公开(公告)号：CN1438680A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN02151819.X

申请日：2002-11-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 丹生谷贵行 ,  折居武彦 ,  森宏幸 ,  矢野洋 ,  中森光则

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/422 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/76814

Abstract: 按本发明的方法能除去附着在半导体衬底上的光刻胶膜和聚合物层。给衬底加第一处理液，它通常包括氧化剂，如过氧化氢溶液，以改变光刻胶膜和聚合物层的状态。之后，给衬底加第二处理液，它通常包括二甲基亚砜和胺溶剂，因此，从衬底上溶解除去光刻胶膜和聚合物层。也能除去聚合物层中包含的溅射的Cu颗粒。

公开(公告)号：CN209747470U

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201920574963.0

申请日：2019-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 相原明德 ,  金子都 ,  折居武彦 ,  菅野至

IPC: H01L21/67

Abstract: 本实用新型提供一种基板清洗系统，其能够抑制图案的坍塌以及基底膜的侵蚀，并且能够除去附着于基板的微粒，具有：第1处理部，其包括保持基板的第1保持部和第1供给部，第1供给部设置于第1保持部的上方，向基板供给包含挥发成分的用来在基板的主面整体形成膜的处理液；以及第2处理部，其包括保持基板的第2保持部以及第2供给部，第2供给部设置于第2保持部的上方，向基板供给溶解全部的膜的除去液并向基板供给冲洗液，膜是第1供给部向基板供给的处理液在挥发成分挥发后而在基板上固化或硬化所形成的，冲洗液从基板上除去残留在基板上的溶解后的膜以及除去液；以及背面清洗部，其向第2保持部所保持的所述基板的背面中心供给清洗液。

公开(公告)号：CN209729872U

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201920567710.0

申请日：2019-04-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中森光则 ,  田中晓 ,  折居武彦 ,  丸山裕隆 ,  南辉臣

IPC: H01L21/67

Abstract: 本实用新型提供一种基板处理装置，其在使用处理液对基板进行液体处理后，通过供给挥发性处理液来进行干燥处理，其中，对基板进行加热的基板加热单元在用处理液进行处理的过程中开始向基板的背面供给加热的处理液，由此在供给挥发性处理液之前开始基板的加热，并且在供给挥发性处理液时，向基板的正面供给挥发性处理液的同时向基板的背面供给加热的处理液一定时间，以在基板的表面从挥发性处理液露出之前使基板的表面温度高于露点温度。由此能够防止在基板表面产生水痕而附着微细颗粒的情况。