBi势阱层；（4）最后再生长AlGaAs势垒层，完成量子阱结构的生长。本发明的量子阱结构可获得比传统AlGaAs/InGaAs量子阱更长的发光波长，实现波长达1.3微米附近的发光；制备方法操作工艺简单，易控制。
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公开(公告)号：CN103367575A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310264476.1
申请日：2013-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种提高热稳定性的稀铋半导体量子阱结构及其制备方法，所述的量子阱结构的势垒层中含有铋元素；其制备方法以GaAsBi量子阱为例，包括：（1）在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；（2）生长AlGaAsBi势垒层；（3）生长GaAsBi势阱层；（4）继续重复生长N-1个周期的AlGaAsBi势垒层和GaAsBi势阱层，其中1≤N≤5；（5）最后再生长AlGaAsBi势垒层，即可。本发明的稀铋半导体量子阱结构的热稳定性好，本发明的稀铋半导体量子阱结构可用常规分子束外延、原子层沉积等多种方法进行生长，操作工艺简单，易控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103367567A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310264472.3
申请日：2013-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法，包括生长III-V族半导体量子阱的势阱材料和势垒材料，所述的势阱材料和势垒材料的生长过程中均加入铋元素。本发明在生长量子势阱和势垒材料过程中同时打开铋束源快门，利用铋元素引起的III族元素互扩散实现非矩形量子阱结构，该方法可有效地控制材料组分，克服了采用常规生长方法只适合生长组分突变矩形量子阱结构的问题，为量子结构和功能的设计及实现引入更大的自由度；本发明的制备方法适合采用分子束外延、原子层沉积等多种材料生长手段，操作工艺简单方便。
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公开(公告)号：CN103367123A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310264486.5
申请日：2013-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法，包括：在生长稀铋半导体材料的过程中加入小半径且大键能的原子；所述的小半径且大键能的原子为氮或硼。本发明提供的方法在生长稀铋半导体材料的时候同时加入氮、硼等小半径、大键能的原子，利用此类原子增强铋原子在稀铋半导体材料中的成键强度，可以提高稀铋半导体材料在高温下的热稳定性；本发明可以用常规的分子束外延方法实现，操作工艺简单，易控制。
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公开(公告)号：CN103367567B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310264472.3
申请日：2013-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法，包括生长III-V族半导体量子阱的势阱材料和势垒材料，所述的势阱材料和势垒材料的生长过程中均加入铋元素。本发明在生长量子势阱和势垒材料过程中同时打开铋束源快门，利用铋元素引起的III族元素互扩散实现非矩形量子阱结构，该方法可有效地控制材料组分，克服了采用常规生长方法只适合生长组分突变矩形量子阱结构的问题，为量子结构和功能的设计及实现引入更大的自由度；本发明的制备方法适合采用分子束外延、原子层沉积等多种材料生长手段，操作工艺简单方便。
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公开(公告)号：CN103367123B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310264486.5
申请日：2013-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法，包括：在生长稀铋半导体材料的过程中加入小半径且大键能的原子；所述的小半径且大键能的原子为氮或硼。本发明提供的方法在生长稀铋半导体材料的时候同时加入氮、硼等小半径、大键能的原子，利用此类原子增强铋原子在稀铋半导体材料中的成键强度，可以提高稀铋半导体材料在高温下的热稳定性；本发明可以用常规的分子束外延方法实现，操作工艺简单，易控制。
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公开(公告)号：CN103367520A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310264420.6
申请日：2013-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种InP基截止波长大范围可调的晶格匹配InGaAsBi探测器结构及其制备方法，该探测器结构由下而上依次包括：InP衬底、高掺杂n型InP缓冲层、吸收层和高掺杂p型InP帽层，所述的吸收层为低掺杂n型InyGa1-yAs1-xBix吸收层，其中0
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