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公开(公告)号：CN107146834A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710304778.5
申请日：2017-05-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L33/0054 , B82Y40/00 , C09K11/66
Abstract: 本发明提供了一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法，目的在于解决既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺的发光材料，其包括如下步骤：在单晶硅衬底上外延生长预制的过渡晶体单元，且顶层材料的晶格常数大于Ge材料；在所述预制的过渡晶体单元上外延生长Ge量子点；通过高温原位退火使离散的所述Ge量子点通过定向扩散汇聚成面内的Ge纳米线。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，实现了既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺。
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公开(公告)号：CN103367567B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310264472.3
申请日：2013-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法，包括生长III-V族半导体量子阱的势阱材料和势垒材料，所述的势阱材料和势垒材料的生长过程中均加入铋元素。本发明在生长量子势阱和势垒材料过程中同时打开铋束源快门，利用铋元素引起的III族元素互扩散实现非矩形量子阱结构，该方法可有效地控制材料组分，克服了采用常规生长方法只适合生长组分突变矩形量子阱结构的问题，为量子结构和功能的设计及实现引入更大的自由度；本发明的制备方法适合采用分子束外延、原子层沉积等多种材料生长手段，操作工艺简单方便。
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公开(公告)号：CN103367123B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310264486.5
申请日：2013-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法，包括：在生长稀铋半导体材料的过程中加入小半径且大键能的原子；所述的小半径且大键能的原子为氮或硼。本发明提供的方法在生长稀铋半导体材料的时候同时加入氮、硼等小半径、大键能的原子，利用此类原子增强铋原子在稀铋半导体材料中的成键强度，可以提高稀铋半导体材料在高温下的热稳定性；本发明可以用常规的分子束外延方法实现，操作工艺简单，易控制。
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公开(公告)号：CN107039884B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710304793.X
申请日：2017-05-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/34
Abstract: 本发明提供了一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器，该有源区结构包括第一势垒层、Ge纳米线和第二势垒层，所述Ge纳米线位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，克服了硅不能直接带隙以及III‑V族发光器件与现有的CMOS工艺不兼容的问题，同时也有利于单片集成，降低成本，促进光通信行业的良性发展。
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公开(公告)号：CN105951055A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610436234.X
申请日：2016-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C23C16/18 , C23C16/01 , C23C16/56 , C30B25/18 , C30B25/186
Abstract: 本发明提供一种二维锡烯材料的制备方法，包括以下步骤：1)在单晶衬底上外延生长单层或多原子层的α‑Sn晶体薄膜，其中，所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜通过sp3化学键相连；2)采用原子和/或离子和/或电子进行轰击，在所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜的界面处形成钝化层或非晶态层以断开所述sp3化学键，所述α‑Sn晶体薄膜的Sn原子之间重构成sp2化学键形成一种二维锡烯材料。根据本发明提供的方法，采用常规的商用单晶衬底以及难度显著降低的常规外延方法即可实现大尺寸二维锡烯材料的制备，总之，本发明相对现有技术提供了一种衬底选择范围扩大的、可行的、易操作、简单的二维锡烯材料的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103794472A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410023924.3
申请日：2014-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02441 , H01L21/02463 , H01L21/02513
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料过滤位错的方法，提供第一晶体层，在所述第一晶体层上依次外延生长内嵌有金属颗粒的过滤层和器件层，利用嵌入在半导体材料内部的金属颗粒过滤位错。本发明操作工艺简单，易控制，可有效地过滤穿透位错，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103368073A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310264489.9
申请日：2013-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明涉及一种GaAs衬底上实现1.3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法，该量子阱结构采用InxGa1-xAs1-yBiy作为量子阱的阱层材料，采用AlzGa1-zAs作为量子阱的垒层材料；其制备方法包括：（1）在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层和AlGaAs势垒层；（2）生长InxGa1-xAs1-yBiy势阱层；（3）继续重复生长N-1个周期的AlGaAs势垒层和InGaAsBi势阱层；（4）最后再生长AlGaAs势垒层，完成量子阱结构的生长。本发明的量子阱结构可获得比传统AlGaAs/InGaAs量子阱更长的发光波长，实现波长达1.3微米附近的发光；制备方法操作工艺简单，易控制。
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公开(公告)号：CN102427068A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110394410.5
申请日：2011-12-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C30B19/12 , C30B23/025 , C30B25/06 , C30B25/183 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/68 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02546 , H01L21/02667 , Y10T428/12681 , Y10T428/2495 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种利用低粘滞度材料单片集成具有晶格失配的晶体模板及其制作方法，晶体模板的制作方法包括：提供具有第一晶格常数的第一晶体层；在第一晶体层上生长缓冲层；在缓冲层的熔点温度之下，在缓冲层上依序执行第二晶体层生长工艺和第一次模板层生长工艺生长第二晶体层和模板层、或者在缓冲层上直接执行第一次模板层生长工艺生长模板层；将缓冲层熔化并转化为非晶态，在高于缓冲层的玻璃化转变温度的生长温度下，在第一次模板层生长工艺中生长的模板层上执行第二次模板层生长工艺，继续生长模板层，直至模板层晶格完全弛豫。相较于现有技术，本发明具有制作简单、在同一衬底上实现多种晶格常数材料组合且位错密度低、晶体质量高等优点。
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公开(公告)号：CN105951055B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201610436234.X
申请日：2016-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种二维锡烯材料的制备方法，包括以下步骤：1)在单晶衬底上外延生长单层或多原子层的α‑Sn晶体薄膜，其中，所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜通过sp3化学键相连；2)采用原子和/或离子和/或电子进行轰击，在所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜的界面处形成钝化层或非晶态层以断开所述sp3化学键，所述α‑Sn晶体薄膜的Sn原子之间重构成sp2化学键形成一种二维锡烯材料。根据本发明提供的方法，采用常规的商用单晶衬底以及难度显著降低的常规外延方法即可实现大尺寸二维锡烯材料的制备，总之，本发明相对现有技术提供了一种衬底选择范围扩大的、可行的、易操作、简单的二维锡烯材料的制备方法。
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