-
公开(公告)号：CN107146834A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710304778.5
申请日：2017-05-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L33/0054 , B82Y40/00 , C09K11/66
Abstract: 本发明提供了一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法，目的在于解决既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺的发光材料，其包括如下步骤：在单晶硅衬底上外延生长预制的过渡晶体单元，且顶层材料的晶格常数大于Ge材料；在所述预制的过渡晶体单元上外延生长Ge量子点；通过高温原位退火使离散的所述Ge量子点通过定向扩散汇聚成面内的Ge纳米线。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，实现了既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺。
-
公开(公告)号：CN107039884A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710304793.X
申请日：2017-05-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/341
Abstract: 本发明提供了一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器，该有源区结构包括第一势垒层、Ge纳米线和第二势垒层，所述Ge纳米线位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，克服了硅不能直接带隙以及III‑V族发光器件与现有的CMOS工艺不兼容的问题，同时也有利于单片集成，降低成本，促进光通信行业的良性发展。
-
公开(公告)号：CN106744657A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611126275.5
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/0015 , B81C1/00349 , B81C1/00373
Abstract: 本发明提供一种形变可控的三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：根据所需悬臂结构通过理论计算，设计GeSn薄膜的应力分布和厚度，进而设计所需生长的GeSn薄膜中Sn的组分及GeSn薄膜的厚度；然后外延生长GeSn薄膜，通过精确控制GeSn薄膜中Sn的分布及GeSn薄膜的厚度，调控该GeSn薄膜中的应力分布；根据GeSn薄膜的应力分布和悬臂结构图形，对该材料进行光刻和刻蚀，制作出所需悬臂结构。本发明克服了难以制备全金属实体的三维微纳结构的问题，直接在锗锡材料上制备而成的三维悬臂结构，在高温或者导电方面都比聚合物的三维微结构更有优势。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106744657B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201611126275.5
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种形变可控的三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：根据所需悬臂结构通过理论计算，设计GeSn薄膜的应力分布和厚度，进而设计所需生长的GeSn薄膜中Sn的组分及GeSn薄膜的厚度；然后外延生长GeSn薄膜，通过精确控制GeSn薄膜中Sn的分布及GeSn薄膜的厚度，调控该GeSn薄膜中的应力分布；根据GeSn薄膜的应力分布和悬臂结构图形，对该材料进行光刻和刻蚀，制作出所需悬臂结构。本发明克服了难以制备全金属实体的三维微纳结构的问题，直接在锗锡材料上制备而成的三维悬臂结构，在高温或者导电方面都比聚合物的三维微结构更有优势。
-
-
公开(公告)号：CN105951055B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201610436234.X
申请日：2016-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种二维锡烯材料的制备方法，包括以下步骤：1)在单晶衬底上外延生长单层或多原子层的α‑Sn晶体薄膜，其中，所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜通过sp3化学键相连；2)采用原子和/或离子和/或电子进行轰击，在所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜的界面处形成钝化层或非晶态层以断开所述sp3化学键，所述α‑Sn晶体薄膜的Sn原子之间重构成sp2化学键形成一种二维锡烯材料。根据本发明提供的方法，采用常规的商用单晶衬底以及难度显著降低的常规外延方法即可实现大尺寸二维锡烯材料的制备，总之，本发明相对现有技术提供了一种衬底选择范围扩大的、可行的、易操作、简单的二维锡烯材料的制备方法。
-
公开(公告)号：CN107039884B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710304793.X
申请日：2017-05-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/34
Abstract: 本发明提供了一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器，该有源区结构包括第一势垒层、Ge纳米线和第二势垒层，所述Ge纳米线位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，克服了硅不能直接带隙以及III‑V族发光器件与现有的CMOS工艺不兼容的问题，同时也有利于单片集成，降低成本，促进光通信行业的良性发展。
-
公开(公告)号：CN105951055A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610436234.X
申请日：2016-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C23C16/18 , C23C16/01 , C23C16/56 , C30B25/18 , C30B25/186
Abstract: 本发明提供一种二维锡烯材料的制备方法，包括以下步骤：1)在单晶衬底上外延生长单层或多原子层的α‑Sn晶体薄膜，其中，所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜通过sp3化学键相连；2)采用原子和/或离子和/或电子进行轰击，在所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜的界面处形成钝化层或非晶态层以断开所述sp3化学键，所述α‑Sn晶体薄膜的Sn原子之间重构成sp2化学键形成一种二维锡烯材料。根据本发明提供的方法，采用常规的商用单晶衬底以及难度显著降低的常规外延方法即可实现大尺寸二维锡烯材料的制备，总之，本发明相对现有技术提供了一种衬底选择范围扩大的、可行的、易操作、简单的二维锡烯材料的制备方法。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.041 seconds)
