公开(公告)号：CN1438680A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN02151819.X

申请日：2002-11-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 丹生谷贵行 ,  折居武彦 ,  森宏幸 ,  矢野洋 ,  中森光则

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/422 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/76814

Abstract: 按本发明的方法能除去附着在半导体衬底上的光刻胶膜和聚合物层。给衬底加第一处理液，它通常包括氧化剂，如过氧化氢溶液，以改变光刻胶膜和聚合物层的状态。之后，给衬底加第二处理液，它通常包括二甲基亚砜和胺溶剂，因此，从衬底上溶解除去光刻胶膜和聚合物层。也能除去聚合物层中包含的溅射的Cu颗粒。

公开(公告)号：CN100383927C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN02151819.X

申请日：2002-11-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 丹生谷贵行 ,  折居武彦 ,  森宏幸 ,  矢野洋 ,  中森光则

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/422 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/76814

Abstract: 按本发明的方法能除去附着在半导体衬底上的光刻胶膜和聚合物层。给衬底加第一处理液，它通常包括氧化剂，如过氧化氢溶液，以改变光刻胶膜和聚合物层的状态。之后，给衬底加第二处理液，它通常包括二甲基亚砜和胺溶剂，因此，从衬底上溶解除去光刻胶膜和聚合物层。也能除去聚合物层中包含的溅射的Cu颗粒。