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公开(公告)号：CN116819805A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310736866.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种基于碳化硅载流子的光调制器制备方法及光调制器。通过基于碳化硅衬底进行同质外延得到N型低掺杂碳化硅薄膜层，后续对N型低掺杂碳化硅薄膜层再进行N型不同浓度的掺杂以及P型掺杂，以形成能够实现载流子色散效应的掺杂层，然后通过先与第一支撑衬底键合，以去除碳化硅衬底，再与第二支撑衬底键合，并去除第一支撑衬底，从而得到能够避免光在N型低掺杂碳化硅薄膜层向衬底泄露的高效和高速的光调制器。
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公开(公告)号：CN116755265A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310641466.9
申请日：2023-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于声光耦合的非互易性波导器件及制备方法和应用，所述波导器件包括：衬底、SiC‑LN异质薄膜、金属叉指结构，其中SiC‑LN异质薄膜设在所述衬底上，金属叉指结构设在所述SiC‑LN异质薄膜上。本发明结合LN、SiC的优异材料性能，利用特殊的晶圆集成方法和易实现的加工工艺获得基于SiC/LN/SiC异质结构的波导耦合结构，其能够局域地限制光波和声表面波，再结合金属叉指结构、光栅耦合器和声波散射结构可实现高场重叠、长耦合距离的声光耦合效应，进而获得满足模式间散射条件的非互易性波导。
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公开(公告)号：CN116741634A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310737343.5
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/331 , H01L21/18 , H01L29/739
Abstract: 本申请公开了一种双极型功率器件及其制备方法，该方法通过在高质量的碳化硅单晶衬底上的外延层与其中的剥离层之间制作嵌有掺杂子区的阱区，并与低质量的中间碳化硅衬底进行一次键合；沿剥离层剥离包含碳化硅单晶衬底在内的部分器件结构并对剥离表面进行后处理，暴露经剥离的外延层中的第二面并对其进行导电处理，形成第二器件结构；将具有双面注入层的硅衬底与倒置的第二器件结构进行二次键合；去掉中间碳化硅衬底并激活键合界面，并制备电极层以形成双极型功率器件。从而在克服硅基制备碳化硅材料困难的基础上，降低碳化硅单片成本，提供了一种用于低成本制备高耐压的双极型功率器件器件的解决方案。
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公开(公告)号：CN116736445A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310610948.8
申请日：2023-05-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/293
Abstract: 本发明涉及一种自干涉光学微谐振腔及其调控方法，其中，自干涉光学微谐振腔包括，微腔结构，由首尾相连的波导构成；总线波导，与所述微腔结构耦合2n+1次构成2n+1个耦合器，相邻两个耦合器在所述微腔结构所在波导上的光程与相邻两个耦合器在所述总线波导上的光程不同。本发明能够在不改变光学微谐振腔的绝对谐振频率情况下调控光学微谐振腔的谐振透射率。
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公开(公告)号：CN116646247A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310678551.2
申请日：2023-06-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/32 , H01L21/265 , H01L21/266
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制备方法。该制备方法包括先对氮化镓单晶衬底的顶面进行氧化处理，以形成氧化镓层，并通过离子注入，以及剥离转移、抛光工艺得到抛光后结构，在抛光后结构的氮化镓层上依次生长氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层，得到第一结构；在第一结构的顶面制备源电极、漏电极和栅电极。上述制备方法得到的氮化镓高电子迁移率晶体管具有器件的击穿电压高、防漏电性能好和散热能力强的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116613057A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310588832.9
申请日：2023-05-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18
Abstract: 本申请涉及芯片领域，本申请公开了一种晶圆键合方法、结构及半导体器件，该方法包括：提供第一晶圆及第二晶圆，其中，第一晶圆具有第一键合面，第二晶圆具有第二键合面；在第一晶圆的第一键合面上刻蚀，得到第一凹凸结构；第一凹凸结构包含第一凸起和第一凹槽；在第二晶圆的第二键合面上刻蚀，得到第二凹凸结构；第二凹凸结构包含第二凸起和第二凹槽；基于第一凹凸结构和第二凹凸结构，将第一晶圆和第二晶圆对准后键合，其中，第一凸起对准第二凹槽，第一凹槽对准第二凸起。通过第一凹凸结构和第二凹凸结构之间凹凸对准且键合，能够降低晶圆键合强度对退火温度的依赖、提高键合强度和稳定性。
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公开(公告)号：CN112864006B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110034385.3
申请日：2021-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/266 , H01L21/225 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体衬底的制备方法。该半导体衬底的制备方法包括以下步骤：提供一碳化硅晶圆，该碳化硅晶圆为重掺杂晶圆；在该碳化硅晶圆的第一表面上形成二氧化硅保护层；从该第一表面对该碳化硅晶圆进行离子注入，得到第一衬底；去除该第一衬底上的二氧化硅保护层，得到第二衬底；对该第二衬底进行退火处理，得到该半导体衬底。使用本申请提供的制备碳化硅衬底的制备方法具有制造成本低的优点。
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公开(公告)号：CN112530803B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202011410376.1
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种GaN基HEMT器件的制备方法，可以将自支撑GaN单晶衬底上同质外延的高质量AlGaN/GaN结构转移至支撑衬底，在简单处理去除表面的残留层后，生长源、漏、栅电极即可获得高性能的GaN基HEMT器件；自支撑GaN单晶衬底没有损耗，可以回收循环利用，从而大大降低成本；根据不同支撑衬底的材料特点，可实现GaN基HEMT器件与支撑衬底的异质集成，发挥GaN基HEMT器件的不同优势，以提升GaN基HEMT器件的性能，使得GaN基HEMT器件在高频率、高功率状态下可长时间稳定工作；可应用于制备N极性面GaN基HEMT器件以及Ga极性面GaN基HEMT器件，扩大应用范围。
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公开(公告)号：CN111865250B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010661703.4
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种POI衬底、高频声波谐振器及其制备方法，该POI衬底的制备方法包括以下步骤：获取重掺杂SiC衬底和压电衬底；对重掺杂SiC衬底进行多次H离子注入，在重掺杂SiC衬底中形成富H层，获得含富H层的重掺杂SiC衬底；其中，每次注入H离子的能量不同；对含富H层的重掺杂SiC衬底进行退火处理；对压电衬底进行离子注入，在压电衬底的设定深度位置形成缺陷层，获得含缺陷层的压电衬底；将含富H层的重掺杂SiC衬底的注入面和含缺陷层的压电衬底的注入面进行键合，获得键合结构；对键合结构进行退火剥离处理，使得含缺陷层的压电衬底部分被剥离，形成含压电薄膜的键合结构；对含压电薄膜的键合结构进行后退火处理及对压电薄膜进行表面处理。
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公开(公告)号：CN112864006A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110034385.3
申请日：2021-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/266 , H01L21/225 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体衬底的制备方法。该半导体衬底的制备方法包括以下步骤：提供一碳化硅晶圆，该碳化硅晶圆为重掺杂晶圆；在该碳化硅晶圆的第一表面上形成二氧化硅保护层；从该第一表面对该碳化硅晶圆进行离子注入，得到第一衬底；去除该第一衬底上的二氧化硅保护层，得到第二衬底；对该第二衬底进行退火处理，得到该半导体衬底。使用本申请提供的制备碳化硅衬底的制备方法具有制造成本低的优点。
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